優(yōu)先將20nm至90nm的晶片國(guó)產(chǎn)化？

半導(dǎo)體行業(yè)專家提出建議，認(rèn)為面臨的挑戰(zhàn)是需要優(yōu)先考慮將20納米至90納米的晶片國(guó)產(chǎn)化。

面對(duì)美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片行業(yè)的制約，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略備受關(guān)注。據(jù)澎湃新聞報(bào)道，中芯國(guó)際原副總裁、俄羅斯工程院外籍院士李偉在最近的一場(chǎng)半導(dǎo)體行業(yè)中小企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇上表示，與其投入大量資金來(lái)突破2納米技術(shù)，或許更應(yīng)優(yōu)先發(fā)展國(guó)產(chǎn)化的20納米到90納米芯片技術(shù)。

第十二屆亞太經(jīng)合組織（APEC）中小企業(yè)技術(shù)交流暨展覽會(huì)由工信部和山東省政府共同主辦，于11月9日至11日在山東青島成功舉行。在半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇上，來(lái)自學(xué)術(shù)界、專家團(tuán)隊(duì)和企業(yè)界的多位與會(huì)人士就中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的困擾和未來(lái)發(fā)展方向展開了互動(dòng)和討論。

李偉強(qiáng)調(diào)，在通訊、人工智能等一些特定領(lǐng)域，才會(huì)需要使用2nm的芯片。實(shí)際上，國(guó)內(nèi)大部分民用市場(chǎng)市場(chǎng)的需求已經(jīng)可以通過使用28nm的芯片來(lái)滿足。

據(jù)李偉稱，“我國(guó)集成電路技術(shù)整體上落后于國(guó)際水平超過五年，制造設(shè)備和材料（尤其是光刻膠）是中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的最大短板。目前，相關(guān)材料、設(shè)備和設(shè)計(jì)軟件等主要依賴進(jìn)口，只有大約百分之十的設(shè)備可以國(guó)產(chǎn)。”

李偉認(rèn)為，中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)正面臨一系列挑戰(zhàn)。首先，國(guó)外先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備對(duì)華出口受到一定限制。其次，國(guó)內(nèi)企業(yè)之間的競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)不僅缺乏自主核心關(guān)鍵技術(shù)，也缺乏高端人才團(tuán)隊(duì)。另外，長(zhǎng)期發(fā)展的動(dòng)力和規(guī)劃也是一個(gè)問題。

對(duì)于如何掌握晶片產(chǎn)業(yè)的主動(dòng)權(quán)，李偉提出了五項(xiàng)建議：

一、瞄準(zhǔn)核心領(lǐng)域，解決自主可控的問題；

二、充分利用中國(guó)內(nèi)地市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，開發(fā)專用晶片；

三、根據(jù)自身能力，尋找差異化的發(fā)展路徑；

四、保持聚焦，不散亂發(fā)展；

五、通過推進(jìn)第三代和第四代半導(dǎo)體等技術(shù)的突破，實(shí)現(xiàn)多個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)的進(jìn)展。

在該論壇上，許多業(yè)者都提到了中國(guó)的技術(shù)仍然有所不足。一位功率半導(dǎo)體器件公司的負(fù)責(zé)人表示，當(dāng)前在新能源領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件正在迅速發(fā)展，但在第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用方面，國(guó)內(nèi)的技術(shù)儲(chǔ)備還不夠充足。他說：“國(guó)外已經(jīng)發(fā)展到第7代、第8代了，而我們還停留在第4代左右?！?/span>

然而，美國(guó)的制裁措施確實(shí)給中國(guó)大陸的廠商帶來(lái)了困擾。一家從事刻蝕機(jī)和離子注入機(jī)研制的企業(yè)負(fù)責(zé)人表示，由于國(guó)際貿(mào)易保護(hù)主義的抬頭，該企業(yè)在引進(jìn)國(guó)際技術(shù)和進(jìn)行國(guó)際并購(gòu)時(shí)受到了一定的影響。另一家從事集成電路元器件制造的企業(yè)負(fù)責(zé)人指出，中國(guó)在某些零部件、上游原材料和電子元器件的國(guó)產(chǎn)配套能力仍較弱，甚至一些特殊用途的不銹鋼在國(guó)內(nèi)也沒有特別成熟的解決方案。