國(guó)星光電成功點(diǎn)亮Micro LED新品nStar Ⅲ

國(guó)星光電前瞻布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，牽頭承擔(dān)的Micro LED全彩顯示屏研發(fā)項(xiàng)目分別獲批國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃等科研項(xiàng)目?；谧灾鞔罱ǖ腗icro LED創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái)，國(guó)星光電全力推進(jìn)Micro LED新型顯示項(xiàng)目開發(fā)，按下關(guān)鍵技術(shù)攻堅(jiān)進(jìn)程的“加速鍵”。

近日，國(guó)星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項(xiàng)目迎來關(guān)鍵里程碑式進(jìn)展，成功點(diǎn)亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ，該屏采用LTPS-TFT玻璃基驅(qū)動(dòng)背板，像素間距縮小到0.078mm，分辨率360*480，采用全倒裝無襯底LED像素發(fā)光單元，可實(shí)現(xiàn)屏幕峰值亮度＞1500nits，強(qiáng)光照射下仍可保持高清顯示畫面，相關(guān)技術(shù)成果未來有望在Micro LED手表等智能穿戴產(chǎn)品領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

國(guó)星光電 nStar Ⅲ技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

▌高精度轉(zhuǎn)移

采用國(guó)星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)路線，實(shí)現(xiàn)＞50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉(zhuǎn)移良率＞99.9%。此外，國(guó)星Micro LED研發(fā)平臺(tái)未來還可支持12寸以內(nèi)基板上芯片多次拼接鍵合。

▌高集成封裝

采用國(guó)星光電自主研發(fā)的Micro LED玻璃基封裝專利技術(shù)，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。

至此，國(guó)星光電已實(shí)現(xiàn)像素間距從P0.X至P0.0X等多樣化場(chǎng)景應(yīng)用的“未來國(guó)星屏”矩陣。接下來，公司將繼續(xù)深耕Micro LED微顯示賽道，開發(fā)硅基AR顯示技術(shù)，打造更全面、更多元化的Micro LED應(yīng)用領(lǐng)域布局，同時(shí)建立產(chǎn)品、技術(shù)及解決方案多元化平臺(tái)體系，期待與客戶聯(lián)合創(chuàng)新，推進(jìn)新產(chǎn)品、新技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用，合力構(gòu)筑更美好的未來視界。

審核編輯：劉清