安世半導(dǎo)體熱插拔專用ASFET斬獲年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎

由 AspenCore 主辦的 2023 國際集成電路展覽會暨研討會（IIC）已于 11 月 2 日在深圳順利舉辦。

在大會同期舉辦的 2023 全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）評選中，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 SMD 銅夾片 LFPAK88 封裝的熱插拔專用 MOSFET (ASFET)榮膺年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎（Power Semiconductor / Driver of the year）！安世半導(dǎo)體中國區(qū)工業(yè)及消費市場業(yè)務(wù)高級總監(jiān)李東岳受邀出席并領(lǐng)獎。

獎項介紹

全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）旨在評選并表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者，對獲獎公司以及個人來說，全球電子成就獎的獲得是一項崇高的榮譽，各類獎項獲得提名的企業(yè)、管理者及產(chǎn)品均為行業(yè)領(lǐng)先者，充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的領(lǐng)先地位與不凡表現(xiàn)。

獲獎產(chǎn)品

安世半導(dǎo)體于 2023 年 3 月推出了全新專用 MOSFET（ASFET）系列，專為熱插拔應(yīng)用而設(shè)計，該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)（SOA）的特性。這些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 兩種型號，兼顧低RDS(on)和強大線性模式性能，非常適合進的電信和計算設(shè)備中要求苛刻的熱插拔和軟啟動應(yīng)用。

與前幾代產(chǎn)品相比，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 ASFET 具有增強的 SOA，數(shù)據(jù)手冊中提供了經(jīng)過全面測試的高溫下 SOA 曲線，以及節(jié)省空間的尺寸，為熱插拔和計算應(yīng)用提供了優(yōu)化的解決方案，提供了業(yè)界領(lǐng)先的功率密度改進。

到目前為止，適合熱插拔和計算應(yīng)用的 ASFET 通常采用較大尺寸的D2PAK封裝（16x10 mm）。LFPAK88 封裝是 D2PAK 封裝的理想替代選項，空間節(jié)省效率高達 60%。

PSMN2R3-100SSE 的 RDS(on)僅為 2.3 mΩ，相較于現(xiàn)有器件至少降低了 40%。LFPAK88 不僅將功率密度提高了 58 倍，還提供兩倍的 ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）還提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封裝的 25 V、30 V、80 V和100 V ASFET 系列產(chǎn)品，并針對需要更小 PCB 管腳尺寸的低功耗應(yīng)用進行了優(yōu)化。

審核編輯：劉清