2023年存儲(chǔ)芯片行業(yè)十大關(guān)鍵詞

（電子發(fā)燒友網(wǎng) 文/黃晶晶）過去的一年，存儲(chǔ)市場(chǎng)跌宕起伏，從低潮逐漸回暖，新興應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的拉動(dòng)絲毫不減，服務(wù)器、汽車存儲(chǔ)馬力十足，帶動(dòng)存儲(chǔ)新技術(shù)例如高速接口、HBM等快速發(fā)展。這一年在半導(dǎo)體投資低迷的形勢(shì)下存儲(chǔ)行業(yè)仍然出現(xiàn)不錯(cuò)的投融資行為，曠日持久的知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛案也終見分曉。讓我們一起回顧充滿挑戰(zhàn)的2023年，并迎接2024年的新機(jī)遇。

知識(shí)產(chǎn)權(quán)

首先跳出來的重大事件非美光和晉華達(dá)到全球和解莫屬。

2023年12月26日美光科技表示已經(jīng)與福建晉華達(dá)成全球和解協(xié)議，兩家公司將在全球范圍內(nèi)各自撤銷對(duì)對(duì)方的起訴，并結(jié)束雙方之間的所有訴訟。這場(chǎng)起源于2016年的涉及美光科技、聯(lián)華電子和福建晉華三方的知識(shí)產(chǎn)權(quán)案迎來終局。

在國內(nèi)，存儲(chǔ)行業(yè)也同樣發(fā)生著知識(shí)產(chǎn)權(quán)案件。

12月18日，江波龍發(fā)布公告指出，近日收到了深圳中院出具的《民事判決書》的一審判決。深圳中院在判決書中認(rèn)為：深圳市晶存科技有限公司未經(jīng)許可在 LPDDR3 芯片測(cè)試經(jīng)營業(yè)務(wù)中使用了公司在案件中主張的相關(guān)商業(yè)秘密密點(diǎn)的技術(shù)信息。根據(jù)判決，被告盧浩、趙迎、深圳市晶存科技有限公司于本判決生效之日起十日內(nèi)連帶賠償原告深圳市江波龍電子股份有限公司經(jīng)濟(jì)損失14,183,388.42元。

無論是和解還是判決，知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)是芯片企業(yè)繞不開的話題。這些典型事件將促使行業(yè)更加重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)，只有保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，才能保護(hù)創(chuàng)新。

去庫存

2023年以來存儲(chǔ)芯片廠商由于盈利情況不佳，大多處于持續(xù)削減產(chǎn)能、消化庫存的狀態(tài)，美光科技、三星電子、SK海力士、鎧俠等紛紛采取了減產(chǎn)動(dòng)作。終端需求不振延緩去庫存的時(shí)間。2023年智能手機(jī)出貨量整體不佳。根據(jù) Counterpoint Research 的 《智能手機(jī) 360報(bào)告》 對(duì)全球智能手機(jī)出貨量的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2023年全球智能手機(jī)出貨量將同比下降5%，達(dá)到12億臺(tái)，為近十年最低水平。不過，今年第四季度出貨量將同比增長3%，達(dá)到3.12億臺(tái)。

我們知道芯片供求每隔兩三年都會(huì)出現(xiàn)周期性波動(dòng)，但是像2023年出現(xiàn)的這般終端需求低迷、芯片供應(yīng)過剩長時(shí)間持續(xù)的情況還是比較少見的。這也是前兩年芯片缺貨、瘋狂擴(kuò)產(chǎn)的“后遺癥”體現(xiàn)。

裁員

受行業(yè)低迷影響，存儲(chǔ)大廠陸續(xù)傳出裁員的消息。美光在臺(tái)灣啟動(dòng)大規(guī)模裁員。2023年2月，部分中國臺(tái)灣美光員工爆料該公司無預(yù)警裁員，“十分鐘通知走人”。美光公司發(fā)言人Erica Rodriguez Pompen表示，“由于我們努力使計(jì)劃、項(xiàng)目、時(shí)間表和路線圖與市場(chǎng)條件保持一致，美光現(xiàn)在預(yù)計(jì)裁員將接近15%，其中包括到2023年日歷年底的預(yù)期減員。另外，美光還在削減高管薪酬，并在本財(cái)年結(jié)束前不發(fā)放獎(jiǎng)金。”

