0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

退飽和電路的短路保護方式

CHANBAEK ? 來源:見習工程師筆記 ? 作者:電路設計基礎理論 ? 2023-11-14 15:44 ? 次閱讀

退飽和電路主要作用是對功率器件進行短路保護,那么短路保護的方式有幾種:

1、電阻采樣方案

圖片

該方案需要在電源回路中串聯(lián)一個電阻器進行感應電流,可以在任何系統(tǒng)中靈活使用。但該方案需要高精度的電阻器、快速的ADC來保證信號準確性、采樣延時。缺點在于在于會在電阻器上產(chǎn)生損耗,在選型的時候需要考慮耐受功率以及散熱等問題。

2、SenceFET電流傳感器方案

圖片

SenceFET通常集成在功率器件內(nèi)部,與器件并聯(lián)以降低器件導通電流。然后通過精確的分流電阻按比例縮小電流,因為感應的電流與器件同步所以檢測的時間很短,另外是集成在器件內(nèi)部的寄生電感小產(chǎn)生的噪聲也很低,缺點就是需要具有SenceFET的功率器件會間接增加系統(tǒng)成本。

3、退飽和方案

第三種方案就是本文詳細介紹的退飽和方案,在實際應用中,退飽和現(xiàn)象一般發(fā)生在器件短路時,這時CE電壓上升到母線電壓,電流一般是額定電流的4倍左右,功率異常增大,結(jié)溫急劇上升,不及時關斷器件就有可能燒毀器件。多數(shù)的功率器件有一定的短路承受能力,一般在幾us之內(nèi)。

圖片

上圖所示是一個簡化的MOS剖面圖,以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGS,則柵極氧化層下方會形成導電溝道,這時如果給漏極D施加正壓VDS,則源極中的電子便會在電場的作用下源源不斷地從漏極D流向源極S,這樣電流便形成了,這時電流隨DS電壓的增長而線性增長。隨著DS電壓的增大,使得柵極和硅表面的電壓差很小而不能維持硅表面的強反型,溝道出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象,電流不再隨DS電壓的增加而成比例增長。

圖片

驅(qū)動芯片內(nèi)置一個恒流源,器件正常工作時壓降很低,恒流源的電流流過功率器件;當器件退飽和后壓降急劇升高,二極管Dhv截止,恒流源電流只能向電容Cblk充電,當Cblk上的電壓超過芯片內(nèi)部的退飽和電壓時,芯片內(nèi)部比較器翻轉(zhuǎn),邏輯電路報錯。

退飽和保護閾值:

圖片

退飽和消隱時間:

圖片

注意事項:

因為在退飽和狀態(tài)下器件電流非常大,如果不加限制地關斷功率器件,會產(chǎn)生很大的di/dt,施加在回路的寄生電感上就會感應出很高的CE電壓,如果這個電壓高于器件額定電壓,那么功率器件就有可能損壞。我們通常用軟關斷、有源鉗位等手段控制關斷時的電壓尖峰。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • adc
    adc
    +關注

    關注

    99

    文章

    6616

    瀏覽量

    547896
  • 恒流源
    +關注

    關注

    16

    文章

    340

    瀏覽量

    56721
  • 功率器件
    +關注

    關注

    42

    文章

    1881

    瀏覽量

    91918
  • 短路保護
    +關注

    關注

    11

    文章

    253

    瀏覽量

    32931
  • 電流傳感器
    +關注

    關注

    10

    文章

    1109

    瀏覽量

    41892
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)

    IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一,短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等
    的頭像 發(fā)表于 06-09 10:35 ?3135次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>短路</b>結(jié)溫和次數(shù)

    IGBT的工作原理和退飽和 IGBT的電感短路和直通短路

    為了理解IGBT進入退飽和的過程機理,我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構上的區(qū)別:簡單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構上增加了一個P+層提供空穴載流子,這樣可以和漏極N+區(qū)域的電子
    的頭像 發(fā)表于 01-17 13:59 ?1.9w次閱讀
    IGBT的工作原理和<b class='flag-5'>退</b><b class='flag-5'>飽和</b> IGBT的電感<b class='flag-5'>短路</b>和直通<b class='flag-5'>短路</b>

