薄膜材料電阻率與霍爾遷移率測(cè)試詳解

薄膜作為一種重要的材料形態(tài)，在各個(gè)領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。在電子器件方面，薄膜被廣泛應(yīng)用于集成電路、顯示器件、太陽能電池等領(lǐng)域。薄膜提供了更高的集成度和靈活性，使得電子器件在體積和性能上都有了顯著的提升。

薄膜未來發(fā)展也具有廣闊的前景。首先，納米薄膜在材料研究和應(yīng)用中扮演著重要角色。納米級(jí)薄膜能夠充分利用尺寸效應(yīng)和界面效應(yīng)，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，因此在光電器件、傳感器、儲(chǔ)能器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。其次，功能化薄膜的發(fā)展是薄膜研究的一個(gè)重要方向。

電子薄膜材料電阻率測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)

電子薄膜種類多，電阻率特性不同

- 需選擇適合的SMU進(jìn)行測(cè)試

被測(cè)樣品形狀復(fù)雜，需選擇適當(dāng)?shù)男拚齾?shù)

- 厚度修正系數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響F(W/S)

- 圓片直徑修正系數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響

- 溫度修正系數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響

環(huán)境對(duì)測(cè)試結(jié)果有影響

- 利用電流換向測(cè)試消除熱電勢(shì)誤差

利用多次平均提高測(cè)試精度

- 需考慮測(cè)試成本

電子薄膜材料表面電阻率測(cè)試

表面電阻率測(cè)試常用方法是四探針法與范德堡法，但對(duì)電子薄膜材料，范德堡法很少應(yīng)用。多數(shù)情況下，電子薄膜材料表面電阻率測(cè)試對(duì)測(cè)試儀器的要求沒有二維材料/石墨烯材料高，用源表加探針臺(tái)即可手動(dòng)或編寫軟件自動(dòng)完成測(cè)試。

審核編輯：劉清