0.53 N/mm),從而有利于制作精細線路(線寬/線距=15 μm/15 μm)。 0 引言 先進封裝包" />
0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

先進封裝表面金屬化研究

半導體封裝工程師之家 ? 來源:半導體封裝工程師之家 ? 作者:半導體封裝工程師 ? 2023-12-28 08:45 ? 次閱讀

歡迎了解

楊彥章 鐘上彪 陳志華

(光華科學技術研究院(廣東)有限公司

摘要

先進封裝是半導體行業(yè)未來發(fā)展的重要一環(huán),是超越摩爾定律的關鍵技術。本文通過對不同封裝材料進行表面金屬化處理,發(fā)現(xiàn)粗糙度和鍍層應力對鍍層結合力均有顯著影響。選擇合適的粗化方法及低應力電鍍銅鍍液可以在不顯著增加封裝材料表面粗糙度的情況下提高鍍層結合力(剝離強度>0.53 N/mm),從而有利于制作精細線路(線寬/線距=15 μm/15 μm)。

0 引言

先進封裝包括PLP、SOC、SIP等封裝,是順應半導體行業(yè)向更小尺寸、更高性能發(fā)展趨勢的新的高技術含量的封裝技術 [1]-[4] 。先進封裝表面金屬化可以實現(xiàn)封裝體電磁屏蔽、散熱、導電等功能,進一步減小封裝器件的尺寸,并且提高封裝器件的性能 [5]-[7] 。目前先進封裝表面金屬化存在粗糙度高、結合力低等問題,面臨難以制作精細線路的挑戰(zhàn) [8]-[10] 。針對這一問題,本文通過優(yōu)化封裝材料表面粗化技術和使用低應力電鍍銅鍍液,成功實現(xiàn)低粗糙度高結合力的鍍層,并完成精細線路的制作。

1 粗糙度

粗糙度是表征材料表面形貌的參數(shù)(如圖1所示),其數(shù)值大小對鍍層結合力有顯著影響 [11] 。一般來講,粗糙度越大越有利于鍍層結合力的增加,因此提高鍍層結合力的重要手段在于增加接觸面的粗糙度。然而粗糙度過大不利于制作精細線路 [12] 。

684c6cde-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

2 鍍層應力

應力廣泛存在于各種材料中,對材料的機械、化學等性能有重要影響 [13] 。電鍍層的鍍層應力會影響鍍層硬度和開裂,例如應力越大的鍍層其鍍層機械性能越差。影響鍍層應力的因素有很多,如鍍液配方、電鍍參數(shù)等 [14] 。

3 實驗方案

3.1 原理

如圖2所示,首先對封裝材料表面進行粗化,然后使用化學鍍在表面鍍上種子層金屬銅(<1 μm),最后使用電鍍銅增加鍍層厚度(>10 μm)。

68529758-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

如圖3所示,使用粗化方法A對封裝材料EMC-1表面的樹脂區(qū)域進行咬蝕,增大表面的粗糙度,然后使用化學鍍在表面鍍上種子層金屬銅,最后使用電鍍銅增加鍍層厚度。

685f8ab2-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

如圖4所示,使用粗化方法B對封裝材料EMC-2表面的填料區(qū)域進行咬蝕,增大表面的粗糙度,然后使用化學鍍在表面鍍上種子層金屬銅,最后使用電鍍銅增加鍍層厚度。

68666486-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

3.2 試驗材料及測試設備

本文所使用的封裝材料均為環(huán)氧樹脂塑封料(EMC),這種類型的封裝材料占整個電子封裝材料的90%以上。EMC材料共有兩種,差異主要體現(xiàn)在填料的篩分粒徑不同——EMC-1和EMC-2的篩分粒徑分別為50 μm和20 μm。測試設備包括激光共聚焦顯微鏡、電子掃描顯微鏡、剝離強度測試儀(如圖5所示)、應力測試儀(如圖6所示)。

68766f02-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

687ad3d0-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

4 實驗結果及分析

EMC-1和EMC-2粗化前后表面的SEM照片如圖7所示。從圖中結果可以看出,粗化后的EMC材料表面形貌較粗化前變得更加粗糙:(1)粗化后的EMC-1表面樹脂區(qū)域被咬蝕的微坑尺寸明顯增大;(2)粗化后的EMC-2表面填料區(qū)域出現(xiàn)了清晰的咬蝕裂紋。

為進一步分析粗化前后的EMC表面粗糙度,我們使用激光共聚焦顯微鏡對EMC表面粗糙度進行表征,結果列于表1。從表1可以看出,EMC-1粗化后的表面粗糙度相較于粗化前顯著增大,而EMC-2粗化后的表面粗糙度相較于粗化前增加不明顯。這與圖7的表征結果是一致的。

