低功耗設(shè)計(jì)單元匯總

為實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)，會(huì)采用多電源域、多電壓域、動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)等策略，需要使用到電壓控制單元，包括：isolation、level shifter、power switch、always-on、retention等，下面介紹學(xué)習(xí)的一些低功耗單元概念、lib格式和pg_type的三種類型。

低功耗單元匯總

isolation cells

隔離單元，用于在電源關(guān)斷之后，保持輸出為定值。用在shut-off電壓域的輸出?？梢苑乐共欢☉B(tài)信號(hào)值傳播引起下級(jí)邏輯錯(cuò)誤，和當(dāng)電壓在0.5 VDD附近時(shí)造成的短路功耗。

按照放置的位置可以分為sink-side和source-side。其中sink-side指的是放在always-on電壓域的單元，里面只有一個(gè)供電電源，即always-on的電源。source-side指的是放在可關(guān)斷電壓域的單元，里面有兩個(gè)供電電源，shutoff電源和always-on電源。

按照結(jié)構(gòu)可以分為AND-type、OR-type和Latch-type類型的單元。

因此組合可以分文sink-side AND-type isolation cell、sink-side OR-type isolation cell、sink-side latch-type isolation cell、source-side AND-type isolation cell with global power、source-side OR-type isolation cell with global power、source-side latch-type isolation cellwith global power等。

level shifter cells

電壓轉(zhuǎn)換單元，用于將信號(hào)從一個(gè)電壓域轉(zhuǎn)移到另一個(gè)電壓域。一般用于低電壓域到高電壓域的轉(zhuǎn)換：因?yàn)榧偃绲碗妷河蜉敵?，那么能夠正?？刂聘唠妷河虻腘MOS關(guān)閉和PMOS開啟，如果低電壓域輸出1，因?yàn)殡妷狠^低，一般來說能夠控制高電壓域NMOS開啟，但是不能控制PMOS關(guān)閉，造成短路。

power switch cells

電源開關(guān)，能夠打開/關(guān)閉電壓域的供電電源，分為header（通過PMOS控制VDD開關(guān)）和footer（利用NMOS控制VSS開關(guān)，該庫(kù)沒有這一類型）。

學(xué)習(xí)了4種類型的HEADER結(jié)構(gòu)的power switch cells。包括：

HEADER： switch connects the local power with global power，最基礎(chǔ)版，只有一個(gè)輸入使能。

HEADERBUF：switch with always-on buffer that connects the local power with global power，高級(jí)點(diǎn)的，有輸入使能和輸出。

HEADERBUFTIE:：switch with always-on buffer that connects the local power with global power, the n-well and p-well are tied to VDDG and VSS respectively，在HEADERBUF基礎(chǔ)上給nwell和pwell加了偏置。

HEADERTIE:，switch that connects the local power with global power, the n-well and p-well are tied to VDDG and VSS respectively，在HEADER基礎(chǔ)上加了nwell和pwell偏置。

always-on cells

該電源供電來源于不會(huì)被關(guān)斷的電源域，但是可以被擺放到shut-off電源域，用于驅(qū)動(dòng)always-on net。其結(jié)構(gòu)是shutoff的VDD和VSS在基本單元版圖中為feedthrough形式，僅用于連接power rail保證不斷路，真正的供電電源為VDDG（backup power）。

類型：

TIEHI、TIELO、二輸入與或門、反相器、延時(shí)單元、BUF等。

Retention cells

能夠在電源關(guān)斷的情況下保持狀態(tài)。是時(shí)序邏輯，有兩種類型：flip-flop和latch。

沒找到retention cell的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。

特殊單元

FILLDCAP：為了防止大量標(biāo)準(zhǔn)單元翻轉(zhuǎn)造成的voltagedrop問題。其原理是電容公式為C=εS/4πkd，通過下面的版圖，增大了S，降低了d，因此提升了VDD和VSS之間的電容，能夠維持電源穩(wěn)定。

此外還有為nwell和pwell提供偏置電壓的特殊單元。

LIB舉例：

sink-side isolation：

cell(A2BISO) {

cell_footprint : A2BISO ;

dont_touch : true ;

dont_use : true ;

is_isolation_cell : true ;

sec_class : combinational ;

sec_cell_type : clamp ;

valid_location : to ;

leakage_power

...

pg_pin(VDD) {

voltage_name : VDD ;

pg_type :primary_power;

related_bias_pin : "TW" ;

}

...

pin(Y) {

direction : output ;

function : "(A&!ENB)" ;

related_ground_pin : VSS ;

related_power_pin : VDD ;

power_down_function : "!VDD+VSS" ;

sec_pin_type : data ;

internal_power

timing

...

}

...

sec_pdt_pin(VDD) {

sec_pdt_pin_type : power ;

}

...

}

source-side isolation：

cell(GPA2BISO) {

cell_footprint : GPA2BISO ;

dont_touch : true ;

dont_use : true ;

is_isolation_cell : true ;

sec_class : combinational ;

sec_cell_type : clamp ;

valid_location : from ;

leakage_power()

...

pg_pin(VDD) {

voltage_name : VDD ;

pg_type :primary_power;

related_bias_pin : "TW" ;

}

pg_pin(VDDG) {

voltage_name : VDDG ;

pg_type :backup_power;

}

...

pin(A) {

direction : input ;

related_ground_pin : VSS ;

related_power_pin : VDD ;

isolation_cell_data_pin : true ;

internal_power

...

}

}

pin(ENB) {

direction : input ;

input_voltage :alwaysonpower;

related_ground_pin : VSS ;

related_power_pin : VDDG ;

isolation_cell_enable_pin : true ;

sec_pin_type : enable_low ;

always_on : true ;

internal_power

...

}

}

pin(Y) {

direction : output ;

function : "(A&!ENB)" ;

output_voltage :alwaysonpower;

related_ground_pin : VSS ;

related_power_pin : VDDG ;

power_down_function : "!VDD+!VDDG+!TW+VSS+VPW+SX" ;

always_on : true ;

internal_power

...

timing

...

}

sec_pdt_pin(VDD) {

sec_pdt_pin_type : power ;

}

...

}

Power Switch:

cell(HEAD) {

cell_footprint : HEADL ;

dont_touch : true ;

dont_use : true ;

switch_cell_type :coarse_grain;

sec_cell_type : complex ;

user_function_class : HEAD ;

leakage_power

...

dc_current(ivt125x25) {

related_switch_pin : SLEEP ;

related_pg_pin : VDDG ;

related_internal_pg_pin : VDD ;

}

pg_pin(VDD) {

voltage_name : VDD ;

pg_type :internal_power;（power switch的內(nèi)部輸出電源）

direction : output ;

switch_function : "SLEEP" ;

pg_function : "VDDG" ;

}

pg_pin(VDDG) {

voltage_name : VDDG ;

pg_type :primary_power;（power switch使用的電源）

}

...

pin(SLEEP) {

direction : input ;

input_voltage : header ;

related_ground_pin : VSS ;

related_power_pin : VDDG ;

switch_pin : true ;

always_on : true ;

...

}

sec_pdt_pin(VDD)

...

}

pg_type的3種類型

primary_power/ground：

主電源/地，一般功能信號(hào)使用的電源/地，可關(guān)斷

backup_power/ground：

備用電源/地，always-on的電源/地

internal_power/ground：

內(nèi)部電源/地，主要用于power switch的電源/地

審核編輯：黃飛