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2024 開年CES,存儲芯片/模組應用新趨勢

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友網 ? 作者:黃晶晶 ? 2024-01-12 09:33 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網報道 文/黃晶晶)作為開年的消費電子產品風向標,2024年CES展如期而至。在此次展會上,不少存儲廠商帶來了新產品,電子發(fā)燒友網整理部分廠商的展示訊息,可以看到這些廠商已積極布局在AI、存儲主控芯片嵌入式存儲、SSD等方面,在一定程度上預示著存儲行業(yè)接下來的動向。

支撐AI的存儲

此次展會上,SK海力士展示未來AI基礎設施中最為關鍵的超高性能存儲器技術實力。

我們知道SK海力士在行業(yè)里面率先發(fā)力HBM產品,并收獲頗豐。為了鞏固自身在這一領域的市場地位,最近SK海力士制定了新的發(fā)展戰(zhàn)略,計劃到2030年將HBM出貨量提升至每年1億顆。為此,SK海力士計劃在未來幾年內加大對HBM生產線建設的投入,擴大產能,以滿足市場需求。

同時,SK海力士不斷研發(fā)新技術,提升HBM產品的性能和品質。加強與全球知名廠商的合作,加大在全球市場的拓展力度,特別是在中國、北美和歐洲等高性能計算需求較大的地區(qū)。

SK海力士展示的HBM3E,該產品是現有最高性能的存儲器。HBM3E達到了業(yè)界最高1.18TB/秒的數據處理速度,滿足了人工智能市場快速處理海量數據的需求。相較于上一代HBM3產品,HBM3E的速度提升了1.3倍,數據容量擴大了1.4倍,該產品還采用了Advanced MR-MUF2最新技術,散熱性能提升了10%。對于運行人工智能解決方案的用戶而言,HBM3E將有助于充分發(fā)揮其系統(tǒng)的全部潛能。

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圖源:SK海力士

公司計劃從今年上半年開始量產HBM3E產品并提供給AI領域的大型科技公司。

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圖源:SK海力士

SK海力士還展示“新一代接口的CXL2內存”、“基于CXL運算功能整合而成的存儲器解決方案CMS(Computational Memory Solution)試制品”、“基于PIM(Processing-In-Memory)半導體的低成本、高效率生成型AI加速器卡AiMX3”等。

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圖源:SK海力士

其中,AiMX(Accelerator-in-Memory based Accelerator)采用SK海力士的首款PIM產品GDDR6-AiM芯片,專用于大規(guī)模語言模型(Large Language Model)的加速器卡試制品。

SK海力士計劃在今年下半年將基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0內存解決方案產品商用化并提供給AI領域的客戶。此外,消息稱SK海力士已確認2024年將啟動下一代HBM4的開發(fā)工作。

談到AI,不僅是GPU搭配HBM進行AI訓練,AI服務器也需要系統(tǒng)的存儲能力得到提升。在此次CES展上,作為國內少數可同時研發(fā)并量產企業(yè)級RDIMM和SSD的廠商之一,江波龍旗下行業(yè)類存儲品牌FORESEE推出了DDR5 RDIMM與PCIe SSD的產品組合方案,以匹配AI服務器領域大帶寬、低延遲的主要需求,該方案也可作為HBM需求的有益補充,目前已成功量產。

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圖:FORESEE產品全家福 來源:江波龍

最近在手機端支持AI大模型應用的旗艦手機密集發(fā)布,那么有了端側SoC算力的助力,也需要更高速的DRAM和NAND Flash的存力來支持,如最新的UFS 4.0和LPDDR5。以DRAM舉例,智能手機運行130億參數大模型至少需要配備16GB內存。江波龍預計2024年推出LPDDR5產品以匹配手機廠商更高的存儲需求,并持續(xù)以嵌入式分離存儲和嵌入式復合存儲等豐富產品組合為智能終端市場提供多元化選擇。

閃存:UFS 4.0與PCIe 5.0

鎧俠重點展示其廣泛的固態(tài)硬盤 (SSD) 和內存解決方案產品組合,包括專為即將到來的 IT 需求而設計的新產品、外形尺寸和標準。

具體包括可擴展的鎧俠 BiCS FLASH 3D 閃存技術解決方案 - 包括 XL-FLASH 和QLC技術;適用于汽車應用的閃存解決方案-包括 UFS 4.0,可支持市場不斷變化的汽車需求;廣泛的企業(yè)和數據中心 SSD 系列-代表最新的標準、技術和外形規(guī)格;KIOXIA 客戶端 SSD -包括 KIOXIA XG8 和 BG6 系列 NVMe SSD。

群聯(lián)電子于CES 2024 推出PCIe 5.0 DRAM-Less Client SSD 控制芯片PS5031-E31T,這是全球首款采用7nm制程的PCIe 5.0 DRAM-Less 4CH client SSD 控制芯片。

在目前3600MT/s 的NAND世代下,E31T SSD 效能可達到10.8GB/ s,最高容量可達8TB;待4800MT/s 的新世代NAND 發(fā)布后,E31T SSD的極速將提升至14GB/s,推升PCIe 5.0 DRAM-Less SSD 效能至全新的境界。

嵌入式存儲

康盈半導體首次亮相2024 美國 CES展,展示了最新的存儲技術和B端、C端全系列存儲產品:嵌入式存儲芯片、移動存儲卡、內存條、固態(tài)硬盤、移動固態(tài)硬盤5大系列產品,涵蓋eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、內存條等,所涉及存儲產品品類齊全。廣泛應用于智能終端、智能穿戴、智能家居物聯(lián)網、網絡通信、工控設備、車載電子、智慧醫(yī)療等領域。

康盈小精靈系列嵌入式存儲芯片產品線以小型化設計為突出特點,例如Small PKG. eMMC小微智能知芯小精靈,較normal eMMC體積更小,尺寸小至9mm x 7.5mm x 0.8mm,最高容量32GB。ePOP智能穿戴創(chuàng)芯小精靈,采用全新設計工藝,垂直搭載在SoC上,體積更小,功耗更低,擁有LPDDR3和4X多品類組合,并通過了主流平臺認證。面向物聯(lián)網領域,推出低延時、速度快、壽命長的nMCP,面向工業(yè)場景,推出工業(yè)級嵌入式存儲芯片產品eMMC、SPI NAND、LPDDR、提供多規(guī)格容量選擇,且擁有64GB大容量的eMMC,滿足工業(yè)5.0應用。此外,康盈C端存儲產品線包括移動存儲卡、內存條、SSD等,兼顧容量、速度與耐用等特性。
康盈半導體本次亮相CES2024,現場B端嵌入式存儲品類齊全,應用場景豐富;C端多款明星產品設計出彩,絢彩奪目,吸引海外經銷商、分銷商、消費者等觀眾紛紛駐足,據了解,康盈半導體B端產品和C端存儲產品一亮相即收獲了行業(yè)客戶和消費者的高度認可和喜愛,諸多客戶在現場就通過線上商城直接下單!

本次參加2024 美國 CES展,是康盈半導體品牌出海的重要節(jié)點,實現了新的突破!康盈半導體B端和C端品牌的深度布局,加速品牌國際化,產品定位中高端,這將以堅實的產品品質做為后盾,為存儲行業(yè)及消費電子行業(yè)畫上了濃墨重彩的一筆。

事實上,國內存儲產品不僅在消費電子越做越精細,在工業(yè)、汽車等領域也獲得更多國內客戶的認可,當然這還遠遠不夠,走向海外將是更多存儲廠商的選擇,也讓世界見證中國存儲的力量。

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