10月份，SK海力士控股的英特爾前SSD業(yè)務(wù)部門Solidigm，在一份聲明中表示：“由于半導(dǎo)體行業(yè)的長期低迷及其對(duì)市場(chǎng)狀況的影響，Solidigm 已實(shí)施裁員。公司正在為即將離職的同事提供支持和遣散費(fèi)?！?br />
裁員自然是行業(yè)周期波動(dòng)影響到企業(yè)經(jīng)營的體現(xiàn)。相信被裁員籠罩的陰影會(huì)隨著存儲(chǔ)行業(yè)的復(fù)蘇而消散。

漲價(jià)

西部數(shù)據(jù)12月5日對(duì)客戶發(fā)布漲價(jià)通知，預(yù)告NAND及HDD將展開浮動(dòng)漲價(jià)。其中，NAND預(yù)計(jì)將在未來幾個(gè)季度內(nèi)呈現(xiàn)周期性價(jià)格上漲，累計(jì)漲幅可能達(dá)55%；HDD將采取每周審查價(jià)格，預(yù)計(jì)價(jià)格漲勢(shì)將延續(xù)至2024年上半年。

12月25日，據(jù)日媒報(bào)道，DRAM的11月價(jià)格在2年零5個(gè)月以來首次上漲。據(jù)統(tǒng)計(jì)，11月DRAM大宗交易價(jià)格中，DDR4型8GB產(chǎn)品的單價(jià)約為1.65美元，環(huán)比上漲11％，這是自2021年6月以來首次出現(xiàn)價(jià)格上漲。與此同時(shí)，NAND型閃存的指標(biāo)產(chǎn)品TLC 256GB產(chǎn)品的單價(jià)約為1.85美元，比上一季度上漲12％。

在減產(chǎn)、去庫存的調(diào)控下，部分存儲(chǔ)芯片供給又出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，行業(yè)回暖將越來越明顯。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)DS（Device Solutions）部門在經(jīng)歷前三季度累計(jì)運(yùn)營虧損超過12萬億韓元（約合92.4億美元）之后，Q4三星電子DRAM業(yè)務(wù)將扭虧為盈，DS部門虧損收窄。

HBM

新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共五代產(chǎn)品。對(duì)于HBM3E，SK海力士預(yù)計(jì)2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品，2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊，容量達(dá)24GB，帶寬為1.15TB/s。

三星電子近日已確認(rèn)將其第五代HBM3E產(chǎn)品命名為“Shinebolt”，并正在向客戶公司發(fā)送HBM3E產(chǎn)品Shinebolt原型機(jī)進(jìn)行質(zhì)量認(rèn)可測(cè)試。Shinebolt為8層堆疊的24GB芯片，帶寬比HBM3高出約 50%，達(dá)到1.228TB/s。另外，后續(xù)還有12層堆疊的36GB產(chǎn)品開發(fā)。

而美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，美光計(jì)劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E正在進(jìn)行英偉達(dá)認(rèn)證，首批HBM3E采用8-Hi設(shè)計(jì)，提供24GB容量和超過1.2TB/s帶寬。計(jì)劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。存儲(chǔ)廠商的HBM3E配套給英偉達(dá)，主要是用于英偉達(dá)推出的H200 GPU以及GH200超級(jí)芯片，它們配備141GB HBM3E。

此外，SK海力士已確認(rèn)2024年將啟動(dòng)下一代HBM4的開發(fā)工作，為數(shù)據(jù)中心和人工智能產(chǎn)品提供動(dòng)力。

高速接口IP

Rambus發(fā)布HBM3內(nèi)存控制器IP，專為需要高內(nèi)存吞吐量、低延遲和完全可編程性應(yīng)用而設(shè)計(jì)。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了50%，總內(nèi)存吞吐量超過1.2 TB/s，適用于推理系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式AI以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。目前已與SK海力士、美光、三星完成了一整套的測(cè)試。對(duì)于選擇第三方HBM3 PHY（物理層）的客戶，Rambus還提供HBM3控制器的集成與驗(yàn)證服務(wù)。

