與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點？

實例1 、pn結(jié)正向壓降為何是負的溫度系數(shù)呢？

回答 ：pn結(jié)的正向壓降Vbi公式如下：

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負的溫度系數(shù)。

實例2 、SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢？

回答 ：pn結(jié)的正向壓降Vbi公式如下：

其中本征載流子濃度ni公式如下：

SiC材料的禁帶寬度Eg大（SiC：3.26eV，Si：1.12eV），因此ni遠小于Si（SiC：5E-9/cm3，Si：9.65E9/cm3），導(dǎo)致Vbi大。

小江進行了簡單的計算，對比曲線如下：

可知SiC PN結(jié)Vbi約3.0V（藍線），遠大于Si的約0.7V（紅線）。

實例3 、與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點？

回答 ：原因為MOS導(dǎo)通電壓由溝道、漂移區(qū)等組成（溫度系數(shù)為正，主要原因為隨溫度升高遷移率減?。瑹o交點。而IGBT導(dǎo)通電壓由溝道、漂移區(qū)等其他部分（溫度系數(shù)為正）和PN結(jié)電壓（溫度系數(shù)為負）組成，于是出現(xiàn)交點。