電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))在算力向更高水平發(fā)展的推動下,數(shù)據(jù)量在飛速膨脹,尤其是AI大模型、機(jī)器學(xué)習(xí)等新的數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)流量正在推動端到端以及到用戶的成倍的數(shù)據(jù)增長。
海量的數(shù)據(jù)需要迅速地流轉(zhuǎn)至各個角度,數(shù)據(jù)傳輸速率也從100GbE向400GbE,甚至800GbE的方向發(fā)展,以匹配暴增的算力和數(shù)據(jù)交互需求。線路速率的升級,相關(guān)硬件的板級復(fù)雜性大大增加,傳統(tǒng)I/O已經(jīng)無法應(yīng)對將高速信號從ASIC傳輸?shù)角懊姘鍟r各種需求。在此背景下,CPO光電共封裝受到追捧。
數(shù)據(jù)處理需求激增,CPO光電共封受關(guān)注
在傳統(tǒng)的光通信系統(tǒng)中,光學(xué)模塊和AISC(網(wǎng)絡(luò)交換芯片)是分開封裝的,光模塊以可插拔的模式插在交換機(jī)的前面板上??刹灏蔚哪J较氡囟疾荒吧瑐鹘y(tǒng)的I/O連接很多都以可插拔的模式連接在一起。
雖然目前可插拔仍舊是技術(shù)路線上的首選,但可插拔模式已經(jīng)在高數(shù)據(jù)速率下暴露出一些問題,光器件和電路板之間的連接長度、信號傳輸損耗、功耗、質(zhì)量隨著數(shù)據(jù)處理速度需求的進(jìn)一步增加都會受到制約。
為了解決傳統(tǒng)連接的制約,CPO光電共封裝開始受到關(guān)注。光電共封裝全稱Co-packaged optics,即將光模塊和AISC(網(wǎng)絡(luò)交換芯片)封裝在一起,通過短距離的電連接將它們連接起來,從而實(shí)現(xiàn)緊湊的光電一體化。
CPO光電共封裝帶來的尺寸和重量的優(yōu)勢是很明顯的,實(shí)現(xiàn)了高速光模塊的小型化和微型化。光模塊和AISC(網(wǎng)絡(luò)交換芯片)在板上更加集中,光纖長度可以大大減少,這就意味著可以降低傳輸時的損耗。
根據(jù)Ayar Labs的測試數(shù)據(jù),CPO光電共封裝甚至能夠相較于可插拔的光模塊直接把功耗降低一半。根據(jù)博通的測算,在400G可插拔光模塊上,CPO的方案在功耗上能節(jié)約50%左右,1600G可插拔光模塊相比,CPO方案能節(jié)約的功耗將更多。
更集中的布局也使得互連密度大幅提升,電信號的延遲和失真都會有所好轉(zhuǎn),傳輸速度的制約也不再像傳統(tǒng)可插拔模式。
還有一點(diǎn)則是成本,今天的人工智能、服務(wù)器和交換機(jī)系統(tǒng)要求極高的密度和速度,電流需求迅速增加,在不使用CPO共封裝的情況下,需要大量的高端連接器將光模塊連接起來,這是很大的成本。CPO共封裝可以減少的連接器也是降低BOM中的很大一部分。
CPO光電共封裝是實(shí)現(xiàn)高速率高帶寬低功耗網(wǎng)絡(luò)的必經(jīng)之路,這種將硅光電元件和電子組件封裝在一起的技術(shù),使得光模塊盡可能地靠近網(wǎng)絡(luò)交換芯片減少了通道損耗和阻抗不連續(xù)問題,大大提高了互連密度為未來更高速率數(shù)據(jù)連接提供了技術(shù)支持。
CPO光電共封裝技術(shù)演化與進(jìn)展
光電共封裝其實(shí)并不是一個全新的技術(shù),其發(fā)展可以追溯至上世紀(jì)60年代,不過此時的光電共封裝還只是簡單地將光電子器件封裝在一起。到90年代,隨著光通信模塊產(chǎn)業(yè)起量,光電共封裝開始嶄露頭角。隨著今年高算力高帶寬需求的井噴,和其相關(guān)的分支技術(shù)光電共封裝也再次受到大量關(guān)注。
CPO光電共封裝在技術(shù)發(fā)展中,每一階段也有著不同的形式,對應(yīng)20/50Tb/s需求的2.5D CPO,到對應(yīng)50/100Tb/s需求的2.5D Chiplet CPO,最后實(shí)現(xiàn)對應(yīng)100Tb/s速率以上的3D CPO。
