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      【科普小貼士】MOSFET的性能：漏極電流和功耗

      jf_pJlTbmA9 ? 來源：東芝半導(dǎo)體 ? 作者：東芝半導(dǎo)體 ? 2023-12-07 17:23 ? 次閱讀

      允許損耗和漏極電流是MOSFET的典型最大額定值，計(jì)算如下。
      （有些產(chǎn)品采用了不同的電流表達(dá)式。）
      通過熱阻和結(jié)溫來計(jì)算功耗。漏極電流將采用歐姆定律，由計(jì)算得出的功耗和導(dǎo)通電阻進(jìn)行計(jì)算。

      PD：功耗

      ?器件指定溫度條件下允許的功耗

      wKgaomVdmH2AFBPNAAAnDhFioS4873.png

      ID：漏極電流

      ?直流額定值：正向流動(dòng)的直流電流。（在室溫下定義）

      wKgaomVdmH-AX9vWAAAinOSvULY133.png

      IDp：脈沖漏極電流

      ?指定脈寬下的最大漏極電流。一般是直流電流的4倍。

      wKgZomVdmICAEz4iAAAZ0HEHvH8194.png

      文章來源：東芝半導(dǎo)體

      審核編輯 黃宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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