臺(tái)積電前研發(fā)副總林本堅(jiān)：美國難擋中國大陸芯片進(jìn)程
臺(tái)積電前負(fù)責(zé)研究開發(fā)的副總經(jīng)理林本堅(jiān)（Burn J. Lin）表示：“美國無法阻止華為等中國大陸公司的半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步。中國應(yīng)該利用現(xiàn)有設(shè)備，走向下一代工程。”
10月17日，美國政府加強(qiáng)了對中國的出口限制，但林本堅(jiān)表示：“美國無法阻止中國的技術(shù)發(fā)展。不能完全阻止中國改善芯片技術(shù)?！?/p>
林本堅(jiān)說：“美國真的應(yīng)該做的是保持芯片設(shè)計(jì)的領(lǐng)導(dǎo)能力，而不是試圖限制中國的發(fā)展”，這是徒勞的且將損害全球經(jīng)濟(jì)，因?yàn)橹袊箨懻诓扇∪鎽?zhàn)略來發(fā)展其芯片產(chǎn)業(yè)。”
林本堅(jiān)表示：“除了要實(shí)現(xiàn)5納米里程碑的努力之外，中國為了制造更強(qiáng)大的半導(dǎo)體，也有可能嘗試新材料或先進(jìn)芯片封裝?！?/p>
這與Arm CEO Rene Haas的主張一致。Rene Haas在美國加強(qiáng)出口控制措施后曾表示：“美國要阻止中國大陸接近精密半導(dǎo)體的目標(biāo)很難通過出口控制實(shí)現(xiàn)?！?/p>
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