臺(tái)積電：1.4nm 研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)

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編輯：感知芯視界 萬(wàn)仞

臺(tái)積電在近日舉辦的IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電還再次強(qiáng)調(diào)，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。

根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱(chēng)為 A14。目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將在 2027-2028 年問(wèn)世。

在技術(shù)方面，A14 節(jié)點(diǎn)不太可能采用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)，盡管臺(tái)積電仍在探索這項(xiàng)技術(shù)。因此，A14 可能將像N2 節(jié)點(diǎn)一樣，依賴(lài)于臺(tái)積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)。

N2 和 A14 等節(jié)點(diǎn)將需要系統(tǒng)級(jí)協(xié)同優(yōu)化才能真正發(fā)揮作用，并實(shí)現(xiàn)新水平的性能、功耗和功能。

目前尚不清楚的是臺(tái)積電是否計(jì)劃在 2027-2028 年時(shí)間段為 A14 制程采用High-NA EUV 光刻技術(shù)，考慮到屆時(shí)英特爾（以及可能其他芯片制造商）將采用和完善下一代數(shù)值孔徑為0.55 的 EUV ***，臺(tái)積電使用這些機(jī)器應(yīng)該相當(dāng)容易。然而，由于高數(shù)值孔徑EUV 光刻技術(shù)將掩膜尺寸減半，其使用將給芯片設(shè)計(jì)人員和制造商帶來(lái)一些額外的挑戰(zhàn)。

當(dāng)然，從現(xiàn)在到 2027-2028 年，很多事情都可能會(huì)發(fā)生變化，因此我們不能做出太多假設(shè)。但很明顯，臺(tái)積電的科學(xué)家和開(kāi)發(fā)人員正在研究下一代生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。

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