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如何使用LTspice獲得出色的EMC仿真結(jié)果

analog_devices ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-12-18 11:15 ? 次閱讀

隨著物聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)設(shè)備和5G連接等技術(shù)創(chuàng)新成為我們?nèi)粘I畹囊徊糠?,監(jiān)管這些設(shè)備的電磁輻射并量化其EMI抗擾度的需求也隨之增加。滿足EMC合規(guī)目標(biāo)通常是一項(xiàng)復(fù)雜的工作

本文將介紹如何通過開源LTspicewKgaomV-aOGALnu4AAAAoJMC_jk148.jpg仿真電路來回答以下關(guān)鍵問題:

(a)我的系統(tǒng)能否通過EMC測(cè)試,或者是否需要增加緩解技術(shù)?

(b)我的設(shè)計(jì)對(duì)外部環(huán)境噪聲的抗擾度如何?

為何要使用LTspice進(jìn)行EMC仿真?

針對(duì)EMC的設(shè)計(jì)應(yīng)該盡可能遵循產(chǎn)品發(fā)布日程表,但事實(shí)往往并非如此,因?yàn)镋MC問題和實(shí)驗(yàn)室測(cè)試可能將產(chǎn)品發(fā)布延遲數(shù)月。


通常,仿真?zhèn)戎赜?a target="_blank">電子設(shè)備的功能方面。但是,諸如 LTspice 之類簡(jiǎn)單的開源工具也可以用來仿真任何設(shè)備的EMC行為。由于許多人在家工作,并且EMC實(shí)驗(yàn)室的成本高昂(每天高達(dá)2000美元),因此準(zhǔn)確的EMC仿真工具更顯價(jià)值?;◣讉€(gè)小時(shí)對(duì)EMC故障和電路修復(fù)情況進(jìn)行仿真,有助于避免多次實(shí)驗(yàn)室測(cè)試迭代和昂貴的硬件重新設(shè)計(jì)。

為了發(fā)揮作用,EMC仿真工具需要盡可能準(zhǔn)確。本系列文章會(huì)提供一些指南和LTspice EMC電路模型,這些模型經(jīng)過仿真并與實(shí)際實(shí)驗(yàn)室測(cè)量結(jié)果非常吻合。

使用LTspice解決輻射和抗擾度問題

閱讀本文后,您應(yīng)該能夠回答以下關(guān)鍵問題:

Q

我的系統(tǒng)是否有可能通過EMC測(cè)試?是否應(yīng)該為共模電感、濾波電感或電容預(yù)留空間?

閱讀本文后,您應(yīng)該能夠使用LTspice繪制降壓轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計(jì)的差分和共模噪聲圖,并展示電路超過(失?。┻€是未超過(成功)傳導(dǎo)輻射標(biāo)準(zhǔn)限值,如圖1所示。

wKgaomV-aOKAI6VJAARuKk6hOJU864.png

圖1. 差分和共模噪聲的LTspice圖,附有傳導(dǎo)輻射限值線

Q

是否需要線性穩(wěn)壓器來為敏感負(fù)載提供穩(wěn)定的電壓?

閱讀本文后,基于設(shè)計(jì)容許的降壓輸出紋波電壓電平,您應(yīng)該能夠使用LTspice了解降壓轉(zhuǎn)換器的輸出端是否需要LDO穩(wěn)壓器。此外,本文還提供了一個(gè)可配置的電源抗擾度(PSRR)測(cè)試電路。

用于傳感器的降壓轉(zhuǎn)換器

MEMS振動(dòng)傳感器通常被置于一個(gè)小型金屬外殼中,其直徑通常為20 mm至30 mm,高度為50 mm至60 mm。帶有數(shù)字信號(hào)鏈的傳感器通常由長(zhǎng)電纜提供9 VDC至30 VDC電源,功耗低于300 mW。為了能放入這種小型外殼內(nèi),需要高效率、寬輸入范圍的微型電源解決方案。