10月，新思科技PCI?Express(PCIe)6.0?IP在端到端64GT/s的連接下,成功實(shí)現(xiàn)與英特爾PCIe?6.0測(cè)試芯片的互操作性。新思科技PCIe?6.0?IP全面解決方案包括控制器IP、PHY?IP、驗(yàn)證IP、以及完整性與數(shù)據(jù)加密(IDE)安全I(xiàn)P,能夠有效加速用于高性能計(jì)算及AI應(yīng)用的芯片開發(fā)。

奎芯科技推出業(yè)界領(lǐng)先的LPDDR5X接口IP，傳輸速率可達(dá)8533Mbps?？綡BM接口可實(shí)現(xiàn)支持國產(chǎn)工藝 PHY+ Controller 全套方案，速率可達(dá)6.4Gbps?？究萍纪瞥鲎匝械幕ヂ?lián)方案M2LINK，通過將HBM/LPDDR的接口協(xié)議轉(zhuǎn)成UCIE的協(xié)議，組合成標(biāo)準(zhǔn)Chiplet模組，與主SOC合封，以實(shí)現(xiàn)降低主芯片和封裝成本、擴(kuò)大內(nèi)存容量和帶寬、提升性能等目的。

CXL

借助 CXL可以將內(nèi)存放在非常類似于 PCIe 總線的東西上（CXL 使用 PCIe PHY 和電氣元件）。這讓系統(tǒng)能夠使用帶有標(biāo)準(zhǔn) CXL 接口的卡來支持更多的內(nèi)存模塊，而無需額外 DDR 通道。任何需要的 CPU、GPU 或張量處理單元 (TPU) 可以訪問基于標(biāo)準(zhǔn)的 CXL 接口設(shè)計(jì)的額外內(nèi)存。CXL 最終將允許連接到大量的內(nèi)存模塊，包括 SSD、DDR DRAM 和新興的持久內(nèi)存。

到目前，CXL已經(jīng)發(fā)表了1.0/1.1、2.0、3.0三個(gè)不同的版本，可以實(shí)現(xiàn)從單臺(tái)服務(wù)器的內(nèi)存容量和帶寬拓展，到內(nèi)存池，再到內(nèi)存共享和內(nèi)存訪問，擴(kuò)展到多臺(tái)服務(wù)器的互聯(lián)與并存內(nèi)存。

今年5月，三星電子宣布研發(fā)出其首款支持Compute Express Link（CXL）2.0的128GB DRAM。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。預(yù)計(jì)明年上半年，會(huì)有相關(guān)產(chǎn)品的商用落地。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾至強(qiáng)平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。

SK海力士計(jì)劃在今年下半年將基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0內(nèi)存解決方案產(chǎn)品商用化并提供給AI領(lǐng)域的客戶。

融資

在早前電子發(fā)燒友網(wǎng)分析師團(tuán)隊(duì)觀察到2023年半導(dǎo)體投資熱潮下降的形勢(shì)，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)融資相較之前變得困難。然而也不乏在第三代半導(dǎo)體、汽車芯片、AI等熱門領(lǐng)域持續(xù)獲得融資的例子。存儲(chǔ)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的組成部分，在融資降溫的情況下仍然備受關(guān)注。

11月10日深圳市時(shí)創(chuàng)意電子完成超3.4億元B輪戰(zhàn)略融資，由小米產(chǎn)投領(lǐng)投，動(dòng)力未來等多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)、機(jī)構(gòu)跟投。本輪融資將用于持續(xù)強(qiáng)化時(shí)創(chuàng)意核心存儲(chǔ)技術(shù)及產(chǎn)品矩陣研發(fā)，推進(jìn)全球化戰(zhàn)略部署。2023年以來，時(shí)創(chuàng)意已連續(xù)完成A輪和B輪兩輪戰(zhàn)略融資。

