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鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池的研究進(jìn)展

DT半導(dǎo)體 ? 來源:DT半導(dǎo)體 ? 2023-11-24 14:32 ? 次閱讀

鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池,以其具有超過單結(jié)電池Shockley-Queisser理論極限的超高效率和成本優(yōu)勢,近年來成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。通過近10年的努力,鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率已從最初的13.7%提升至目前的33.7%。然而,疊層器件效率的進(jìn)一步提升需要對鈣鈦礦頂電池、中間復(fù)合層以及晶硅底電池進(jìn)行更高效的優(yōu)化設(shè)計(jì)。目前,鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池通常采用透明導(dǎo)電金屬氧化物薄膜(ITO)作為中間復(fù)合層,然而ITO在制備過程中存在濺射損傷等問題。因此,開發(fā)高效的中間復(fù)合層對提升鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池的效率和加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程至關(guān)重要。

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所硅基太陽能及寬禁帶半導(dǎo)體科研團(tuán)隊(duì)在葉繼春研究員的帶領(lǐng)下,在前期晶硅、鈣鈦礦和疊層電池研究的基礎(chǔ)上,近期在鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池的中間層設(shè)計(jì)和制備方面取得了重要進(jìn)展。

在這項(xiàng)研究中,團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地將具有隧穿特性的p型多晶硅/n型多晶硅結(jié)構(gòu)引入到疊層電池,用以取代傳統(tǒng)ITO中間層,成功制備出效率高達(dá)29.22%的鈣鈦礦/TOPCon疊層電池,并且這種疊層器件表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性(如圖1)。相較于傳統(tǒng)的ITO中間復(fù)合層,這種新型隧穿復(fù)合層具有以下優(yōu)勢:1)通過有效抑制p型多晶硅中硼和/n型多晶硅中磷摻雜劑的相互擴(kuò)散和補(bǔ)償,新型隧穿結(jié)的TOPCon結(jié)構(gòu)展示出優(yōu)異的鈍化和接觸性能(如圖2)。此外,這種新型隧穿結(jié)的TOPCon電池與傳統(tǒng)TOPCon電池相比,其開路電壓提升了8 mV,這表明增加一層p型多晶硅可以保持TOPCon電池的高性能。2)對于鈣鈦礦頂電池,通過第一性原理計(jì)算、紅外和XPS等測試證實(shí)鈣鈦礦頂電池的MeO-2PACz空穴傳輸層更容易吸附在p型多晶硅上(如圖3),從而有助于對頂電池載流子的提取。3)通過UPS等測試證實(shí)p型多晶硅具有比傳統(tǒng)ITO更高的功函數(shù),可以進(jìn)一步增強(qiáng)載流子傳輸和提取能力(如圖4)。

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圖1 隧穿復(fù)合結(jié)微觀形貌及疊層器件性能

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圖2 隧穿復(fù)合結(jié)內(nèi)擴(kuò)散分布、能帶圖及鈍化接觸性能

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圖3 MeO-2PACz吸附增強(qiáng)的理論和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

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圖4 隧穿復(fù)合層增強(qiáng)鈣鈦礦頂電池載流子傳輸和提取能力的測試結(jié)果

此外,通過詳細(xì)的有限元仿真,研究人員對這種隧穿疊層電池的載流子傳輸和復(fù)合機(jī)制進(jìn)行了全面剖析(如圖5)。研究表明,這種隧穿復(fù)合層以陷阱輔助復(fù)合隧穿和帶帶隧穿為主。當(dāng)多晶硅的摻雜濃度較低時(shí)(<4×1019cm-3),p型多晶硅的價(jià)帶和n型多晶硅的導(dǎo)帶不會發(fā)生交疊,因此不會觸發(fā)帶帶隧穿,此時(shí)陷阱輔助復(fù)合隧穿占主導(dǎo)。這種情況下,較高的缺陷濃度有助于陷阱輔助復(fù)合隧穿效應(yīng),從而提升疊層電池性能。當(dāng)多晶硅的摻雜濃度較高時(shí)(>4×1019 cm-3),p型多晶硅的價(jià)帶和n型多晶硅的導(dǎo)帶發(fā)生交疊,觸發(fā)帶帶隧穿,此時(shí)帶帶隧穿占主導(dǎo)。相比于陷阱輔助復(fù)合隧穿,帶帶隧穿更有利于獲得更高的填充因子和效率。因此,如何通過摻雜控制中間層的隧穿和復(fù)合效率至關(guān)重要。這項(xiàng)工作對于中間層的設(shè)計(jì)及相關(guān)機(jī)理研究為鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池的性能提升提供了新的途徑,其設(shè)計(jì)思路同樣也適用于以異質(zhì)結(jié)作為底電池的鈣鈦礦疊層電池。

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圖5 具有隧穿結(jié)疊層電池的數(shù)值仿真及機(jī)理解釋

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:Nature Energy|寧波材料所在鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池的中間層設(shè)計(jì)和制備方面取得重要進(jìn)展

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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