LT8618、LT8618-3.3 和 LT8604 是緊湊型高速降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,非常適合MEMS傳感器應(yīng)用。LT8618和LT8618-3.3已有相應(yīng)的LTspice模型。LT8618具有良好的穩(wěn)壓能力,提供非常低的輸出紋波,其峰峰值小于10 mV。然而,輸出電容組的寄生電阻和電感會(huì)增加這種紋波,導(dǎo)致降壓電路產(chǎn)生有害的傳導(dǎo)輻射。容性負(fù)載、降壓穩(wěn)壓器的輸出開關(guān)寄生效應(yīng)以及PCB設(shè)計(jì)和傳感器外殼之間的耦合電容,都可能引起寄生效應(yīng)。

提取和使用寄生值

接下來介紹工程師如何使用Würth REDEXPERT從實(shí)際電容中提取ESL和ESR寄生值,并使用LTspice進(jìn)行電路仿真。在許多系統(tǒng)的輸入端和輸出端,電容和電感的寄生效應(yīng)對(duì)EMI性能起著重要作用。為了降低系統(tǒng)輸出紋波,分離各種寄生貢獻(xiàn)有助于用戶做出最佳選擇。

我們使用LTspice和Würth REDEXPERT流程來討論降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)輻射仿真,如圖2所示。對(duì)于降壓轉(zhuǎn)換器,通常來說,輸出紋波與信噪比(SNR)相關(guān),而輸入紋波與EMC性能密切相關(guān)。

wKgaomV-aOKARISGAALeO8qQ3Hs004.png

圖2. 使用LTspice進(jìn)行傳導(dǎo)輻射仿真的流程

概述圖2所示的仿真方法之后,本文將使用 DC2822A LT8618演示板進(jìn)行實(shí)際的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量和仿真相關(guān)性分析。

使用Würth REDEXPERT數(shù)據(jù)的LTspice測(cè)試電路值

降壓轉(zhuǎn)換器的輸出紋波電壓是電容阻抗和電感電流的函數(shù)。為了獲得更好的仿真精度,可以使用Würth REDEXPERT來選擇4.7 μF輸出電容(885012208040),并提取隨頻率變化的ESR和ESL。ESL和ESR有時(shí)會(huì)被加載到LTspice電容模型中,但快速檢查將證明LTspice電容數(shù)據(jù)經(jīng)常會(huì)忽略ESL。圖3a和3b顯示了兩個(gè)等效電路:(a) 使用4.7 μF輸出電容以及分立的ESL和ESR值;(b) 使用包含ESR和ESL參數(shù)的Würth電容。

wKgaomV-aOKAOSffAALcL1FqNLA337.png

圖3. LTspice測(cè)試電路:(a) 使用4.7 μF電容以及分立的ESL和ESR值;(b) 使用包含ESR和ESL參數(shù)的Würth電容

REDEXPERT顯示了許多元件的隨頻率而變化的阻抗,以幫助確定每個(gè)無源器件的關(guān)鍵寄生效應(yīng)。這些寄生值稍后可以在LTspice模型中實(shí)現(xiàn),從而能夠單獨(dú)評(píng)估其對(duì)總電壓紋波的貢獻(xiàn)。

如前所述,LT8618提供非常低的輸出紋波,峰峰值小于10 mV。但是,當(dāng)模擬容性負(fù)載和ESL的影響時(shí),輸出紋波電壓為44 mV p-p。在頻率范圍內(nèi),電容ESL對(duì)噪聲的貢獻(xiàn)相當(dāng)大,如圖4的FFT圖所示。

wKgaomV-aOWACXOMAAPAEDccP-U055.png

圖4. FFT圖顯示了一個(gè)4.7 μF電容的純電容、ESL和ESR各自對(duì)頻譜的貢獻(xiàn)