2023年12月，深圳市嘉合勁威宣布于近日成功完成超2億元C輪戰(zhàn)略融資。本輪融資將用于建設(shè)智能制造工廠，強(qiáng)化嘉合勁威存儲(chǔ)領(lǐng)域核心測(cè)試技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)。將助力嘉合勁威進(jìn)一步提提升綜合實(shí)力，快速開拓新市場(chǎng)，繼續(xù)保持技術(shù)與市占率等領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

汽車存儲(chǔ)

乘聯(lián)會(huì)預(yù)測(cè)，2023年12月，新能源汽車零售94.0萬輛左右，環(huán)比增長11.8%，同比增長46.6%，滲透率約41.4%。預(yù)計(jì)2023年新能源汽車零售約775萬輛，同比增長36.5%，滲透率35.8%，較去年全年提升8個(gè)百分點(diǎn)。

在風(fēng)景這邊獨(dú)好的汽車市場(chǎng)，汽車存儲(chǔ)成為許多芯片廠商爭(zhēng)相發(fā)力的關(guān)鍵。這一領(lǐng)域美光占有較高的市場(chǎng)份額，而國產(chǎn)廠商在EEPROM、SLC NAND Flash、NOR Flash、eMMC等領(lǐng)域通過車規(guī)認(rèn)證，打入汽車市場(chǎng)。

目前東芯半導(dǎo)體的SLC NAND Flash及NOR Flash均有產(chǎn)品通過AEC-Q100的測(cè)試，東芯表示將繼續(xù)在嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)應(yīng)用環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)下開發(fā)新的高可靠性產(chǎn)品，擴(kuò)大車規(guī)級(jí)產(chǎn)品線的豐富度。

終端企穩(wěn)

IDC預(yù)計(jì)，2024年中國內(nèi)地智能手機(jī)市場(chǎng)出貨量將達(dá)到2.87億臺(tái)，同比增長3.6%，實(shí)現(xiàn)2021年以來首次同比增長。日前，Canalys預(yù)測(cè)顯示，2024年智能手機(jī)總出貨量中，AI手機(jī)的出貨量將達(dá)到6000萬部。預(yù)計(jì)到2024年，全球智能手機(jī)市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)反彈，出貨量將達(dá)到11.7億部，較2023年上漲4%。

不僅是數(shù)據(jù)中心、AI需要大容量高速的存儲(chǔ)，智能手機(jī)的存儲(chǔ)容量也更大，搭配大存儲(chǔ)容量儼然成為各家手機(jī)廠商的產(chǎn)品賣點(diǎn)。今年11月推出的vivo Y100i，12GB+512GB售價(jià)1599元。12GB/16GB內(nèi)存、512GB/1TB閃存搭配的智能手機(jī)比比皆是。

此外，長江存儲(chǔ)致態(tài)正式發(fā)布Ti600和TiPlus7100的4TB SSD，采用長江存儲(chǔ)QLC顆粒，晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，Ti600 4TB版本單顆芯片接口速度可達(dá)2400MT/s；順序讀寫速度最高可達(dá)7000MB/s、6000MB/s。全面兼容Gen4及大部分Gen3系統(tǒng)。

11月28日，長鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。長鑫存儲(chǔ)正完善中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)產(chǎn)品布局。

小結(jié)：

繼存儲(chǔ)芯片廠商的238層閃存量產(chǎn)后，閃存向著更高層數(shù)邁進(jìn)。隨著英特爾新一代平臺(tái)Meteor lake對(duì)DDR5的全面支持，以及AI PC的帶動(dòng)，DDR5滲透率將更高。明年HBM3E進(jìn)入量產(chǎn)，HBM4研發(fā)開啟。

WSTS對(duì)2024年半導(dǎo)體市場(chǎng)成長率預(yù)估，由6月預(yù)測(cè)的11.8%上調(diào)至13.1%。若達(dá)成這個(gè)成長率，2024年按營收計(jì)算的半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模，將刷新2022年創(chuàng)下的5,740.8億美元新高記錄，總規(guī)模將攀至創(chuàng)紀(jì)錄的5,883.6億美元。存儲(chǔ)芯片將引領(lǐng)2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長，銷售額將較2023年躍增44.8%。

可以看到，存儲(chǔ)行業(yè)復(fù)蘇已來，2024年將是興旺繁榮的一年。