近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來(lái)越廣泛的應(yīng)用在各行各業(yè),它不僅可以改善工藝,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命,提高工作效率等,最重要的是它可以“節(jié)能降耗”,這一點(diǎn)已被廣大用戶(hù)所認(rèn)可,且深受關(guān)注。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年,具有高效節(jié)能功效的變頻器市場(chǎng)將受政策驅(qū)動(dòng)持續(xù)增長(zhǎng)。
自推出以來(lái),絕緣柵雙極晶體管(IGBT)由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng),光伏,UPS,儲(chǔ)能,汽車(chē) 等領(lǐng)域。隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求,高效率,高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力,實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
變頻器
變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢(shì),廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器,看看變頻器的典型電路。
“交—直—交”電路是典型的變頻器拓?fù)潆娐?,基于該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、制動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)單元、檢測(cè)單元、微處理單元等組成。變頻器靠 IGBT 的開(kāi)關(guān)來(lái)調(diào)整輸出電源的電壓和頻率,根據(jù)電機(jī)的實(shí)際需要,來(lái)提供其所需要的電源電壓,進(jìn)而達(dá)到節(jié)能、調(diào)速的目的。另外,變頻器還有很多的保護(hù)功能,如過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)載保護(hù)等等。隨著工業(yè)自動(dòng)化程度的不斷提高,變頻器廣泛的應(yīng)用在紡織,港口,化工,石油,工程機(jī)械,物流等各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景。
△圖1 典型的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)變頻器的應(yīng)用框圖
變頻節(jié)能
傳統(tǒng)用工頻(50Hz)電源直接驅(qū)動(dòng)時(shí)的風(fēng)量或水量調(diào)節(jié)方式落后。風(fēng)機(jī)、泵類(lèi)調(diào)節(jié)大部分仍采用閥門(mén)機(jī)械節(jié)流方式(調(diào)節(jié)入口或出口的擋板、閥門(mén)開(kāi)度等降低風(fēng)量或水量)。由于電機(jī)以恒定速度運(yùn)行,因此即使降低風(fēng)量和水量,耗電量也幾乎不會(huì)下降,且大量的能源消耗在擋板、閥門(mén)的截流過(guò)程中。容易產(chǎn)生能源的浪費(fèi)。
風(fēng)機(jī)、泵類(lèi)當(dāng)使用變頻調(diào)速時(shí),如果流量要求減小,通過(guò)降低泵或風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速即可滿(mǎn)足要求。隨著轉(zhuǎn)速的降低,所需轉(zhuǎn)矩以平方的比例下降。輸出的功率也就成立方關(guān)系下降。即可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的降低輸出功率,降低耗電量。
風(fēng)扇、風(fēng)機(jī)、泵為代表的降轉(zhuǎn)矩負(fù)載來(lái)說(shuō),隨著轉(zhuǎn)速的降低,所需轉(zhuǎn)矩以平方的比例下降。而根據(jù)流體力學(xué),功率=壓力×流量,流量和轉(zhuǎn)速的一次方是成正比的,壓力與轉(zhuǎn)速的平方是成正比的,功率和轉(zhuǎn)速的立方成正比,如果說(shuō)水泵效率固定的話(huà),當(dāng)調(diào)節(jié)流量下降時(shí),轉(zhuǎn)速就會(huì)成比例下降,輸出的功率也就成立方關(guān)系下降,所以說(shuō),水泵的轉(zhuǎn)速與電機(jī)耗電功率是近似立方比關(guān)系。
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的短路能力
工業(yè)環(huán)境中的短路工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的工作環(huán)境相對(duì)惡劣,可能出現(xiàn)高溫、交流線(xiàn)路瞬變、機(jī)械過(guò)載、接線(xiàn)錯(cuò)誤以及其它突發(fā)情況。其中有些事件可能會(huì)導(dǎo)致較大的電流流入電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率電路中。