使用LTspice LISN電路評(píng)估降壓輸入端的EMI合規(guī)性

為了評(píng)估傳導(dǎo)設(shè)置中的EMC合規(guī)性,大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)依賴于線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN)或人工電源網(wǎng)絡(luò)(AMN)。這些器件具有類似的功能,位于電路電源和被測(cè)器件(DUT)——這里是降壓轉(zhuǎn)換器——之間。LISN/AMN由低通和高通濾波器組成。低通濾波器提供從低頻電源(直流至幾百赫茲)到DUT的路徑。高通濾波器用于測(cè)量電源和返回電源線噪聲。這些電壓是在50 Ω電阻上測(cè)量,如圖5和圖6所示。在實(shí)際實(shí)驗(yàn)室中,該電壓使用EMI接收器來測(cè)量。LTspice可用來探測(cè)噪聲電壓并繪制傳導(dǎo)輻射測(cè)試頻譜圖。

wKgaomV-aOaAW188AAGBVPWMNb4605.png

圖5. LISN置于電源和被測(cè)器件(DUT)之間

wKgaomV-aOaAXgrSAAKtESgmX9U346.png

圖6. LISN內(nèi)部的共模和差模干擾的表示

傳導(dǎo)輻射可分為兩類:共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。區(qū)分CM和DM噪聲很重要,因?yàn)镋MI緩解技術(shù)可能對(duì)CM噪聲有效,但對(duì)DM噪聲無效,反之亦然。由于V1和V2電壓同時(shí)輸出,因此在傳導(dǎo)輻射測(cè)試中可以使用LISN來分離CM和DM噪聲,如圖6所示

DM噪聲在電源線和返回線之間產(chǎn)生,而CM噪聲是通過雜散電容CSTRAY在電源線和接地參考平面(例如銅測(cè)試臺(tái))之間產(chǎn)生。CSTRAY實(shí)際上模擬了降壓轉(zhuǎn)換器輸出端的開關(guān)噪聲寄生效應(yīng)。

圖6對(duì)應(yīng)的LTspice LISN電路如圖7所示。為了獲得更高的仿真精度,使用L5和L6電感來模擬LISN電源引線到測(cè)試電路的電感。電阻R10模擬測(cè)試板開槽接地層的阻抗。圖7還包括用于模擬CSTRAY的電容C10。電容C11模擬傳感器PCB和傳感器機(jī)械外殼之間的寄生電容。

wKgaomV-aOaAT9XKAALJvGosVKE658.png

圖7. LTspice LISN電路、LT8618降壓轉(zhuǎn)換器和寄生建模

運(yùn)行仿真時(shí),應(yīng)設(shè)置LTspice以幫助LISN電路更快達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),因?yàn)閱?dòng)條件選擇錯(cuò)誤可能導(dǎo)致長(zhǎng)期持續(xù)振蕩。

確保取消勾選"Start External DC Supply Voltages at Zero"(從零啟動(dòng)外部直流電源電壓),并根據(jù)需要指定電路元件的初始條件(電壓和電流)。

圖8顯示了CM和DM噪聲,使用的是從LISN端子V1和V2測(cè)得的LTspice FTT圖。為了再現(xiàn)圖6所示的算術(shù)運(yùn)算,對(duì)于DM噪聲,V1和V2相減后乘以0.5;對(duì)于CM噪聲,V1與V2相加,結(jié)果乘以0.5。

wKgaomV-aOaADUMyAAG0pZD9Zqc986.png

圖8. DM噪聲(黑色)和CM噪聲(藍(lán)色)的LTspice FFT圖

在實(shí)驗(yàn)室中,傳導(dǎo)輻射通常以dBμV為單位進(jìn)行測(cè)量,而LTspice的默認(rèn)單位為1 dbV。兩者之間的關(guān)系為1 dbV = 120 dBμV。

