Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開(kāi)關(guān)氮化鎵電源IC

新型PowiGaN開(kāi)關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。

Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開(kāi)關(guān)氮化鎵(GaN)電源IC，采用1,250 V PowiGaN開(kāi)關(guān)。InnoSwitch3-EP 1,250 V IC是Power Integrations的InnoSwitch系列離線(xiàn)CV/CC QR反激式開(kāi)關(guān)IC的最新成員，具有同步整流、FluxLink安全隔離反饋和一系列開(kāi)關(guān)選項(xiàng)：725 V硅、1,700 V碳化硅(SiC)和PowiGaN，有750 V、900 V和現(xiàn)在的1,250 V型號(hào)。

Power Integrations專(zhuān)有的1,250 V PowiGaN技術(shù)的開(kāi)關(guān)損耗不到相同電壓下等效硅器件的三分之一。這導(dǎo)致電源轉(zhuǎn)換效率高達(dá) 93%，從而實(shí)現(xiàn)高度緊湊的反激式電源，無(wú)需散熱器即可提供高達(dá) 85 W 的功率。

據(jù)Power Integrations稱(chēng)，該公司繼續(xù)推進(jìn)高壓氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)和商業(yè)部署的最新進(jìn)展，即使是最好的高壓硅MOSFET也在此過(guò)程中過(guò)時(shí)。2019 年，隨著基于 GaN 的電源 IC 的大量出貨，Power Integration 率先進(jìn)入市場(chǎng)，并于今年早些時(shí)候推出了其基于 GaN 的 InnoSwitch 產(chǎn)品的 900 伏版本。這些新的1,250 V器件展示了更高電壓GaN技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，將GaN的效率優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到更廣泛的應(yīng)用，包括目前由碳化硅技術(shù)服務(wù)的許多應(yīng)用。

使用新型InnoSwitch3-EP 1,250 V IC的設(shè)計(jì)人員可以放心地指定1,000 V的工作峰值電壓，從而實(shí)現(xiàn)從1,250 V絕對(duì)最大值降低80%的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的空間，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要，在這些環(huán)境中，魯棒性是抵御電網(wǎng)不穩(wěn)定、浪涌和其他電源擾動(dòng)的基本防御措施。

審核編輯：彭菁