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WPE效應(yīng)的概念 如何讓減小WPE效應(yīng)呢?

冬至子 ? 來源:日芯說 ? 作者:日芯說 ? 2023-11-03 16:39 ? 次閱讀

如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝,那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD(Length Of Diffusion)效應(yīng)。到了.18um以下的工藝,就要關(guān)注這些物理效應(yīng)了,因?yàn)檫@些物理效應(yīng)已經(jīng)對電路造成了不可忽視的影響。

WPE(Well Proximity Effect)就是阱臨近效應(yīng),是指在阱doping的過程中,阱邊緣由于散射doping濃度比其他地方要高一些,這樣臨近阱邊緣的器件特性就與遠(yuǎn)離阱邊緣的器件特性不一致,主要體現(xiàn)在閾值電壓、遷移率和體效應(yīng)上。

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WPE的概念就是這么簡單,那么主要體現(xiàn)在什么參數(shù)上?

bsim模型中的介紹是以下這樣的三個(gè)公式。Vth0、Ueff和K2分別是閾值電壓、體效應(yīng)和電遷移率影響因子,我們關(guān)注最多的就是閾值電壓的影響,如果你的電路對閾值電壓很敏感,那么就要特意關(guān)注一下WPE參數(shù)了。

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可以看出,主要是由三個(gè)參數(shù)SCA、SCB和SCC影響,在bsim模型中,這三個(gè)參數(shù)定義如下:

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有人說,這個(gè)定義很晦澀,沒關(guān)系,不用管,你就知道這三個(gè)參數(shù)越大,WPE效應(yīng)越大,對閾值電壓等的影響越大就可以了,其實(shí)SCA,SCB和SCC通俗的講,是器件各個(gè)邊緣到well距離的積分。

那么在實(shí)際cadence中,該如何考量?

在我們做前仿真的時(shí)候,一般不會(huì)特別注意WPE效應(yīng)的參數(shù),在每個(gè)MOS的properties界面中,WPE參數(shù)是默認(rèn)隱藏的,如果你點(diǎn)擊display,它會(huì)默認(rèn)選擇了no wpe effect,就是在前仿真不考慮WPE效應(yīng),可以看到,SCA、SCB和SCC這個(gè)數(shù)值,在no wpe effect這個(gè)數(shù)值是很小的,幾乎不會(huì)對閾值電壓等參數(shù)造成影響。

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那么,在畫完版圖進(jìn)行后仿真的時(shí)候,我們知道,我們一般會(huì)先做norc的抽取,norc抽取不抽取版圖中的寄生電阻電容,但是會(huì)考慮WPE以及LOD這些物理效應(yīng)。當(dāng)我們norc做完得到后抽的網(wǎng)表后,我們第一步應(yīng)該去看你的電路的dc電對不對,對于前仿真來說有沒有很大偏移,關(guān)鍵電壓或者電流節(jié)點(diǎn)是一定要看的,如果你做了一個(gè)基準(zhǔn)電路,你不能只看你的基準(zhǔn)輸出電壓,你內(nèi)部的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的電流或者電壓節(jié)點(diǎn)都是要看一下的,因?yàn)橛袝r(shí)候,輸出是對的,但其實(shí)內(nèi)部有節(jié)點(diǎn)是不正常的。

版圖如果畫的完美,那么后仿真的WPE參數(shù)和前仿真幾乎是一樣的,差距很小。如果畫的不好,WPE參數(shù)就會(huì)變大。但實(shí)際上,版圖做到完美有些難,我們就是盡量減小WPE效應(yīng)。

下面是一個(gè)前后仿真的WPE參數(shù)對比,做到了前后仿真完全相等,是不是很驚訝。

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那么,如何做到以上結(jié)果呢?在siliconvlsi中給出了以下3個(gè)方法,但是實(shí)用的我只知道第二種很實(shí)用,其他兩種待驗(yàn)證。但是第二個(gè)方法有個(gè)弊端,就是會(huì)增大版圖面積,因?yàn)橼逍枰粋€(gè)大的阱,所以如果對閾值電壓、體效應(yīng)等這些要求不高,可以適當(dāng)增大阱的面積,不要增大的太大,在面積和精度上取個(gè)折中。

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第二種方法,將器件遠(yuǎn)離阱,可以減小WPE,即將well面積畫大一些,將器件的上下左右四個(gè)方向到well的距離盡量大,一般都會(huì)有一個(gè)最小距離要求,大部分是2um以上,不滿足2um也不會(huì)報(bào)DRC錯(cuò)誤,所以在DRC和LVS驗(yàn)證的時(shí)候是查不到WPE效應(yīng)的。

如果滿足了2um,一般都可以將WPE降到很小,**如果滿足了2um還不能和前仿真相等,那就是你用的工藝還有一些其他的規(guī)則要求,但這時(shí)候WPE肯定是在可以接受的范圍了。

如下圖,在畫版圖的時(shí)候,將器件4個(gè)方向到well的距離SC1~SC4都取大,這時(shí)候WPE效應(yīng)就很小了。

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因?yàn)閃PE的三個(gè)參數(shù)SCA、SCB和SCC,都是SC1~SC4的積分,如下公式,這時(shí)候回到以上bsim模型中關(guān)于SCA、SCB和SCC的表格的定義,就很清楚了,其中fA(s)、fB(s)、fC(s)是經(jīng)驗(yàn)常數(shù)。

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