因此,DM噪聲(以dBμV為單位)的LTspice表達(dá)式為

wKgaomV-aOaAG5jQAAAcR48Wk7Y126.png

CM噪聲的表達(dá)式為

wKgaomV-aOaAOpUXAAAiwi7BHIU678.png

添加傳導(dǎo)輻射限值線

LTspice FFT波形查看參數(shù)可以通過繪圖設(shè)置文件進(jìn)行編輯。使用LTspice FFT菜單,導(dǎo)航到"Save Plot Settings"(保存繪圖設(shè)置)并點(diǎn)擊保存。繪圖設(shè)置文件可以使用文本編輯器打開,并且可以進(jìn)行操作以添加EN 55022傳導(dǎo)輻射限值線以及相關(guān)的EMC頻率范圍(10 kHz至30 MHz)和幅度(0 dBμV至120 dBμV)。

EN 55022傳導(dǎo)輻射標(biāo)準(zhǔn)頻率和幅度限值可以利用Excel進(jìn)行操作,以提供正確的語法來復(fù)制和粘貼到LTspice繪圖設(shè)置文件,如圖9所示。線定義可以粘貼到繪圖設(shè)置參數(shù)中,如圖10所示。圖10還顯示了X頻率和Y幅度參數(shù)。

wKgaomV-aOeAGTM3AAB6bQ7fMGw726.png

圖9. 生成正確的語法以復(fù)制并粘貼到LTspice繪圖設(shè)置文件

wKgaomV-aOeAK2OBAACIBuHGRXA863.png

圖10. 添加傳導(dǎo)輻射通過/失敗線定義和頻率/幅度刻度

圖11顯示了傳導(dǎo)輻射限值線,以及降壓電路的DM和CM傳導(dǎo)輻射。電路在2.3MHz至30 MHz頻段內(nèi)未通過輻射測(cè)試。

wKgaomV-aOeAVHK1AAJMifrnbGo088.png

圖11. LTspice FFT圖和EN 55022傳導(dǎo)輻射限值線

解決降壓轉(zhuǎn)換器EMI

為了降低電路的DM噪聲,可以在輸入軌上放置一個(gè)ESL和ESR非常低的電容,例如C12 22 μF Würth 885012209006,如圖12所示。

wKgaomV-aOeAYtoMAAQTBXbljIs803.png

圖12. 解決降壓轉(zhuǎn)換器輻射問題

為了降低CM噪聲,可以從LTspice庫中選擇Würth共模扼流圈,例如250 μH 744235251(WE-CNSW 系列)。封裝尺寸4.5 mm × 3.2 mm × 2.8 mm非常適合空間受限的MEMS傳感器外殼。圖13顯示了問題解決后的降壓轉(zhuǎn)換器的FFT圖。

wKgaomV-aOeAYEtrAAH_q8w6kBs331.png

圖13. 解決降壓轉(zhuǎn)換器問題后的FFT圖

使用DC2822A LT8618演示板的實(shí)際實(shí)驗(yàn)室測(cè)量和仿真相關(guān)性

本文為L(zhǎng)Tspice進(jìn)行傳導(dǎo)輻射仿真提供了指導(dǎo)。這些方法可用于任何降壓轉(zhuǎn)換器電路?,F(xiàn)在我們將注意力轉(zhuǎn)向使用DC2822A LT8618演示板的仿真和EMC實(shí)驗(yàn)室相關(guān)性,如圖14所示。DC2822A演示板包括多個(gè)輸入和輸出電容,這些電容未包含在以前的仿真模型中(例如圖7和圖12)。圖15中顯示的LTspice模型包括這些電容,以及使用Würth REDEXPERT獲得的電容ESL和ESR值。

wKgaomV-aOeAeMvVAAWnuaaqPvU332.png

圖14. DC2822A LT8618演示板

wKgaomV-aOiAHQ-OAALzPhDlmPQ859.png

圖15. DC2822A演示板VIN配置對(duì)應(yīng)的LTspice模型

DC2822A演示板包括兩個(gè)電源輸入:VIN和VEMI。VIN輸入電源軌繞過了PCB上使用的鐵氧體磁珠。圖15 LTspice模型對(duì)應(yīng)于演示板VIN配置。圖16顯示了LTspice仿真的FFT,共模輻射在2 MHz時(shí)略微超過傳導(dǎo)輻射限值線。

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圖16. DC2822A VIN配置對(duì)應(yīng)的LTspice FFT圖

