負(fù)反饋因其可以穩(wěn)定增益、減小失真、擴(kuò)展帶寬、變換阻抗等功能而在電子、控制等諸多領(lǐng)域發(fā)揮著重大作用。小至一顆電源芯片,大至一輛汽車,都在負(fù)反饋技術(shù)的幫助下使我們的生活變得更豐富。然而,負(fù)反饋的使用也是有代價(jià)的,即可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。
為了了解系統(tǒng)的穩(wěn)定性情況,最直接、精確的方式就是測(cè)量系統(tǒng)的相位裕量(Phase Margin/ PM),我們通常會(huì)使用環(huán)路分析儀進(jìn)行測(cè)試。
小編今天向大家介紹另一種方法,即通過測(cè)量過沖情況(OS)得到系統(tǒng)的相位裕量。
電路的二階系統(tǒng)化
一些常見的反饋電路,通常都是二階系統(tǒng),我們以運(yùn)放容性帶載為例來討論:
*運(yùn)放的容性負(fù)載 *典型通用運(yùn)放的開環(huán)增益曲線
一個(gè)典型通用運(yùn)放的開環(huán)增益曲線如上圖所示。它一般擁有一個(gè)低頻的主極點(diǎn),如100Hz,高頻極點(diǎn)通常會(huì)被設(shè)計(jì)為遠(yuǎn)高于穿越頻率,所以常規(guī)的運(yùn)放電路是穩(wěn)定的。
當(dāng)運(yùn)放存在容性負(fù)載的時(shí)候,開環(huán)輸出電抗(Zo)與輸出電容(Co)形成的極點(diǎn)會(huì)處在反饋環(huán)路內(nèi),當(dāng)極點(diǎn)頻率靠近或小于穿越頻率,則會(huì)使得系統(tǒng)的相位裕度明顯降低,導(dǎo)致不穩(wěn)定的情況發(fā)生。
所以,一個(gè)運(yùn)放帶容性負(fù)載的放大電路,其傳遞函數(shù)可以表示為:
其中,K為運(yùn)放的DC開環(huán)增益,β是反饋系數(shù)(作為跟隨器時(shí),β=1,100倍放大時(shí),β=0.01)。
1/τa是運(yùn)放的低頻主極點(diǎn)的角頻率,1/τb是Zo和Co產(chǎn)生寄生極點(diǎn)的角頻率??梢?,τa>> τb。
上式可被轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)的二階系統(tǒng)
由于K為運(yùn)放的DC開環(huán)增益,所以Kβ>>1
其中,ωn為電路的自然頻率,ξ為阻尼系數(shù),且
時(shí)域過沖與阻尼系數(shù)的關(guān)系
我們知道,系統(tǒng)處于欠阻尼狀態(tài),即0<ξ<1,才會(huì)存在過沖的情況。
對(duì)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的二階系統(tǒng)來說,
可以求得其單位階躍響應(yīng)函數(shù)為:
求得階躍響應(yīng)第一個(gè)峰值對(duì)應(yīng)的時(shí)間為:
所以過沖為
因此我們可以繪制如下過沖與阻尼系數(shù)的曲線
*過沖與阻尼系數(shù)的關(guān)系
過沖可以經(jīng)由在輸入端給予一個(gè)小的階躍信號(hào),并測(cè)量輸出端得到。如下圖是在ξ=0.35的系統(tǒng)中在1ms時(shí)使用100mV階躍輸入所測(cè)得的過沖情況,過沖為31%。
相位裕量與阻尼系數(shù)的關(guān)系
我們接下去分析阻尼系數(shù)與相位裕量(Phase Margin)的關(guān)系
系統(tǒng)的環(huán)路增益為:
為了求得系統(tǒng)穿越頻率ωc ,可令|A(s)β|=1
求得
所以相位裕度
具此我們可以繪制如下相位裕量與阻尼系數(shù)的曲線
*相位裕量與阻尼系數(shù)的關(guān)系
相位裕量與過沖的關(guān)系
由此,我們借由阻尼系數(shù),得到相位裕量與過沖的關(guān)系,繪制曲線如下
*相位裕量與過沖的關(guān)系
由上圖可知,當(dāng)相位裕量大于70?以上時(shí)已經(jīng)幾乎沒有過沖
相位裕量60? 時(shí), OS(60?)≈8.8%
相位裕量45? 時(shí), OS(45?) ≈23.4%
我們的討論是基于二階系統(tǒng)的,所以如果實(shí)際的電路并非二階系統(tǒng),那么相位裕量與過沖的關(guān)系將并不嚴(yán)格遵循上述推論。但幸運(yùn)的是,現(xiàn)實(shí)中的大部分電路都近似于二階系統(tǒng),所以通過觀察過沖情況(OS)來判斷系統(tǒng)穩(wěn)定性的方法,對(duì)于有時(shí)候的系統(tǒng)調(diào)試(特別是,對(duì)于差分放大器或者SOC等并沒有提供反饋引腳而無法采用環(huán)路分析儀的場(chǎng)合),或者定性分析,都是大有裨益的。
來源:矽力杰半導(dǎo)體
審核編輯:湯梓紅
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