2023年11月28日,瞻芯電子在北京舉辦的“芯向亦莊”汽車芯片大賽中脫穎而出,憑借其車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn),榮獲“汽車芯片50強(qiáng)”獎項(xiàng),展現(xiàn)了瞻芯電子在汽車芯片領(lǐng)域的技術(shù)水平和發(fā)展?jié)摿Α?/p>
芯向亦莊2023汽車芯片大賽頒獎盛典
大賽概況
“芯向亦莊”汽車芯片大賽,由北京市科學(xué)技術(shù)委員會和北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo),由北京經(jīng)開區(qū)管委會主辦,蓋世汽車承辦,國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持,旨在加快成熟汽車芯片的應(yīng)用,推動汽車和芯片產(chǎn)業(yè)跨界融合,評選出優(yōu)秀的創(chuàng)新科技企業(yè)和行業(yè)領(lǐng)軍人物。
該大賽收到數(shù)十萬業(yè)內(nèi)人士關(guān)注和票選,并由業(yè)界專家評選獲獎名單。
小米汽車電子架構(gòu)負(fù)責(zé)人,張淳 先生現(xiàn)場頒獎
參選產(chǎn)品
瞻芯電子參選的是車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET系列產(chǎn)品,電壓平臺覆蓋了650V、750V、1200V和1700V,導(dǎo)通電阻覆蓋14~50000毫歐,并具備多種插件和貼片封裝,其中眾多產(chǎn)品通過了完整的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)。
值得一提的是,第二代碳化硅(SiC)MOSFET的驅(qū)動電壓(Vgs)為15V~18V,具有更好的設(shè)計(jì)兼容性,而且對比第一代產(chǎn)品,其比導(dǎo)通電阻降低約25%,顯著降低了開關(guān)損耗,能進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率。
該系列產(chǎn)品在短路測試和浪涌測試中,也展現(xiàn)出良好的可靠性和魯棒性。
瞻芯電子第二代1200V 17mΩ SiC MOSFET晶圓
未來展望
未來,瞻芯電子將繼續(xù)推進(jìn)與汽車電子客戶的深度合作,力爭共同定義下一代汽車芯片產(chǎn)品,為新能源汽車行業(yè)發(fā)展和芯片技術(shù)的進(jìn)步做出貢獻(xiàn)。同時(shí),瞻芯電子將依托自建的車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓工廠,加快產(chǎn)品和技術(shù)的迭代開發(fā),為客戶提供充足可靠的產(chǎn)能保障。
審核編輯 黃宇
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