    IGBT驅(qū)動及短路保護電路M57959L研究

    根據(jù)集電極退飽和檢測短路原理及IGBT 的短路安全工作區(qū)(SCSOA) 限制,設計出具有較完善性能的IGBT 短路
    發(fā)表于 10-28 10:56 ?118次下載

    低壓整流短路保護電路

    低壓整流短路保護電路
    發(fā)表于 02-10 08:57 ?1566次閱讀
    低壓整流<b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>保護</b><b class='flag-5'>電路</b>

    短路保護電路

    短路保護電路 短路(或過流)保護電路的原理電路如圖
    發(fā)表于 03-09 16:48 ?1.8w次閱讀
    <b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>保護</b><b class='flag-5'>電路</b>

    含指示燈的短路保護電路

    含指示燈的短路保護電路   短路保護電路是利用一個晶體管來采樣輸出電壓,根據(jù)輸出電壓在
    發(fā)表于 12-10 08:27 ?5723次閱讀
    含指示燈的<b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>保護</b><b class='flag-5'>電路</b>

    IGBT短路時的損耗

    IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一,短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等
    發(fā)表于 02-07 16:12 ?1303次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>短路</b>時的損耗

    IGBT直通短路過程問題分析

    2.1 短路類型 2.2 橋臂直通短路在進行IGBT短路實驗的過程中,我們通常使用“退飽和電路
    發(fā)表于 02-22 15:14 ?9次下載
    IGBT直通<b class='flag-5'>短路</b>過程問題分析

    簡單的短路保護電路

    可調(diào)穩(wěn)壓電源在使用不當時容易導致輸出短路而出現(xiàn)過大的電流,就可能損壞穩(wěn)壓IC,所以可以添加一個短路保護電路。   這里以大電流穩(wěn)壓器件XL4016(其最大輸出電流可達8A)為例,
    的頭像 發(fā)表于 05-30 16:36 ?1w次閱讀
    簡單的<b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>保護</b><b class='flag-5'>電路</b>

    mos管短路保護電路的原理和應用

    mos管短路保護電路的原理和應用? MOS管,也叫金屬氧化物半導體場效應管,是一種常見的半導體器件,其主要作用是控制電路中的電流。但是,由于MOS管在使用過程中會遭受各種不同的電壓和電
    的頭像 發(fā)表于 08-25 15:11 ?1w次閱讀

    短路保護的定義和實現(xiàn)方式

    引言:短路保護對于確保輸出電源的可靠性至關重要,短路故障可能會導致電源故障,甚至會導致系統(tǒng)損壞。短路保護最常見的實現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 10-21 14:27 ?7288次閱讀
    <b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>保護</b>的定義和實現(xiàn)<b class='flag-5'>方式</b>

    退飽和電路的實現(xiàn)機理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護

    退飽和電路的實現(xiàn)機理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護 退
    的頭像 發(fā)表于 02-18 14:51 ?3663次閱讀

    什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

    什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開
    的頭像 發(fā)表于 02-19 14:33 ?5637次閱讀

    為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領域具有廣泛應用,如變頻器、電動機驅(qū)動、電力傳輸?shù)?。在這些應用中,IGBT的導通和關斷特性至關重要,而退飽和現(xiàn)象是其工作過程中一個值得關注的重要問題。以下將詳細探討IGBT發(fā)生退
    的頭像 發(fā)表于 07-26 17:39 ?1983次閱讀

    驅(qū)動芯片退飽和保護(DESAT)應用指導

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動芯片退飽和保護(DESAT)應用指導.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-29 11:23 ?2次下載
    驅(qū)動芯片<b class='flag-5'>退</b><b class='flag-5'>飽和</b><b class='flag-5'>保護</b>(DESAT)應用指導

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學習
    • 獲取您個性化的科技前沿技術信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品