0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

車規(guī)氮化鎵功率模塊

jf_94163784 ? 來源:jf_94163784 ? 作者:jf_94163784 ? 2023-11-28 08:31 ? 次閱讀

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH 建立合作關(guān)系,攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系,此次進一步合作的目標(biāo)是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。

隨著客運車輛日益電氣化,市場對功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高,需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合,可以滿足對更高效率、更高功率密度和更低系統(tǒng)成本的要求。

GaN 功率器件在電氣化應(yīng)用中不僅可以提供出色性能,還能滿足市場對主流技術(shù)的可靠性、耐用性和可制造性的期望,可服務(wù)于多個市場細(xì)分領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。Nexperia(安世半導(dǎo)體)采用成熟的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù),在自有工廠量產(chǎn) GaN 器件,經(jīng)過驗證能夠滿足 AEC-Q101 器件認(rèn)證的嚴(yán)苛可靠性要求。

KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH 傳感與控制部門副總裁 Thomas Rinschede 表示:

我們非常高興最終將我們成功的長期關(guān)系轉(zhuǎn)變?yōu)檎嬲暮献骰锇殛P(guān)系,進一步加強 KYOCERA AVX 的戰(zhàn)略,提供高質(zhì)量的車規(guī)模塊。Nexperia 是一個值得信賴的伙伴,他們提供高性能 GaN,在汽車器件生產(chǎn)領(lǐng)域擁有極高的市場信譽。

Nexperia 副總裁兼 GaN 總經(jīng)理 Carlos Castro 評論道:

GaN 器件為 EV 應(yīng)用帶來了許多益處,包括增加功率密度、提高效率和降低整體系統(tǒng)成本等。然而,為了更充分地發(fā)揮 GaN 器件的優(yōu)點,尤其是在高功率系統(tǒng)中,優(yōu)化的封裝技術(shù)必不可少。Nexperia 充分認(rèn)可 KYOCERA AVX 在汽車行業(yè)的先進技術(shù)產(chǎn)品和領(lǐng)先地位,并堅信雙方在車規(guī) GaN 功率模塊開發(fā)方面的攜手合作,能夠向我們的客戶提供出色的EV功率系統(tǒng)解決方案。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1774

    瀏覽量

    90501
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1639

    瀏覽量

    116437
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    德州儀器氮化功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大幅提升

    近日,美國芯片大廠德州儀器(TI)宣布了一項重要進展。其位于日本會津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化(GaN)的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:57 ?508次閱讀

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測試

    氮化(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化功率芯片在
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?438次閱讀
    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的耐高壓測試

    氮化和砷化哪個先進

    景和技術(shù)需求。 氮化(GaN)的優(yōu)勢 高頻與高效率 :氮化具有高電子遷移率和低電阻率,使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如,在5G通
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?2818次閱讀

    功率U872XAH系列氮化快充芯片

    功率U872XAH系列氮化快充芯片YINLIANBAOU872XAH1恒功率U872XAH系列氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-26 08:11 ?465次閱讀
    恒<b class='flag-5'>功率</b>U872XAH系列<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充芯片

    氮化(GaN)的最新技術(shù)進展

    本文要點氮化是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:13 ?938次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)的最新技術(shù)進展

    納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

    加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast
    的頭像 發(fā)表于 06-21 14:45 ?1534次閱讀

    未來TOLL&amp;TOLT封裝氮化功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺

    珠海未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化功率器件高新技術(shù)企業(yè),致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化
    的頭像 發(fā)表于 04-10 18:08 ?1419次閱讀
    <b class='flag-5'>鎵</b>未來TOLL&amp;TOLT封裝<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺

    氮化是什么充電器類型

    氮化不是充電器類型,而是一種化合物。 氮化(GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來,氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:20 ?981次閱讀

    氮化是什么結(jié)構(gòu)的材料

    氮化(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu):
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:18 ?3540次閱讀

    氮化芯片和硅芯片區(qū)別

    氮化作為材料,而硅芯片則采用硅作為材料。氮化具有優(yōu)秀的物理特性,包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等,這些特性使得
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:08 ?2175次閱讀

    氮化是什么晶體類型

    氮化是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里,氮化作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:03 ?4003次閱讀

    相同功率氮化充電器和普通充電器區(qū)別

    相同功率氮化充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化充電器是一種新興的充電器技術(shù),其采用了
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:01 ?2219次閱讀

    氮化mos管型號有哪些

    氮化(GaN)MOS管,是一種基于氮化材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:32 ?2330次閱讀

    氮化mos管驅(qū)動方法

    氮化(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點,逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:29 ?2923次閱讀

    氮化芯片的應(yīng)用及比較分析

    隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分,氮化芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳細(xì)介紹氮化芯片的基本原理及其應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:25 ?1970次閱讀