△圖2 IGBT 典型的短路情況
圖2顯示了三種典型的短路事件。它們是:
1. 逆變器直通。這可能是由于不正確開(kāi)啟其中一條逆變器橋臂的兩個(gè)IGBT所導(dǎo)致的,而這種情況有可能是因?yàn)樵馐芰穗姶鸥蓴_或控制器故障,也可能是因?yàn)楸凵系钠渲幸粋€(gè) IGBT 故障導(dǎo)致的。
2. 相對(duì)相短路。這可能是因?yàn)樾阅芟陆?、溫度過(guò)高或過(guò)壓事件 導(dǎo)致電機(jī)繞組之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。
3. 相線(xiàn)對(duì)地短路。這同樣可能是因?yàn)樾阅芟陆怠囟冗^(guò)高或過(guò)壓事件導(dǎo)致電機(jī)繞組和電機(jī)外殼之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。
一般而言,電機(jī)可在相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)(如毫秒到秒,具體取決于 電機(jī)尺寸和類(lèi)型)吸收極高的電流,這對(duì)于應(yīng)用在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)上的 IGBT 提出了高溫短路耐受能力的要求。
IGBT 在極限工況需要滿(mǎn)足短路耐受的能力,Nexperia 的IGBT模塊可實(shí)現(xiàn)高溫150°C 10us 的短路能力。如圖3 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗、通態(tài)壓降和可靠性的三者的折中關(guān)系。Nexperia 的 IGBT 采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù),針對(duì)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用優(yōu)化了 Vcesat導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的性能,同時(shí)滿(mǎn)足高溫150°C 10us 的短路能力。
△圖3 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗、通態(tài)壓降和可靠性的三者關(guān)系
IGBT模塊的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)性能對(duì)比
導(dǎo)通損耗是整體損耗的重要組成部分,我們選取了在市場(chǎng)上廣泛應(yīng)用的不同廠(chǎng)商ABCD產(chǎn)品作為對(duì)照,在同樣的條件如高溫150°C,VGE=15V 時(shí),從圖4的對(duì)比,我們可以讀出在額定電流100A條件下,競(jìng)品A,B,C,D的 Vcesat的飽和壓降分別為2.49V, 2.41V, 2.52V, 3V。紅色的是安世 IGBT 產(chǎn)品NP100T12P2T3的飽和壓降,Vcesat僅為2.27V,在高溫下,和競(jìng)品ABCD相比,Vcesat分別降低了10%,6%,11%,32%。極大的降低 IGBT 的靜態(tài)損耗。Nexperia 的 IGBT模塊表現(xiàn)出了優(yōu)異的低 Vcesat飽和壓降的特性。
△圖4 IGBT模塊在150°C 的 靜態(tài)特性(Ic-Vcesat)
IGBT模塊的動(dòng)態(tài)性能對(duì)比
同樣馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中對(duì)開(kāi)關(guān)損耗尤為關(guān)注,我們選取了在市場(chǎng)上廣泛應(yīng)用的不同廠(chǎng)商 ABCD 產(chǎn)品作為對(duì)照,對(duì)比Nexperia IGBT 產(chǎn)品 NP100T12P2T3 在不同電流下的開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗的和值 Etot( Eon+Eoff),如圖 5所示在結(jié)溫150°C 的對(duì)比,紅色的曲線(xiàn)是安世 IGBT 產(chǎn)品 NP100T12P2T3,在額定電流100A的條件下,競(jìng)品 A,B,C,D,開(kāi)關(guān)損耗和值 Etot分別為25.84mJ,24.52mJ,24.33mJ,29.19mJ,而Nexperia產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗和值 Etot僅為23.64mJ。在高溫下,和競(jìng)品ABCD相比,開(kāi)關(guān)損耗和值 Etot分別降低了9%,4%,3%,23%,極大地降低 IGBT 在高開(kāi)關(guān)頻率下的功率損耗。
△圖5 IGBT模塊在150°C 的 開(kāi)關(guān)特性(Eon+Eoff)
