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北方華創(chuàng)Orion Proxima:引領(lǐng)12英寸介質(zhì)薄膜設(shè)備的技術(shù)突破

旺材芯片 ? 來源:半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 ? 2024-01-09 17:30 ? 次閱讀

近日,由北方華創(chuàng)自主研發(fā)的12英寸高密度等離子體化學氣相沉積(HDPCVD)設(shè)備Orion Proxima正式進入客戶端驗證。這標志著北方華創(chuàng)在絕緣介質(zhì)填充工藝技術(shù)上實現(xiàn)了新的突破,也為北方華創(chuàng)進軍12英寸介質(zhì)薄膜設(shè)備領(lǐng)域,打開百億級市場邁出了堅實的一步。

集成電路領(lǐng)域高速發(fā)展,對芯片制造工藝提出了更具挑戰(zhàn)的要求,其中就包括如何用絕緣介質(zhì)在各個薄膜層[1]之間進行均勻無孔的填充,以提供充分有效的隔離保護。為了滿足以上需求,HDPCVD設(shè)備已經(jīng)成為介質(zhì)薄膜沉積工藝的重要設(shè)備。

包括淺槽隔離(Shallow-Trench-Isolation,STI),金屬前絕緣層(Pre-Metal-Dielectric,PMD),金屬層間絕緣層(Inter-Metal-Dielectric,IMD)等。

Orion Proxima作為北方華創(chuàng)推出的國產(chǎn)自研高密度等離子體化學氣相沉積設(shè)備,主要應用于12英寸集成電路芯片的淺溝槽絕緣介質(zhì)填充工藝。此款設(shè)備通過沉積-刻蝕-沉積的工藝方式可以有效完成對高深寬比溝槽間隔的絕緣介質(zhì)填充,借助北方華創(chuàng)在刻蝕技術(shù)上的積累,發(fā)揮其高沉積速率、優(yōu)異的填孔能力和低溫下進行反應得到高致密的介質(zhì)薄膜的優(yōu)勢,獲得多家業(yè)內(nèi)客戶關(guān)注。

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正如北方華創(chuàng)一直秉承“以客戶為中心”的企業(yè)核心價值觀,華創(chuàng)人始終以務(wù)實的精神堅持“急客戶之所急、想客戶之所想”作為技術(shù)創(chuàng)新永續(xù)驅(qū)動力?,F(xiàn)階段,Orion Proxima技術(shù)性能在迭代升級中已達業(yè)界先進水平:通過靈活可控的軟件系統(tǒng)調(diào)度優(yōu)化與自主研發(fā)特有傳輸平臺的結(jié)合,助力客戶實現(xiàn)產(chǎn)能的大幅提升,取得雙贏;通過提供不同的硬件配置方案,滿足了包括填孔能力、膜層質(zhì)量、顆??刂频裙に囆枨蟮耐瑫r,更實現(xiàn)了對邏輯、存儲及其他特色工藝領(lǐng)域客戶的全覆蓋。

在創(chuàng)新中突破、在專業(yè)中精進,Orion Proxima HDPCVD通過優(yōu)化機臺結(jié)構(gòu),縮小了整機占地面積,節(jié)省了客戶空間運營成本;通過優(yōu)化排氣管路設(shè)計,提高了清洗效率;通過優(yōu)化開蓋方式,縮減了人力維護開支,提高了設(shè)備生產(chǎn)效率。

北方華創(chuàng)正基于20余年沉積工藝技術(shù)的深厚積累,全面布局多類薄膜產(chǎn)品,致力于為客戶提供全面的薄膜產(chǎn)品解決方案。

審核編輯:黃飛

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原文標題:恭喜!北方華創(chuàng)!國產(chǎn)12英寸HDPCVD!

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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