一種用于LVTSCR器件SPICE仿真的簡(jiǎn)單的宏模型等效電路建模方法。

SCR在CMOS技術(shù)的ESD保護(hù)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。一個(gè)主要的挑戰(zhàn)是為這些器件在ESD應(yīng)力條件下開(kāi)發(fā)有效的緊湊仿真模型。

前言

本文介紹一種用于LVTSCR器件SPICE仿真的簡(jiǎn)單的宏模型等效電路建模方法。

LVTSCR介紹

隨著先進(jìn)技術(shù)中器件特征尺寸的不斷減小，集成電路越來(lái)越容易受到靜電放電(ESD)的影響。可控硅整流器(SCR)通常用于為高頻引腳提供防ESD損壞的片內(nèi)保護(hù)。與其他ESD器件相比，SCR占用更小的面積，具有更低的寄生電容。在CMOS技術(shù)中，通常在可控硅結(jié)構(gòu)中引入MOS觸發(fā)器件以降低其固有損耗可控硅回吸觸發(fā)電壓。這種器件稱為低壓觸發(fā)可控硅(LVTSCR)，具有比標(biāo)準(zhǔn)SCR更低的snapback觸發(fā)電壓。

實(shí)現(xiàn)LVTSCR建模的主要障礙是雪崩電流，雪崩電流是偏壓條件的復(fù)雜函數(shù)。尺寸縮小帶來(lái)的問(wèn)題，隧穿電流變得重要。模型需要包含對(duì)非?？斓乃矐B(tài)激勵(lì)的響應(yīng)，如CDM，因?yàn)樗荅SD的主要失效模式。

一種新的宏觀建模方法用于模擬MOS器件中的snapback已經(jīng)被報(bào)道。該模型采用標(biāo)準(zhǔn)元素構(gòu)造，沒(méi)有顯式雪崩電流源。它利用了現(xiàn)有的先進(jìn)的SPICE模型，提供了極大的簡(jiǎn)單性，高靈活性，合理的準(zhǔn)確性和廣泛的可用性。該方法還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即它與大多數(shù)商業(yè)模擬器兼容。

LVTSCR中的Snapback

LVTSCR結(jié)構(gòu)示意圖

LVTSCR宏模型等效電路示意圖

LVTSCR器件的snaback物理特性：

結(jié)構(gòu)可以看做一系列的PNPN擴(kuò)散結(jié)，可以理解為一個(gè)PNP和一個(gè)NPN相連。添加MOS作為觸發(fā)器件，實(shí)現(xiàn)低snaback觸發(fā)電壓。Nwell，Pwell電阻被考慮。

原理：

LVTSCR中的snaback是由于NMOS襯底電流觸發(fā)的正反饋，主要是由NMOS Drain/Bulk 結(jié)或NPN和PNP的Base/Collector 結(jié)雪崩擊穿引起的。當(dāng)正電壓施加到anode時(shí)，結(jié)是反向偏置的。當(dāng)結(jié)電壓達(dá)到其擊穿電壓時(shí)，由于碰撞電離，許多空穴和電子對(duì)在耗盡層中產(chǎn)生。當(dāng)產(chǎn)生的電子移動(dòng)到漏極或集電極時(shí)，空穴被注入到NMOS的Pwell或Bulk。電子空穴流形成了NMOS器件的襯底電流Isub，即從漏極流向NMOS器件的襯底，或從NPN的集電極流向基極。在晶體管外部，Isub通過(guò)Rpwell電阻從NPN的基極流向發(fā)射極(從NMOS的Bulk到源極)。當(dāng)Rpwell電阻上的壓降大于NPN的導(dǎo)通電壓(-0.7V)時(shí)，NPN導(dǎo)通。這導(dǎo)致額外的電子電流到達(dá)Drain/Bulk (Base/Collector)結(jié)耗盡區(qū)，并進(jìn)一步增加產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)。最終，NPN和PNP都被打開(kāi)，陽(yáng)極和陰極之間的電壓下降并保持在一個(gè)降低的水平。

LVTSCR器件的snaback建模的關(guān)鍵效果

Snapback之前，當(dāng)NMOS占主導(dǎo)地位時(shí)，Drain/Bulk結(jié)起作用，isub是Vgs，Vds的函數(shù)。發(fā)生Snapback后，碰撞電離電流與Vgs的關(guān)系變得微弱。PNP, NPN占主導(dǎo)作用。這里介紹一種宏模型建模方法，使用標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET, BJT模型。雪崩效應(yīng)，dv/dt效應(yīng)，GIDL效應(yīng)和電容本質(zhì)上包含在MOS和BJT模型中。BJT Mextram模型中包含了模擬雪崩擊穿效應(yīng)的方程，所以可以先用BJT Mextram簡(jiǎn)單驗(yàn)證一下SCR的Snapback行為。

ADS中驗(yàn)證電路

仿真結(jié)果

審核編輯：劉清