為了減少仿真時(shí)間,并優(yōu)化LTspice仿真與DC2822A演示板實(shí)驗(yàn)室測(cè)量的匹配度,相比之前的模型(圖7和圖12),我們對(duì)圖15進(jìn)行了以下更改:

  • 無需模擬外殼和PCB之間的100 pF電容,我們只為DC2822A演示板建模。

  • 從一開始就假設(shè)這個(gè)設(shè)計(jì)良好的PCB上的開關(guān)噪聲可以忽略不計(jì),之前,我們?cè)趫D7和圖12中估計(jì)了5 pF的開關(guān)噪聲。

  • 忽略LISN和DC2822A演示板之間導(dǎo)線的非常小電感。

  • 添加1 kΩ電阻與50 μH LISN電感并聯(lián)以減少仿真時(shí)間(縮短LISN建立時(shí)間)。

對(duì)圖15電路進(jìn)行上述改變之后,圖17顯示了LTspice仿真與EMC實(shí)驗(yàn)室中DC2822A演示板的實(shí)際測(cè)量的比較。LTspice仿真模型非常準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)到實(shí)際實(shí)驗(yàn)室輻射的主要峰值。

wKgaomV-aOiAbKSTAAKQidjcK6I277.png

圖17. DC2822A VIN配置,LTspice和實(shí)際EMC實(shí)驗(yàn)室輻射的比較

通過鐵氧體磁珠(EMI濾波器)VEMI軌測(cè)量,DC2822A演示板輕松符合60 dBμV的傳導(dǎo)輻射限值線。事實(shí)上,在較低頻率時(shí),DC2822A演示板只有30 dBμV至35 dBμV的輻射。

傳導(dǎo)抗擾度

有線狀態(tài)監(jiān)控傳感器具有嚴(yán)格的抗擾度要求。對(duì)于鐵路、自動(dòng)化和重工業(yè)(例如紙漿和紙張加工)的狀態(tài)監(jiān)控,振動(dòng)傳感器解決方案需要輸出低于1 mV的噪聲,以避免在數(shù)據(jù)采集/控制器處觸發(fā)錯(cuò)誤的振動(dòng)水平。這意味著電源設(shè)計(jì)向測(cè)量電路(MEMS信號(hào)鏈)輸出的噪聲必須非常低(低輸出紋波)。電源設(shè)計(jì)還必須不受耦合到電源電纜的噪聲的影響(高PSRR)。

如前所示,由于非理想的容性負(fù)載和突發(fā)操作,LT8618可能有數(shù)十毫伏的輸出紋波。對(duì)于MEMS傳感器應(yīng)用,LT8618的輸出端需要一個(gè)超低噪聲和高PSRR的LDO穩(wěn)壓器,例如 LT3042。

針對(duì)抗擾度(PSRR)的靈活仿真電路

圖18所示的LTspice電路可用來仿真LT3042的PSRR。圖18所示的時(shí)域瞬變模型是交流掃描方法的替代方法。這種時(shí)域模型比交流方法更靈活,甚至允許用戶對(duì)開關(guān)穩(wěn)壓器的PSRR進(jìn)行仿真。仿真電路頻率掃描電壓輸入軌的變化,并模擬輸出電壓的相應(yīng)變化。換句話說,仿真評(píng)估如下方程:PSRRLT3042= 頻率范圍內(nèi)(VIN變化)/(VOUT變化)。

wKgaomV-aOiACCjjAAMT0AmfwVc968.png

圖18. 在10 kHz至80 MHz范圍內(nèi)仿真LT3042 LDO穩(wěn)壓器的PSRR

圖18含有幾個(gè)強(qiáng)大的語句。.meas和.step語句的組合使用戶能夠在LDO輸入端添加電壓噪聲源,并在頻率范圍內(nèi)測(cè)量電壓輸入階躍變化情況下的LDO PSRR。

