憶阻器是一種具有電荷記憶功能的非線性電阻,通過控制電流的變化可改變其阻值,自從2008年HP公司制備出了憶阻器,科學(xué)家們意識到憶阻器的優(yōu)勢和作用,所以現(xiàn)在也有很多院所開始進(jìn)行憶阻器的研究
憶阻器研究分為基礎(chǔ)性能研究測試,神經(jīng)突觸/神經(jīng)元測試以及陣列測試,今天主要介紹一下基礎(chǔ)研究測試
基礎(chǔ)研究分為四步,分別是Forming 前后特性驗(yàn)證、直流特性測試、交流特性測試、脈沖特性測試;
憶阻器直流特性測試通常與 Forming 結(jié)合,主要測試憶阻器直流 V-I 曲線,并以此推算 SET/ RESET 電壓 / 電流、HRS、LRS 等憶阻器重要 參數(shù),可以進(jìn)行單向掃描或雙向掃描。
憶阻器交流特性主要進(jìn)行捏滯回線的測試,捏滯 回線是鑒別憶阻器類型的關(guān)鍵.
憶阻器脈沖測試能有效地減小直流測試積累的焦 耳熱的影響,同時(shí),也可以用來研究熱量對器件 性能的影響。由于憶阻器表征技術(shù)正向極端化發(fā) 展,皮秒級脈沖擦寫及信號捕捉的需求日益強(qiáng)烈。
如果要進(jìn)行基礎(chǔ)測試需要的儀器有:信號發(fā)生器,源表,電源以及示波器
審核編輯 黃宇
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