68853ca8-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

688946ae-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

EMC表面電鍍銅后的界面結構如圖8所示。從圖中可以看出,EMC-1/鍍層界面起伏較大,這是由于EMC-1粗化后的表面粗糙度大(與圖7d-f和表1一致)。EMC-2/鍍層界面相較于EMC-1/鍍層界面更加平坦,無顯著起伏波動(與圖7j-l和表1一致),這樣的界面更易制作精細線路。

68959b98-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

我們使用剝離強度來表征鍍層與EMC之間的結合力。從表2可以看出,相較于未經(jīng)過表面粗化處理的EMC材料,經(jīng)過表面粗化處理后的EMC材料表面鍍層的剝離強度顯著增加,這表明EMC表面粗糙度對鍍層結合力起重要作用。此外,不同的電鍍銅鍍液獲得的鍍層剝離強度不同:在相同前處理條件下,鍍液2獲得的鍍層結合力要優(yōu)于鍍液1。這是由于鍍液2的鍍層應力更低(如表3所示),所以獲得的鍍層與基材之間的結合力更高。

68999310-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

68a54ee4-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

在前面實驗結果的基礎上,我們使用SAP工藝在EMC-2表面制作精細線路。如圖9所示,使用SAP工藝成功在EMC-2表面制作出線寬/線距=15 μm/15 μm的精細線路,且未出現(xiàn)線路脫落的現(xiàn)象,這表明該金屬化工藝可以滿足精細線路的制作要求。

68a8ef0e-a51a-11ee-9b10-92fbcf53809c.png

5 結論

環(huán)氧塑封料是先進封裝常用的封裝材料。本文研究了濕化學工藝中前處理和電鍍對兩種填料粒徑不同的EMC封裝材料表面鍍層結合力的影響,發(fā)現(xiàn)增加表面粗糙度和降低電鍍銅層鍍層應力可以有效提高鍍層結合力:最大剝離強度可達0.92 N/mm。選擇填料尺寸較小的EMC材料,可以在低的表面粗糙度下(Sz<18 μm)實現(xiàn)0.58 N/mm的鍍層結合力,并且使用SAP工藝制作出線寬/線距=15 μm/15 μm的精細線路。這些實驗結果為適應未來先進封裝金屬化更高的要求提供了解決思路,也為電介質(zhì)-金屬互聯(lián)工藝提供了技術參考。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    27479

    瀏覽量

    219655
  • 封裝
    +關注

    關注

    126

    文章

    7937

    瀏覽量

    143083
  • SAP
    SAP
    +關注

    關注

    1

    文章

    385

    瀏覽量

    21672
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    先進封裝中RDL工藝介紹

    電層頂部創(chuàng)建圖案金屬層,然后將IC的輸入/輸出(I/O)重新分配到新位置。新位置通常位于芯片邊緣,可以使用標準表面貼裝技術(SMT)將 IC連接到印刷電路板(PCB)。 RDL工藝使得設計人員能夠以緊湊且高效的方式放置芯片,從
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:27 ?234次閱讀
    <b class='flag-5'>先進</b><b class='flag-5'>封裝</b>中RDL工藝介紹

    什么是先進封裝中的Bumping

    Hello,大家好,今天我們來聊聊什么是先進封裝中的Bumping? Bumping:凸塊,或凸球,先進封中的基礎工藝。 Bumping,指的是在晶圓切割成單個芯片之前,于基板上形成由各種金屬
    的頭像 發(fā)表于 01-02 13:48 ?230次閱讀

    玻璃基板之通孔金屬化電鍍技術

    電鍍一個關鍵部分是利用電流將所需材料沉積到基材表面,但玻璃基板是非導電材料,必須使其表面導電,這就需要先鍍一層電鍍銅。當然,還需要更好的粘合劑,由于玻璃表面平滑,與常用金屬(如Cu)的
    的頭像 發(fā)表于 12-31 11:45 ?131次閱讀
    玻璃基板之通孔<b class='flag-5'>金屬化</b>電鍍技術

    改進絲網(wǎng)印刷工藝,晶硅太陽能電池正面銀電極金屬化效率高達22.1%

    傳統(tǒng)的平面絲網(wǎng)印刷是大規(guī)模生產(chǎn)晶硅太陽能電池的主要金屬化方法,因其生產(chǎn)能力強和成本效益高。光伏行業(yè)要求進一步減小印刷銀電極(接觸指)的寬度,需要新的優(yōu)化。使用細線絲網(wǎng)(屏幕開口寬度低至15μm)對晶
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:03 ?262次閱讀
    改進絲網(wǎng)印刷工藝,晶硅太陽能電池正面銀電極<b class='flag-5'>金屬化</b>效率高達22.1%

    如何測量晶圓表面金屬離子的濃度

    ??? 本文主要介紹如何測量晶圓表面金屬離子的濃度。??? 金屬離子濃度為什么要嚴格控制????? 金屬離子在電場作用下容易發(fā)生遷移。如Li?,Na?、K?等可遷移到柵氧化層,導致閾值
    的頭像 發(fā)表于 11-26 10:58 ?145次閱讀
    如何測量晶圓<b class='flag-5'>表面</b><b class='flag-5'>金屬</b>離子的濃度

