有幾種專門為LDO(低壓差)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)的集成電路芯片。使用標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器和分立元件構(gòu)建 LDO 是一種替代方案。這是LDO電路的一種設(shè)計(jì):
這里有一些選擇組件值的指南:
選擇D1是為了獲得最佳性能,開關(guān)過渡曲線越尖銳越好。有人說5,6V齊納二極管比其他電壓具有更好的穩(wěn)壓能力。但實(shí)際上您可以使用低于預(yù)期最小輸出電壓的任何電壓。輸出電壓為Vd(R4+R3)/R3,其中Vd是齊納二極管D1的電壓。
R1 的選擇應(yīng)確保 D1 的準(zhǔn)確電壓在輸入電源范圍變化上的漂移最小。查看 D1 數(shù)據(jù)表。 R1通常并不重要,可以使用較大的值來節(jié)省電流損耗。
R3和R4用于設(shè)置預(yù)期的輸出電壓,并且選擇盡可能大的值以節(jié)省電流損耗,但應(yīng)遠(yuǎn)小于運(yùn)算放大器的輸入阻抗。
選擇 Q1 是為了實(shí)現(xiàn)最低的 Vce 壓降,從而實(shí)現(xiàn)最佳性能、更高的增益 (hFe),并且集電極電流必須能夠處理預(yù)期的最大負(fù)載電流。
如果穩(wěn)壓器需要調(diào)節(jié)低壓源,則 Q2 必須具有低壓降 Vce,但如果輸入電源電壓較高,則Q2 的 Vce 壓降并不那么重要。
可以選擇 R2 以確保 Q2 始終“導(dǎo)通”,即使在穩(wěn)壓器空載時(shí)也是如此。只需記住,R2 兩端的電壓與 Q1 的 Vbe 相同,您可以設(shè)置 R2 的值,以將 Q2 的電流 Ice 設(shè)置為 Q2 的 Ibe/Ice 曲線的最佳值。
選擇運(yùn)算放大器 A1 以獲得最佳高增益、最高輸入阻抗。 A1 最重要的特性是輸出擺幅應(yīng)能夠降至 Q2 Vbe 開啟點(diǎn)以下。
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