?IGBT模塊的損耗特性介紹
IGBT模塊的損耗特性
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。另外，內(nèi)置續(xù)流二極管的損耗為導通損耗與關斷（反向恢復）損耗(ERR)之和。EON、EOFF、ERR與開關頻率的乘積為平均損耗。
IGBT的損耗：
續(xù)流二極管的反向恢復損耗：
反向恢復損耗 ERR 開關特性的測試：
PDMB100B12開通損耗EON測量范例：
PDMB100B12關斷損耗EOFF測量范例：
1200V B系列開通損耗 EON （Tj= 125℃），有關門極系列阻抗RG請參閱技術規(guī)格。
1200V B系列關斷損耗 Eoff (Tj=125C)，有關門極系列阻抗RG請參閱技術規(guī)格。
1200V B系列續(xù)流二極管反向恢復損耗 ERR（Tj= 125℃），有關門極系列阻抗RG請參閱技術規(guī)格。
1200V B系列ERR對門極串聯(lián)電阻RG依存性（Tj= 125℃）
審核編輯：劉清
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原文標題：?IGBT模塊的損耗特性
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