【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要
基于各種MOSFET結(jié)構(gòu)的特性和主要應(yīng)用如表3-2所示。
耐受電壓：選擇目標(biāo)耐受電壓的最佳結(jié)構(gòu)。
低導(dǎo)通電阻：U-MOS適用于250V及以下產(chǎn)品，SJ-MOS（或DTMOS）適用于大于250V的產(chǎn)品。
高電流：與低導(dǎo)通電阻的趨勢(shì)相同。
高速：U-MOS由于柵極容量（Ciss）大，不利于高速開(kāi)關(guān)。
根據(jù)產(chǎn)品的不同，利用低導(dǎo)通電阻特性，具有較小“Ron×Ciss”設(shè)計(jì)的高速開(kāi)關(guān)也實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化。
審核編輯：湯梓紅
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