萬用表檢測(cè)IGBT好壞的步驟是什么？IGBT好壞測(cè)試方法還有哪些？

什么是IGBT?

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，在高電壓和高電流的光伏逆變器、儲(chǔ)能裝置和新能源汽車等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。IGBT具有高輸入阻抗，低導(dǎo)通壓降，高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)。

IGBT測(cè)試項(xiàng)目

為了檢測(cè)IGBT的性能、穩(wěn)定性和可靠性，IGBT測(cè)試是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中的重要環(huán)節(jié)。通過測(cè)試可以發(fā)現(xiàn)早期潛在的問題，從而提升其性能，讓用戶在使用過程中有良好的體驗(yàn)。IGBT測(cè)試的項(xiàng)目主要有：

柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(TO)測(cè)試

柵極-發(fā)射極漏電流IGES測(cè)試

集電極-發(fā)射極截止電流ICES測(cè)試

集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)測(cè)試

開通時(shí)間ton測(cè)試：開通時(shí)間是開通延遲時(shí)間與集電極電流上升時(shí)間之和。

關(guān)斷時(shí)間toff測(cè)試：關(guān)斷時(shí)間是關(guān)斷延遲時(shí)間與電流下降時(shí)間之和。測(cè)試包含阻性負(fù)載和感性負(fù)載測(cè)試。

恢復(fù)時(shí)間測(cè)試：是針對(duì)IGBT上反向續(xù)流二極管的恢復(fù)時(shí)間進(jìn)行測(cè)試。

IGBT極性判斷方法

用萬用表快速檢測(cè)IGBT之前，先要確定IGBT的極性。

柵極(G)：萬用表設(shè)置到R×1KQ位置，開始測(cè)量。如果一極和另外兩極的電阻值是無窮大，更換表筆后該極和另外兩極的電阻值依然是無窮大，則此極是柵極。

集電極(C)和發(fā)射極(E)：用萬用表測(cè)量剩下的兩極，如果被測(cè)電阻為無窮大，更換表筆后被測(cè)電阻變小，在第一次測(cè)量到小電阻值時(shí)，判斷紅色表筆接集電極，黑色表筆接發(fā)射極。

IGBT好壞檢測(cè)——萬用表

1. 設(shè)置萬用表為R×1KQ(R×10KΩ)，黑表筆接C極，紅表筆接E極，此時(shí)萬用表指針在零位。

2. 用手指同時(shí)觸及G極和C極，IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，好的IGBT會(huì)使萬用表的指針指向某個(gè)電阻。

3. 再用手觸及G極和E極，此時(shí)IGBT被阻斷，如果萬用表指針回零，則判斷IGBT是好的。

注意事項(xiàng)：

檢測(cè)時(shí)一定要將萬用表設(shè)置在R×10KΩ，因?yàn)镽×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，在檢測(cè)過程中無法使IGBT導(dǎo)通，從而無法判斷IGBT的好壞。

檢測(cè)IGBT好壞的其它方法

1. 觀察外觀

首先檢查IGBT外觀是否有物理?yè)p壞、燒焦或裂紋等情況。如果表面有可見的損壞，IGBT可能已經(jīng)損壞。

2. 測(cè)試絕緣性

用萬用表電阻測(cè)量功能來測(cè)試IGBT的絕緣性。將萬用表的正極連接到IGBT的集電極上，將負(fù)極連接到發(fā)射極或柵極上(具體連接方式根據(jù)IGBT的引腳結(jié)構(gòu)而定)，如果顯示為無限電阻，則表示IGBT的絕緣性良好。如果顯示為導(dǎo)通或者具有很低的電阻值，那么IGBT可能存在絕緣性問題。

3. 溫度測(cè)試

在正常操作條件下，通過紅外測(cè)溫儀或接觸式溫度計(jì)來測(cè)量IGBT的溫度。如果IGBT溫度異常升高，超過了正常工作溫度范圍，可能存在故障或問題。

4. 激活測(cè)試

正常工作條件下，施加電壓來激活I(lǐng)GBT，并進(jìn)行相應(yīng)的電流和功率測(cè)試。在正確的電壓和電流下，如果IGBT無法正常工作、電流過大或功率損失較大，則可能存在問題。

5. 頻率響應(yīng)測(cè)試

使用相應(yīng)的信號(hào)發(fā)生器和示波器來測(cè)試IGBT的頻率響應(yīng)。通過施加不同頻率的信號(hào)，并觀察輸出波形是否正常，如有任何畸變或失真，IGBT可能存在問題。

納米軟件ATECLOUD-IC芯片自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)可以測(cè)試二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、MCU、IGBT、各類分立器件等集成電路測(cè)試，采用ns級(jí)高精度測(cè)試，提高測(cè)試效率。

審核編輯 黃宇