1. LDO的穩(wěn)定性問題
根據(jù)我們之前文章的介紹,在有基準電壓的情況下,一個簡單的LDO只需要用一個誤差放大器和一個pass device構(gòu)成。然而,要保證LDO在全負載范圍內(nèi)的穩(wěn)定性卻并不容易。假設(shè)LDO輸出有片外大電容穩(wěn)壓,那么輸出節(jié)點即為系統(tǒng)主極點。將反饋環(huán)路斷開來看系統(tǒng)穩(wěn)定性: 在輕負載(iload接近0)時,輸出電阻大,主極點低;重負載(iload接近LDO最大負載電流)時,輸出電阻小,主極點高。 那么在主極點變化范圍如此大的情況下,必須保證內(nèi)部次主極點距離unity-gain frequency足夠遠,也就是足夠高頻,才能保證穩(wěn)定性。內(nèi)部次主極點在哪呢?就是在誤差放大器的輸出端,也是pass device的柵極。放大器的輸出電阻一般很高,而為了提供足夠大的source電流能力,pass device的尺寸很大,那么柵極寄生電容也比較大,導(dǎo)致這個節(jié)點的極點相對低頻,可能會引起不穩(wěn)定的問題。
圖一
圖二
為了解決全負載范圍內(nèi)的LDO穩(wěn)定性問題,之前的paper有兩種解決方案。 第一種是在誤差放大器和pass device的柵極之間插入一個buffer ,如圖一。這個buffer一般用source follower或者emitter follower來實現(xiàn)。加了buffer之后,在放大器輸出(N1節(jié)點)看不到pass device的大電容,只有buffer輸入的小電容;在pass device柵極(N2節(jié)點)看不到放大器輸出的大電阻,只有buffer輸出的小電阻。這樣就使得N1和N2的極點(p1和p2)都為帶外高頻極點,穩(wěn)定性得以保證。然而,圖二中的傳統(tǒng)source follower有一個很大的問題,當(dāng)輸出重負載的時候,LDO主極點較為高頻,而N2的電阻為source follower輸出電阻1/gm,為了使p2足夠高頻,必須增大M21的電流或尺寸以增大它的gm。增大電流犧牲了LDO的效率,而增大尺寸會增大N1點的寄生電容,使p1趨于低頻。
第二種解決方案是引入一個左半平面零點 ,以抵消非主極點帶來的相移。常見方法為利用輸出電容的ESR引入的零點,或者通過內(nèi)部電路引入一個偽ESR零點。原文中提到,還可以增加一個voltage-controlled current source來構(gòu)造零點。Anyway,在這里我們對這種方法不做詳細介紹,留到以后再聊。
在這篇文章里,作者是基于第一種解決方案,對傳統(tǒng)source follower進行改進,來解決LDO的全負載范圍穩(wěn)定性問題。
2. super source follower之V1.0
圖三
從前面分析容易想到,理想的source follower需要 輸入電容足夠小,輸出電阻足夠小,且功耗足夠低 ?;谶@個出發(fā)點,作者在傳統(tǒng)source follower的基礎(chǔ)上增加了一個反饋環(huán)路,構(gòu)造了super source follower的1.0版本,如圖三。我們來看N2點的輸出電阻。假設(shè)N1電壓固定,且I21和I22都為固定電流偏置,N2電壓增加V2,則M21的電流增加V2 * gm21,由于理想情況下M22的電流完全由I22決定,那么M21增加的電流就完全流到了Q20的基極,使得集電極電流增加V2*gm21 * β,N2節(jié)點被下拉。Q20的加入構(gòu)造了一個負反饋環(huán)路,使得在N2節(jié)點看到的電阻變?yōu)?/(gm21 * (1+β)),相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的1/gm21減小了(1+β)倍。
事實上,也可以把Q20更換為一個NMOS。那么N2電壓增加V2,經(jīng)過M21這一級共柵極放大器的放大,Q20柵極電壓增大V2 * gm21* (ro21||ro22),那么Q20的漏電流增加V2 * gm2 1* (ro21||ro22) * gm20,使得N2節(jié)點電阻為1/(gm21* (ro21||ro22) * gm20),相比傳統(tǒng)的1/gm21減小了gm20* (ro21||ro22)倍。
無論Q20為NPN還是NMOS,super source follower的輸入電容和功耗都沒有明顯增加,而輸出電阻降低了非常多。
3. super source follower之V2.0
前面說過,LDO的主極點隨著負載電流增大而變大,而1.0版本的super source follower輸出電阻為1/(gm21*(1+β)),是一個固定值。那么,如果我們 隨著負載電流的增大,將super source follower輸出電阻進一步降低 ,是不是可以使p2也隨著負載電流增大而增大,從而跟隨主極點的變化呢?這樣的話,就可以保證p2一直在帶外,不會影響穩(wěn)定性了。
圖四
出于前面的考慮,改進出super source follower的2.0版本,如圖四。零負載的時候,M24和M25都沒有電流,電路和1.0版本完全相同。隨著負載電流增加,M24和M25按同樣的比例將負載電流鏡像過來,使M21的偏置電流隨著負載增加而增加,那么gm21變大,super source follower輸出電阻降低,p2增大,實現(xiàn)了我們前面說的目標。值得注意的是,對于1.0和2.0版本來說,I22的設(shè)計都需要略小于I21,來保證Q20始終開啟(如果Q20是NMOS,則保證I22=I21)。而2.0版本里,M24電流疊加到I21上,M25電流疊加到M22上,所以M24和M25應(yīng)該保持相同的尺寸,使得內(nèi)部節(jié)點工作點不受影響。此外,電路改動之后,N2點電阻還并聯(lián)了一個M24的1/gm,所以輸出電阻為1/(gm21*(1+β)+gm24)。
除了輸出電阻的降低之外,相比傳統(tǒng)source follower,V2.0結(jié)構(gòu)還 改善了N2節(jié)點的slewing 。根據(jù)圖一,LDO從零負載突然切換為滿負載,輸出降低,N1也降低,則圖四中M21電流增加,流到Q20基極,Q20集電極電流增加,下拉N2節(jié)點。相反,如果LDO從滿負載切換為零負載,輸出增加,N1也增加,導(dǎo)致M21突然截止,M22將Q20基極拉到0,Q20也截止,則N2無下拉電流,同時M24在N2升高之前提供一個上拉電流,幫助N2點上升。
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