耗盡型MOSFET構(gòu)成電流源給IC供電的應用電路
01常見的應用方式
02電路原理及注意事項
當電路工作時，電阻R兩端的電壓會隨著流過的電流的增加而升高，但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性，其最大電壓值不會超過對應電流下的閾值電壓，即V R_MAX =|V TH |。因此在該條件下，上述應用可以作為恒流源給IC供電。
由于MOSFET的功耗限制，該應用不適合大功率供電場景，實際應用時電流會隨著MOSFET結(jié)溫的變化而存在輕微波動。
DMZ1520E
DMZ1520E系列產(chǎn)品在工業(yè)自動化、汽車電子、新能源等應用電路中，可用于LDO供電。如下圖所示，電路中只使用了一個DMZ1520E，它可以將高輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓為LDO供電，同時為LDO提供瞬態(tài)浪涌抑制。LDO的輸入輸出電壓滿足關系式: Vs=Vout +|VGS(OFF) |。該系列MOSFET響應速度快，電路結(jié)構(gòu)簡單。
DMZ1520E系列產(chǎn)品不僅能提供穩(wěn)定的電源，而且能在復雜的電子、磁環(huán)境中抵抗較大的瞬變電壓，特別適用于智能變送器IC的應用，如AD421、SD2421A、JHM1101等，對標 BSS169、MMBF4393等。
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