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Omdia:AI 將在電動(dòng)車革命中超越下一代半導(dǎo)體

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源: 半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者: 半導(dǎo)體芯科技Si ? 2023-11-16 16:51 ? 次閱讀

來源:美通社

Omdia 預(yù)測(cè),隨著電動(dòng)汽車 (EV) 革命的到來,新型半導(dǎo)體將出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng),而功率半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)十年的傳統(tǒng)規(guī)范也將受到挑戰(zhàn)。 AI 的興起是否會(huì)有類似的影響?

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功率分立元件、模塊和IC預(yù)測(cè)

Omdia 半導(dǎo)體研究元件資深分析師 Callum Middleton 表示:「對(duì)于長(zhǎng)期依賴硅技術(shù)的行業(yè),新材料制成的器件既能帶來挑戰(zhàn),也能起到推動(dòng)作用。 氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件的開發(fā)始于上個(gè)世紀(jì),但它們的技術(shù)成熟度順應(yīng)了可持續(xù)發(fā)展趨勢(shì),用新材料制造的器件為我們這個(gè)能源匱乏的世界帶來顯著的效率提升?!?/p>

Tesla 已于 2018 年首次采用多個(gè) SiC 設(shè)備,該技術(shù)因此從實(shí)驗(yàn)室和測(cè)試設(shè)計(jì),躍升為主流。 電動(dòng)車市場(chǎng)自此開始起飛,而這些技術(shù)帶來眾多充電速度和續(xù)航里程好處,采用這些技術(shù)的汽車制造商更與日俱增。

這一早期采用使得碳化硅(SiC)得以在現(xiàn)實(shí)世界中證明其性能和可靠性,而對(duì)于氮化鎵(GaN),手機(jī)和筆記本電腦充電器也取得了類似的效果。 隨著人工智能熱潮急速增長(zhǎng),也增加我們的能源供應(yīng)和分配系統(tǒng)的壓力。 我們?yōu)榱舜_保充分利用人工智能的好處和可持續(xù)發(fā)展,必須確保盡量發(fā)揮效率,但這不必以盈利為代價(jià)。 數(shù)據(jù)中心采用SiC或GaN電源解決方案后,可顯著降低能源消耗,并同時(shí)騰出空間額外運(yùn)算能力。

Middleton 總結(jié)道:「雖然這些新穎的設(shè)備和其早數(shù)十年的研究、開發(fā)、測(cè)試和工程,可能不會(huì)成為頭條新聞,但對(duì)實(shí)現(xiàn)人工智能的規(guī)模和潛力是不可或缺的。

審核編輯 黃宇

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