高通3nm訂單改由臺(tái)積電獨(dú)家代工

根據(jù)業(yè)界消息，三星推出的3納米GAA制程技術(shù)已經(jīng)有一年多的時(shí)間了，但晶圓良率仍然不理想。因此，高通決定在下一代處理器Snapdragon 8 Gen4中取消與三星的雙代工策略，改由臺(tái)積電獨(dú)家代工。預(yù)計(jì)高通、英偉達(dá)等客戶將爭(zhēng)相采用這一制程，而臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年下半年的3納米家族（包括N3E）月產(chǎn)能有望達(dá)到10萬(wàn)片。

三星去年6月底開始量產(chǎn)第一代3納米GAA（SF3E）制程，這是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù)。第二代3納米制程3GAP（SF3）將采用第二代MBCFET架構(gòu)，在第一代3納米SF3E的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，預(yù)計(jì)將于2024年開始量產(chǎn)。

據(jù)爆料人Revegnus透露，高通的Snapdragon 8 Gen 4處理器將采用臺(tái)積電的3納米（N3E）制程，并供應(yīng)給三星的Galaxy系列智能手機(jī)使用。另外，由于臺(tái)積電的3納米產(chǎn)能受到限制，高通不得不轉(zhuǎn)而尋找三星代工芯片。

因此，高通原本計(jì)劃在2024年同時(shí)將訂單交給臺(tái)積電和三星，成為3GAP制程的首個(gè)客戶。然而，考慮到三星明年3納米產(chǎn)能計(jì)劃相對(duì)保守，以及晶圓良率不穩(wěn)定的情況，高通決定取消計(jì)劃，并將雙代工策略推遲至2025年再考慮。

目前，臺(tái)積電的3納米制程技術(shù)產(chǎn)能已經(jīng)開始提升，預(yù)計(jì)到2024年底，月產(chǎn)能將達(dá)到十萬(wàn)片的規(guī)模，營(yíng)收占比也將從目前的5%上升至10%。

由于3納米制程需求旺盛，被視為繼5納米制程之后的新一代先進(jìn)制程，臺(tái)積電為了應(yīng)對(duì)持續(xù)涌入的客戶訂單，在去年底宣布擴(kuò)大3納米制程的產(chǎn)能。預(yù)計(jì)新的產(chǎn)能將在明年開始量產(chǎn)，為臺(tái)積電的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)提供動(dòng)力。

審核編輯：黃飛