接上文提到有沒有更簡(jiǎn)便的方法可以不做那么復(fù)雜的彎針模型呢?模型建立越接近真實(shí)情況固然越準(zhǔn)確,但是耗費(fèi)時(shí)間,準(zhǔn)確和效率找到平衡才是智者所為。
打個(gè)比方,當(dāng)學(xué)習(xí)分?jǐn)?shù)達(dá)到一定的程度,每提高一點(diǎn),都必然要耗費(fèi)心力。但在這個(gè)地方耗費(fèi)心力,其實(shí)是透支未來。這也好比,一天掙100,如果要掙110,要加班3小時(shí)。那還不如省下3小時(shí)去學(xué)習(xí),綜合能力提升了自然可以找200一天的工作。
那我們就來看看是否有效率更高的方法。
2.5D仿真
SIWave或者PowerSI這類軟件可以解這個(gè)問題嗎?要找簡(jiǎn)單方法,當(dāng)然也要嘗試看看。
1.SIWave中直接下Port
求解用時(shí)8分鐘,諧振影響非常大,顯然結(jié)果不可用,方法不可取。
2.GND做Group
S21在10G以內(nèi)很接近了,10G之后震蕩加大,S11差異還是較大。PCIe Gen3以內(nèi)用此方法還勉強(qiáng)可以接受。
3.SIWave with HFSS Region
看結(jié)果有點(diǎn)出乎意料,實(shí)則情理之中。SIwave with HFSS Region并不是萬(wàn)金油。解線路中的過孔結(jié)構(gòu)沒有問題,但是這種連接器結(jié)構(gòu),Region部分導(dǎo)入HFSS后Port依然是Circuit Port。
由此可見,2.5D軟件解金手指結(jié)構(gòu)并不可取,Port的影響是主要因素。
高速SerDes互連信號(hào)中長(zhǎng)鏈路S參數(shù)提取的四種方法中也提到過SIWave with HFSS Region在幾種方法對(duì)比中表現(xiàn)是最差的,并沒有官方宣傳的那么好,希望是我使用不當(dāng)造成的,慎用!
HFSS中快速Port驗(yàn)證
①Coax Port
在SIwave中直接長(zhǎng)焊球,生成Port,快速簡(jiǎn)單,再導(dǎo)入HFSS,省去建模的繁瑣。
此種解法在35G左右有諧振,整體上比在SIwave中求解靠譜多了。計(jì)算時(shí)間1.5小時(shí)。
②直接下Lumped Port
此解法與SIwave結(jié)果類似,不可取。
③減小Lumped Port尺寸
沒有改善,因此直接Lumped Port方式可以排除。
④Wave Port
結(jié)果符合預(yù)期,比實(shí)際應(yīng)用情景略理想一點(diǎn)。
⑤非直接下Port,利用理想PEC建立Lumped Port
對(duì)比發(fā)現(xiàn),方案④⑤是最接近真實(shí)情況的。放在一起比較,④⑤的S21曲線幾乎完全一致。同時(shí)⑤的S11也是最接近真實(shí)情況的。而且⑤比④操作起來也更簡(jiǎn)單。
方案①與真實(shí)情況對(duì)比,20GHz以內(nèi)沒有問題,高頻差距較大。
總結(jié):對(duì)于PCIe Gen5金手指結(jié)構(gòu)的仿真,要想準(zhǔn)確,那就要加入連接器模型,稍微偷偷懶的方案首選⑤,其次④。繼續(xù)偷懶的話,PCIe Gen4可以選方案①。
如果還要追求速度,PCIe Gen3以內(nèi)可以使用SIwave GND Group。
剛才也強(qiáng)調(diào),是要在精度和效率上找平衡,方案⑤到底可不可取?仿真的結(jié)果說到底還是仿,仿的結(jié)果取決于人和軟件,測(cè)過才知道。
測(cè)試驗(yàn)證
取下子卡上的PCIe連接器,露出焊盤,隨機(jī)測(cè)試一組差分信號(hào)。
測(cè)試設(shè)備:迪賽康科技(深圳)有限公司桌面探針系統(tǒng)
16GHz -6.74dB損耗
使用上述⑤的Port建立方法挑選測(cè)試的這對(duì)差分信號(hào)進(jìn)行仿真
16GHz -5.65dB損耗
仿真與測(cè)試相比,趨勢(shì)是對(duì)得上的,但是還相差了1.1dB,S11也比實(shí)際測(cè)試的理想很多。
1.1dB什么概率呢,差不多在968的板材上還能走1100mil長(zhǎng)度走線,988板材還能走1400mil走線。
找找原因不難發(fā)現(xiàn),仿真的時(shí)候我們默認(rèn)阻抗都是一致性的,看上圖測(cè)試結(jié)果就會(huì)發(fā)現(xiàn)PCB板廠加工的阻抗非常差。內(nèi)層走線能從94一路滑坡到74。實(shí)際設(shè)計(jì)是這樣的。
仿測(cè)擬合
為了證實(shí)一下阻抗的影響,故意做了一組接近實(shí)測(cè)阻抗趨勢(shì)的同一對(duì)走線。
重新按照方法⑤仿真
16GHz -6.03dB損耗
16GHz損耗變差了,S11也變差了,更接近實(shí)測(cè)的結(jié)果
較真地問一下為什么還有差別?
影響阻抗的因素有很多,這里也只是仿照測(cè)試結(jié)果的趨勢(shì)隨便改變了一組參數(shù),具體板廠是怎么加工的偏差尚不知道,因此仿真與測(cè)試還有差異很正常。
這里要證明的是仿真總是理想的,結(jié)果如何測(cè)過才知道。
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