STM32H503 供電

VDDA = 1.62 V ~3.6 V ：ADC/DAC的外部供電電源
VDDIO2 = 1.08 V ~ 3.6 V : 9 I/Os (PA8, PA9, PA15, PB3:8)的外部供電電源（僅WLCSP25封裝）
VDD = 1.71 V ~ 3.6 V: GPIO，內(nèi)部電壓調(diào)制器，系統(tǒng)復(fù)位模塊，電源管理以及內(nèi)部時(shí)鐘的外部供電電源
VBAT = 1.2 V ~ 3.6 V :無VDD時(shí)通過功率切換開關(guān)給RTC/內(nèi)部32kHz振蕩器(LSI)/備份域寄存器/可選的備份SRAM供電.
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樣品申請

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STM32H562/563/573 LDO 供電

VDDA = 1.62 V (ADCs, DACs) / 2.1 V (VREFBUF) ~ 3.6 V
VDDIO2 = 1.08 V ~ 3.6 V : 10 I/Os (PD6, PD7, PG9:14, PB8, PB9)的外部供電電源
VDD = 1.71 V ~ 3.6 V
VBAT = 1.2 V ~ 3.6 V
VDDUSB = 3.0 V ~ 3.6 V
VDDUSB USB獨(dú)立供電電源.
VDDUSB與VDD獨(dú)立，電平可以不同，在USB不使用的情況下必須將VDDUSB連接到VDD。

STM32H562/563/573 SMPS供電

VDDA = 1.62 V (ADCs, DACs) / 2.1 V (VREFBUF) ~ 3.6 V
VDDUSB = 3.0 V ~ 3.6 V
VDDIO2 = 1.08 V ~ 3.6 V : 10 I/Os (PD6, PD7, PG9:14, PB8, PB9)的外部供電電源
VDD = 1.71 V ~ 3.6 V
VBAT = 1.2 V ~ 3.6 V
VDDSMPS = 1.71 V ~ 3.6 V
VLXSMPS 為SMPS的輸出管腳，濾波后連接到VCAP.

LDO/SMPS 供電

旁路供電模式下，Vcap必須在VDD達(dá)到POR電壓值之前上升到1.1V以上，將LDO 禁止后，才可根據(jù)應(yīng)用需要調(diào)整外部Vcap的電壓。

PWR 特性

下圖為STM32H5的128K與2M的mcu進(jìn)行的供電對比圖。

電源電壓監(jiān)測

由于有許多外部供電管腳，任何一個(gè)供電出現(xiàn)問題都可能導(dǎo)致MCU無法正常工作。因此，在H5中為了確保MCU的正常運(yùn)行，系統(tǒng)中添加了多種電源電壓監(jiān)測功能，具體如下。

溫度監(jiān)測

溫度傳感功能使用片上專門的溫度傳感器，用于檢測芯片的溫度變化。該功能可以通過片上寄存器進(jìn)行使能。一旦使能后，當(dāng)溫度高于126°C或低于-37°C時(shí)，對應(yīng)的標(biāo)志位將被置位，同時(shí)可能觸發(fā)入侵事件或喚醒中斷。當(dāng)溫度回歸到正常范圍內(nèi)時(shí)，標(biāo)志位將被正常清零。

低功耗模式

? STM32H5系列MCU包含3種低功耗模式 :
? SLEEP 模式
? STOP 模式
? STANDBY 模式

? VBAT 模式:
當(dāng)VDD掉電，但VBAT供電的情況下，硬件自動(dòng)啟動(dòng)

低功耗模式-SLEEP 模式

? CPU 時(shí)鐘停止, 所有外設(shè)和CortexM33內(nèi)核包括NVIC、SysTick可以運(yùn)行，并在事件和中斷發(fā)生時(shí)喚醒CPU
? 喚醒源: 任意中斷或是喚醒事件
? 喚醒系統(tǒng)時(shí)鐘 : 與進(jìn)入Sleep模式之前相同
? 電壓調(diào)整器范圍 : VOS3, VOS2, VOS1 or VOS0

低功耗模式-STOP 模式

? 內(nèi)核域的所有時(shí)鐘停止，PLL, HSE, HSI (除非HSIKERON置位), HSI48 和CSI(除非CSIKERON置位) 都禁止
? RTC可保持工作 (Stop模式下可選擇RTC是否工作)
? 退出Stop模式后，系統(tǒng)時(shí)鐘為HSI或是CSI，取決于軟件配置
? 喚醒源: 任何EXTI線（通過EXTI寄存器配置）指定的外設(shè)事件
? 喚醒時(shí)鐘 : RCC_CFGR中STOPWUCK = 1 時(shí)，喚醒后時(shí)鐘為CSI； STOPWUCK = 0 時(shí)，喚醒時(shí)鐘為HSI，頻率與進(jìn)入Stop模式時(shí)相同， 最高可達(dá)64Mhz
低功耗模式-STOP 模式
? LSE或LSI保持工作
? 電壓調(diào)整器范圍 : SVOS3, SVOS4, or SVOS5

