由于二極管外加正向電壓時(shí),載流子不斷擴(kuò)散而存儲(chǔ)了大量的電荷,因此導(dǎo)致了反向恢復(fù)存在一個(gè)過(guò)程。
當(dāng)外加正向電壓時(shí),P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散,N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散。這樣,不僅使勢(shì)壘區(qū)(耗盡區(qū))變窄,而且載流子有相當(dāng)數(shù)量的剩余存儲(chǔ),在P區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了電子,而在N區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了空穴,它們都是非平衡少數(shù)載流子,如下圖4所示。
空穴由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)后,并不是立即與N區(qū)中的電子復(fù)合而消失,而是在一定的擴(kuò)散長(zhǎng)度內(nèi),一邊繼續(xù)擴(kuò)散,一邊與電子復(fù)合消失。
這樣就會(huì)在擴(kuò)散長(zhǎng)度的范圍內(nèi)存儲(chǔ)一定數(shù)量的空穴,并形成一定空穴濃度分布,靠近結(jié)邊緣的濃度最大,離結(jié)越遠(yuǎn),濃度越小 。
正向電流越大,存儲(chǔ)的空穴數(shù)目越多,濃度分布的梯度也越大。
電子擴(kuò)散到P區(qū)的情況也類似,下圖為二極管中存儲(chǔ)電荷的分布示意圖。
我們把正向?qū)〞r(shí),非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。
當(dāng)輸入電壓突然由+VF 變?yōu)?VR 時(shí),P區(qū)存儲(chǔ)的電子和N區(qū)存儲(chǔ)的空穴不會(huì)馬上消失,而是通過(guò)以下兩個(gè)途徑逐漸減少:
① 在反向電場(chǎng)作用下,P區(qū)電子被拉回N區(qū),N區(qū)空穴被拉回P區(qū),形成反向漂移電流IR,如圖 6所示;
② 與載流子復(fù)合,在這些存儲(chǔ)電荷消失之前,PN結(jié)仍處于正向偏置,即勢(shì)壘區(qū)仍然很窄,PN結(jié)的電阻仍很小,與RL相比可以忽略。
所以此時(shí)反向電流IR ≈ VR / RL(VR 》》 VD )。
在這段期間,IR 基本上保持不變,主要由VR 和RL 所決定。
在經(jīng)過(guò)時(shí)間ts 后,P區(qū)和N區(qū)所存儲(chǔ)的電荷已顯著減小,勢(shì)壘區(qū)逐漸變寬,反向電流IR 逐漸減小到正常反向飽和電流的數(shù)值,經(jīng)過(guò)時(shí)間tt,二極管轉(zhuǎn)為截止。
所以,二極管在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過(guò)程,實(shí)質(zhì)上由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的,反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷消失所需要的時(shí)間。
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