IGBT的折中曲線(xiàn)
圖6是在常溫25°C 和高溫150°C 時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗Etot和導(dǎo)通壓降 Vcesat的折中關(guān)系對(duì)比。IGBT工作在大電流高電壓,高溫150°C的折中曲線(xiàn)備受客戶(hù)的關(guān)注。如圖6所示,橫坐標(biāo)代表的是導(dǎo)通壓降 Vcesat,縱坐標(biāo)代表的是開(kāi)關(guān)損耗 Etot越接近原點(diǎn),意外著損耗越低,可以看出,Nexperia IGBT產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗和飽和壓降都明顯小于競(jìng)品 ABCD 。
△圖6 IGBT模塊在25°C 和150°C 的折中曲線(xiàn)(Vcesat-Etot)
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的損耗計(jì)算
為了更接近客戶(hù)的實(shí)際的應(yīng)用情況,如圖7是IGBT模塊在典型的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的損耗對(duì)比,其中 Vcesat, VF的數(shù)據(jù)來(lái)源于同一測(cè)試平臺(tái)下的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),開(kāi)關(guān)損耗 Eon+Eoff是基于同一雙脈沖測(cè)試平臺(tái)在高溫150°C 額定電流 100A 的條件下的測(cè)試數(shù)據(jù),仿真模擬的是工業(yè)馬達(dá)連續(xù)運(yùn)行的工況,系統(tǒng)工作于母線(xiàn)電壓Vdc=600V,有效值電流 Irms=50A ,門(mén)級(jí)電阻Rgate=1.5?, 載波頻率 fsw=10KHz,調(diào)制比 m=0.8, 電機(jī)功率因數(shù) cosφ=0.8, 輸出頻率fout=50Hz。
仿真損耗的計(jì)算結(jié)果如下,在典型變頻器驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用條件下,Nexperia NP100T12P2T3 的 IGBT 產(chǎn)品, 其開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗均小于競(jìng)品 ABCD ,總功率損耗降低5%~24%。Nexperia 的 IGBT 產(chǎn)品整體降低了功率損耗,提升了變頻器的系統(tǒng)效率。
△圖7 IGBT 模塊在典型的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用條件的 Ploss 損耗
熱仿真
從熱仿真上可以直觀(guān)的看到節(jié)溫的分布,如圖8所示。對(duì)比安世半導(dǎo)體和競(jìng)品 A 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用做熱仿真,Nexperia 的 IGBT 最高節(jié)溫 Tjmax會(huì)是116°C, 競(jìng)品的最高節(jié)溫 Tjmax是119°C,比競(jìng)品 A 低3°C。
△圖8 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中熱仿真
布局設(shè)計(jì)
產(chǎn)品的布局設(shè)計(jì)也非常關(guān)鍵,通過(guò)精巧的布局設(shè)計(jì)與仿真對(duì)比,增加布線(xiàn)寬度,減小換流路徑長(zhǎng)度,增加換流路徑重合度及磁場(chǎng)相消,來(lái)達(dá)到最大程度的降低寄生電感的目的。
在 IGBT 關(guān)斷的過(guò)程中,IGBT 的電流下降產(chǎn)生較大的di/dt, 由于回路中存在雜散電感,在IGBT 的上疊加反向電動(dòng)勢(shì),deltaV=L*di/dt。 產(chǎn)生較大的電壓尖峰,由于優(yōu)化了線(xiàn)路中的雜散電感,從而最終使得關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰盡可能小。減少關(guān)斷時(shí)候時(shí)的電壓過(guò)沖。
小結(jié)
基于前面的討論,安世半導(dǎo)體的 IGBT 模塊優(yōu)化了開(kāi)通損耗和導(dǎo)通損耗,同時(shí)兼顧高溫下的短路能力,實(shí)現(xiàn)更高電流密度和更好的可靠性,降低了整體的損耗且提高了系統(tǒng)的效率。同時(shí)設(shè)計(jì)通過(guò)精巧的布局,增加減小換流路徑長(zhǎng)度,增加換流路徑重合度及磁場(chǎng)相消,來(lái)達(dá)到最大程度的降低寄生電感的目的,模塊的最高工作運(yùn)行節(jié)溫達(dá)到150°C ,滿(mǎn)足馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的高溫150°C 短路耐受能力。
審核編輯:劉清
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