2.5D CPO將光模塊與網(wǎng)絡(luò)交換芯片封裝在同一個基板上,縮短線距,增加I/O 密度,3D CPO則直接光學(xué)IC直接連接到中介層上,實(shí)現(xiàn)小于50um pitch的I/O間距的互連。其演進(jìn)目標(biāo)非常明確,就是要盡可能地將光電轉(zhuǎn)換模塊與網(wǎng)絡(luò)交換芯片之間的距離縮小。
目前CPO還處于起步階段,還存在良率過低、維護(hù)成本高等問題,市面上能完整提供CPO相關(guān)產(chǎn)品的廠商很少。市面上推出完整專有方案的也只有博通、Marvell、英特爾以及少數(shù)其他一些參與者。
Marvell去年就推出了一款采用VIA-LAST工藝的2.5D CPO技術(shù)的交換機(jī),在硅光芯片加工完成后,借助OSAT的加工能力加工出TSV, 進(jìn)而將電芯片flip-chip到硅光芯片上,將16個光模塊和交換芯片Marvell Teralynx7在PCB上互連形成交換機(jī),可達(dá)到12.8Tbps 的交換速率。
今年的OFC上,博通和Marvell也都展示了各家最新一代采用光電共封裝技術(shù)的51.2Tbps交換機(jī)芯片。
從博通的最新一代CPO技術(shù)細(xì)節(jié)來看,CPO 3D封裝通過工藝的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了更高的I/O密度,將CPO的功耗做到了5.5W/800G,能效比很高性能非常優(yōu)秀。同時博通也在向單波200Gbps、102.4T的CPO突破。
思科也加大了對CPO技術(shù)的投入,在今年OFC中做了CPO產(chǎn)品的演示,演示中展示其CPO技術(shù)積累,在集成度更高的多路復(fù)用器/解復(fù)用器上的應(yīng)用。思科表示將在51.2Tb交換機(jī)中進(jìn)行CPO的試驗(yàn)性部署,然后在102.4Tb交換機(jī)周期內(nèi)進(jìn)行大規(guī)模應(yīng)用。
英特爾很早就推出了基于CPO的交換機(jī),最近幾年英特爾也在持續(xù)Ayar Labs合作探索共封裝更高的帶寬信號互連方案,為光電共封裝和光互連器件的量產(chǎn)鋪平道路。
雖然目前可插拔模塊仍然是首選,但是CPO能帶來的整體能效的提升已經(jīng)吸引了越來越多廠商。根據(jù)光通訊調(diào)研機(jī)構(gòu)LightCounting預(yù)測,CPO出貨量將從800G和1.6T端口開始出現(xiàn)明顯增長,2024至2025年逐步開始商用,2026至2027年形成規(guī)模上量。同時CIR預(yù)計(jì),2027年光電共封裝的市場收入將達(dá)到54 億美元。
這一預(yù)期與臺積電對于CPO市場的判斷差不多,今年早些時候,臺積電宣布將攜手博通、英偉達(dá)等大客戶共同開發(fā)硅光子技術(shù)、共同封裝光學(xué)元件CPO等新產(chǎn)品,制程技術(shù)從45nm延伸到7nm,并表示最快明年下半年開始迎來大單,2025年左右達(dá)到放量階段。
國內(nèi)廠商也在緊鑼密鼓推進(jìn)CPO技術(shù)應(yīng)用,光迅、劍橋科技、博創(chuàng)科技、中際旭創(chuàng)等都有相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品的布局。
寫在最后
作為涉及光子器件、集成電路、封裝、建模仿真等方方面面的跨學(xué)科技術(shù)領(lǐng)域,CPO技術(shù)體現(xiàn)了光電融合帶來的改變,而且給數(shù)據(jù)傳輸帶來改變無疑是顛覆性的。雖然很長一點(diǎn)時間可能只有大型數(shù)據(jù)中心才能看到CPO的應(yīng)用,但隨著大算力高帶寬需求的進(jìn)一步擴(kuò)張,CPO光電共封技術(shù)已經(jīng)成為新戰(zhàn)場。
可以看到在CPO耕耘的廠商普遍認(rèn)為2025年會是一個關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),這也是交換速率達(dá)到102.4Tbps的節(jié)點(diǎn),到時可插拔模塊的弊端將進(jìn)一步放大。雖然CPO應(yīng)用可能到來的會有些緩慢,但是光電共封裝毫無疑問實(shí)現(xiàn)高速率高帶寬低功耗網(wǎng)絡(luò)的必經(jīng)之路。
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