    金屬化膜電容器的方阻選擇標準

    在選擇金屬化膜電容器的方阻時,需要綜合考慮以下因素,以確保電容器性能穩(wěn)定并滿足應用需求。以下是選擇標準: 一、應用場景 1、低壓和中高壓場合:不同電壓等級對電容器的可靠性和方阻要求不同。 低壓
    的頭像 發(fā)表于 10-21 14:17 ?238次閱讀
    <b class='flag-5'>金屬化</b>膜電容器的方阻選擇標準

    無鉛共晶焊料在厚Cu凸點下金屬化層上的潤濕反應

    無鉛共晶焊料在厚Cu凸點下金屬化層上的潤濕反應涉及多個方面,以下是對這一過程的詳細分析: 我們對4種不同的共晶焊料(SnPb、SnAg、SnAgCu 和 SnCu)在電鍍制備的厚Cu(15 μm)UBM層上的反應進行比較分析。
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:08 ?301次閱讀
    無鉛共晶焊料在厚Cu凸點下<b class='flag-5'>金屬化</b>層上的潤濕反應

    金屬化薄膜電容氧化時方阻會變大嗎

    金屬化薄膜電容器的氧化會導致其表面形成一層氧化物膜。這層氧化物膜通常是絕緣性質(zhì)的,且比金屬本身的電導率低。因此,當金屬化薄膜電容器表面發(fā)生氧
    的頭像 發(fā)表于 08-05 14:13 ?618次閱讀

    先進封裝技術綜述

    共讀好書 周曉陽 (安靠封裝測試上海有限公司) 摘要: 微電子技術的不斷進步使得電子信息系統(tǒng)朝著多功能、小型與低成本的方向全面發(fā)展。其中封裝工藝正扮演著越來越重要的角色,直接影響著
    的頭像 發(fā)表于 06-23 17:00 ?1664次閱讀
    <b class='flag-5'>先進</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術綜述

    CBB金屬化薄膜電容存在失效問題嗎?

    相對于常見的電容而言,人們對于CBB電容的認知卻較為稀少。這就導致了在一些問題上,人們對于CBB電容存在一定程度的誤解,本文將以CBB金屬化薄膜電容的失效問題,來談一談人們對于其存在的誤解。
    的頭像 發(fā)表于 05-29 11:37 ?2.2w次閱讀

    電子封裝金屬基復合材料加工制造的研究進展

    隨著電子技術的不斷進步,電子設備正向著高性能、小型、集成化的方向發(fā)展。電子封裝技術作為保障電子設備性能穩(wěn)定、提高可靠性的關鍵環(huán)節(jié),其重要性日益凸顯。金屬基復合材料(Metal Matrix
    的頭像 發(fā)表于 04-17 09:45 ?791次閱讀
    電子<b class='flag-5'>封裝</b>用<b class='flag-5'>金屬</b>基復合材料加工制造的<b class='flag-5'>研究</b>進展

    17芯航空插頭為什么要金屬化

    德索工程師說道金屬化是17芯航空插頭的一個重要特征。金屬化意味著插頭的某些部分或整個外殼由金屬制成,這提供了出色的電氣性能和機械強度。金屬外殼可以有效地屏蔽電磁干擾和射頻干擾,確保數(shù)據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 04-12 14:35 ?367次閱讀
    17芯航空插頭為什么要<b class='flag-5'>金屬化</b>

    電子封裝金屬基復合材料加工制造的研究進展

    共讀好書 蓋曉晨 成都四威高科技產(chǎn)業(yè)園有限公司 摘要: 在航空航天領域中,金屬封裝材料被廣泛應用,對其加工制造工藝的研究具有重要的意義。近年來,金屬基復合材料逐漸代替?zhèn)鹘y(tǒng)金屬材料應用于
    的頭像 發(fā)表于 03-16 08:41 ?645次閱讀
    電子<b class='flag-5'>封裝</b>用<b class='flag-5'>金屬</b>基復合材料加工制造的<b class='flag-5'>研究</b>進展

    C82和C84也是雙面金屬化聚丙烯薄膜電容?和MMKP82電容有什么區(qū)別?

    MMKP82電容是雙面金屬化聚丙烯薄膜電容器,它是一種耐高壓、大電流的諧振電容器
    的頭像 發(fā)表于 03-08 10:53 ?901次閱讀

    傳統(tǒng)封裝先進封裝的區(qū)別

    半導體器件有許多封裝形式,按封裝的外形、尺寸、結構分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技術指標一代比一代
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:54 ?1385次閱讀
    傳統(tǒng)<b class='flag-5'>封裝</b>和<b class='flag-5'>先進</b><b class='flag-5'>封裝</b>的區(qū)別