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半導體石墨烯光電探測器取得新進展

DT半導體 ? 來源:山大視點 ? 2023-12-13 12:33 ? 次閱讀
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山東大學集成電路學院李虎、宋愛民教授團隊在高性能半導體石墨烯光電探測器研究中取得重要進展。近日,相關研究成果以題為“High-Performance Photodetectors Based on Semiconducting Graphene Nanoribbons”發(fā)表在微電子領域知名期刊Nano Letters 。

該工作是宋愛民教授團隊今年在Nano Letters發(fā)表的第三篇高性能石墨烯微電子器件研究論文(另外兩篇見Nano Lett. 2023, 23, 8132?8139、Nano Lett. 2023, 23, 19, 9170–9177)。

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摘要:當石墨烯用作光吸收介質(zhì)時,傳感器通常只能表現(xiàn)出mA/W級別的弱光學響應度。團隊通過開解單壁碳納米管制備了具有直接帶隙為 1.8 eV 的半導體性石墨烯納米帶,并首次將其用作光吸收層與單晶硅聯(lián)合構建垂直異質(zhì)結(jié)型光電探測器。

該光電探測器的響應度高達1052 A/W,將之前報道的本征石墨烯異質(zhì)結(jié)光電探測器的響應度提高了約5個數(shù)量級,此外探測器同時具備310 μs的超快響應速度、高達3.13 × 1013Jones的比探測率和超過105%的外量子效率,均是石墨烯基光電探測器的最佳值。

有趣的是,即使在零偏壓下(自驅(qū)動),該光電探測器仍表現(xiàn)出了1.04 A/W的高響應度,表明該器件具備碳基材料中少見的自供電光電探測性能。因此該研究為未來高性能光電探測器開辟了一條新的路線。

審核編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:半導體石墨烯光電探測器取得新進展

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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