.meas語句

允許用戶在一個(gè)時(shí)間范圍內(nèi)測(cè)量信號(hào)的峰峰值并將其輸出到SPICE錯(cuò)誤日志。圖18測(cè)量了輸入和輸出紋波,并計(jì)算測(cè)量數(shù)據(jù)的PSRR。所有這些都輸出到SPICE錯(cuò)誤日志中。

.step語句

在單次仿真運(yùn)行中,.step命令可用于掃描變量的一系列值。圖18中的.step語句在50 Hz至10 MHz范圍內(nèi)階躍改變V2電壓源正弦波。

C2輸出電容初始電壓可設(shè)置為3.3V,以加快建立(和仿真)時(shí)間。這是通過編輯電容屬性來完成的,通過禁用LTspice中的"Start External DC Supply Voltage at 0 V"選項(xiàng)可以進(jìn)一步加快速度。

使用SPICE錯(cuò)誤日志

仿真完成后,右鍵單擊其中一個(gè)窗口,選擇查看并選擇SPICE錯(cuò)誤日志(或使用Ctrl+L熱鍵)。SPICE錯(cuò)誤日志包含.meas語句的數(shù)據(jù)點(diǎn)。

要繪制.meas數(shù)據(jù)圖,請(qǐng)右鍵單擊錯(cuò)誤日志并選擇繪制階躍.meas數(shù)據(jù),右鍵單擊空白屏幕以選擇"Add Trace"(添加跡線,或使用Ctrl+A)并選擇PSRR。右鍵單擊x軸,選中單選按鈕以顯示對(duì)數(shù)刻度。這將顯示PSRR隨頻率的變化,如圖19所示。

wKgaomV-aOmAR-eTAAJbATf2FO0218.png

圖19. 繪制LT3042 LDO穩(wěn)壓器的仿真PSRR圖

原始LT3042數(shù)據(jù)手冊(cè)曲線中的一些偽影不可見(約2 MHz),但整體形狀和值與數(shù)據(jù)手冊(cè)接近。

圖20顯示了頻率范圍內(nèi)的輸出電壓紋波。在50 Hz至10 MHz范圍內(nèi),它小于200 μV。在相同頻率范圍內(nèi),輸入電壓紋波為1 V p-p。LT3042為噪聲敏感的MEMS解決方案提供了出色的PSRR和低噪聲電源。

wKgaomV-aOmAVKHDAAJ_OzCLD5g701.png

圖20. 繪制LT3042仿真輸出電壓紋波隨頻率的變化圖

使用SPICE錯(cuò)誤日志的.meas方法可用來仿真許多其他參數(shù),包括:

  • 開關(guān)穩(wěn)壓器的PSRR

  • PSRR、電壓差與頻率三者的關(guān)系

  • PSRR與旁路網(wǎng)絡(luò)的關(guān)系

  • RMS輸出紋波與直流輸入的關(guān)系

  • 效率與元件值的關(guān)系

總結(jié)

本文提供了LTspice仿真電路和方法,用以繪制降壓轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計(jì)的差分和共模噪聲圖。本文讓用戶能夠繪制傳導(dǎo)輻射限值線,并幫助預(yù)測(cè)EMC實(shí)驗(yàn)室故障。仿真方法通過實(shí)驗(yàn)室測(cè)量得到驗(yàn)證,與LT8618 DC2822A演示板實(shí)測(cè)結(jié)果匹配。

在LT8618降壓轉(zhuǎn)換器的輸出端使用LT3042 LDO穩(wěn)壓器,可為MEMS傳感器應(yīng)用提供超低噪聲、高PSRR解決方案。針對(duì)PSRR的靈活仿真電路表明結(jié)果與LT3042數(shù)據(jù)手冊(cè)有良好的一致性。在50 Hz至10 MHz范圍內(nèi),即使存在較大的1 V p-p輸入電壓噪聲,LT3042的仿真輸出紋波也小于200 μV。

wKgaomV-aOqAOv6NAAAAjgjvZ2U871.png

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原文標(biāo)題:如何使用LTspice獲得出色的EMC仿真結(jié)果

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