低功耗模式-STANDBY模式

? 電壓調(diào)整器關(guān)閉，內(nèi)核域完全掉電
? PLL, HSI, HSI48, CSI，HSE全部關(guān)閉
? SRAMs和寄存器的內(nèi)容丟失，除了備份域的寄存器與SRAM以及Standby電路
? RTC可保持工作(Standby模式下可選擇RTC是否工作)
? BOR在Standby模式下保持工作
? I/O 狀態(tài)在Standby模式可保持
? 喚醒源: 喚醒管腳WKUPx邊沿信號，RTC事件， 外部NRST管腳復(fù)位，獨(dú)立看門狗復(fù)位（IWDG），BOR
? 喚醒時(shí)鐘: HSI clock at 32 MHz
? 電壓調(diào)整器: OFF

低功耗模式監(jiān)控管腳

(1) PWR_CSLEEP AF 映射到PC3
(2) PWR_CSTOP AF 映射到PC2
(3) CSLEEP和CSTOP信號由Vcore域產(chǎn)生，因此在Standby模式下該信號無法獲取

VBAT模式

? 備份域包含:

• RTC（由LSE(32.768kHz)提供時(shí)鐘）
• 入侵檢測管腳
• 備份域寄存器
• RCC_BDCR 寄存器
• 備份SRAM(若備份電壓調(diào)整器使能)

? VDD掉電與上電，內(nèi)部開關(guān)在VDD與VBAT之間自動(dòng)切換

• 切換到VBAT供電模式由復(fù)位模塊中的掉電復(fù)位控制

? 內(nèi)部連接到ADC，用于電壓檢測(VBAT/4)

? VBAT 電池充電

• 若VDD正常, 可以通過內(nèi)部電阻對VBAT管腳上的外部電池充電
• 設(shè)置PWR_BDCR寄存器中的VBE bit使能充電功能
• VBAT模式下，充電功能默認(rèn)禁止

復(fù)位觸發(fā)源

時(shí)鐘源

時(shí)鐘樹(簡化)

時(shí)鐘輸出 Clock-out

HSI & CSI

? HSI為系統(tǒng)復(fù)位啟動(dòng)后的默認(rèn)時(shí)鐘，默認(rèn)配置為32 MHz.
? CSI@4MHz 和 HSI@64MHz, 出廠/用戶校準(zhǔn)
? 通過STOPWUCK位，CSI or HSI可被選用為：

• STOP模式喚醒后時(shí)鐘
• CSS(Clock Security System )備份時(shí)鐘

? 退出STOP模式后可自動(dòng)啟動(dòng)

• 通過STOPWUCK 配置CSI 或 HSI啟動(dòng)

? STOP模式下可保持工作，實(shí)現(xiàn)快速喚醒 (設(shè)置CSIKERON/HSIKERON)
? 在STOP模式下，一些外設(shè)當(dāng)其需要時(shí)鐘去檢測喚醒事件時(shí)，可使能CSI或HSI
注: 退出STANDBY模式后，HSI為32Mhz

外設(shè)內(nèi)核時(shí)鐘請求

? 具有內(nèi)核時(shí)鐘請求能力的外設(shè)：
? I3C
? I2C
? USART
? LPUART
? 收到請求后, RCC使能內(nèi)核時(shí)鐘 (for example CSI or HSI)

Clock Security System (CSS)

? HSE的CSS

• 僅RUN/SLEEP模式可用
• 如果時(shí)鐘失效被檢測到
  1.系統(tǒng)時(shí)鐘根據(jù)用戶配置切換到HSI或是CSI
  2.觸發(fā)NMI
  3.觸發(fā)Tamper
  4.事件關(guān)聯(lián)到高級定時(shí)的Break輸入

? LSE的CSS

• VBAT模式可用
• 檢測時(shí)鐘丟失或是頻率異常，需要軟件進(jìn)行RTC時(shí)鐘切換(LSI/HSE)
• CSS檢測信號連接到 tamper3
• 使用的中斷為TAMP中斷

注意: 如果LSE CSS被觸發(fā): 受Tamper保護(hù)的區(qū)域(包括SRAM2) 無法訪問，直到Tamper標(biāo)志被軟件清零

審核編輯：湯梓紅