測(cè)試用波形占空比不同,對(duì)EVM和ACLR測(cè)試結(jié)果有何影響?
占空比是指單位時(shí)間內(nèi)正弦波上連續(xù)占用的時(shí)間比例。在無(wú)線電通信中,占空比指的是信號(hào)在一個(gè)周期內(nèi),用于傳輸信息的時(shí)間與一個(gè)周期的總時(shí)間之比。不同的占空比會(huì)對(duì)無(wú)線電通信中的EVM和ACLR測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響。
EVM是誤差向量幅度調(diào)制(Error Vector Magnitude)的縮寫(xiě),用于衡量在數(shù)字通信中由于干擾,多徑等造成的調(diào)制信號(hào)與原始信號(hào)之間的誤差量。EVM數(shù)值越小,表示信號(hào)品質(zhì)越好。ACLR則是帶外抑制比(Adjacent Channel Leakage Ratio)的縮寫(xiě),用于衡量調(diào)制信號(hào)在帶外對(duì)鄰頻通道造成的干擾,ACLR數(shù)值越小,表示信號(hào)抗干擾能力越強(qiáng)。
不同的占空比會(huì)對(duì)EVM和ACLR測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響。在數(shù)字調(diào)制中,占空比會(huì)影響調(diào)制波形的時(shí)域和頻域特性。如果占空比較小,調(diào)制波形的頻譜會(huì)更寬,頻譜中會(huì)包含更多的高頻成分。這樣的波形容易受到帶內(nèi)和帶外的干擾,同時(shí)也會(huì)對(duì)相鄰?fù)ǖ喇a(chǎn)生更多的干擾,導(dǎo)致ACLR變差。因?yàn)檎伎毡容^小,調(diào)制波形瞬時(shí)功率較低,如果在發(fā)送端的功率控制未能準(zhǔn)確感知到這種變化,會(huì)導(dǎo)致發(fā)射功率不穩(wěn)定,最終對(duì)EVM的測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響。
相對(duì)而言,占空比較大的波形,其瞬時(shí)功率更高,頻譜也更窄,對(duì)帶內(nèi)和帶外的干擾抵抗能力較強(qiáng),同時(shí)對(duì)相鄰?fù)ǖ赖母蓴_也較小,可以獲得更好的ACLR功率性能。然而,如果占空比過(guò)大,調(diào)制信號(hào)的頻率也會(huì)受到影響。因?yàn)檎{(diào)制波形的占空比變大,信號(hào)變慢,且信號(hào)頻率縮小對(duì)應(yīng)縮小了信號(hào)帶,會(huì)導(dǎo)致相鄰信道存在較大的干擾,從而將ACLR值也變大。
綜上所述,占空比對(duì)EVM和ACLR測(cè)試結(jié)果都有影響。因此,在進(jìn)行無(wú)線電通信中的EVM和ACLR測(cè)試時(shí),需要根據(jù)測(cè)試信號(hào)的實(shí)際情況,選擇合適的占空比。如果選擇合適的占空比,可以最大程度地減小干擾和較低測(cè)試結(jié)果誤差,有效提高信號(hào)質(zhì)量。在實(shí)際工作中,優(yōu)秀的測(cè)試工程師必須相當(dāng)熟練地掌握占空比對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,使得測(cè)試儀器的性能得到充分發(fā)揮,可靠地檢測(cè)出設(shè)備的性能指標(biāo),并為設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供科學(xué)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支持。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
在射頻設(shè)計(jì)中,我們經(jīng)常會(huì)遇到各種各樣的系統(tǒng)指標(biāo),比如EVM,VSWR,NF,ACLR等等,這么多的縮寫(xiě)搞得人云里霧里,尤其是對(duì)很多剛?cè)腴T(mén)的同學(xué)來(lái)說(shuō),不懂這些縮寫(xiě)的意思,有時(shí)候很難理解大牛們?cè)谡f(shuō)
發(fā)表于 12-24 13:57
?272次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小尺寸N溝道FemtoFETT MOSFET測(cè)試EVM.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 12-21 10:43
?0次下載
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測(cè)試EVM.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 12-21 10:41
?0次下載
BUCK電路的占空比對(duì)電流波形具有顯著的影響。以下是對(duì)這一影響的分析: 一、占空比對(duì)電流波形的影響機(jī)制 在BUCK電路中,占空比決定了開(kāi)關(guān)管
發(fā)表于 12-12 17:08
?421次閱讀
傳感器 的響應(yīng)時(shí)間對(duì)測(cè)量結(jié)果有以下幾方面的影響:測(cè)量準(zhǔn)確性 快速變化信號(hào)測(cè)量失真:當(dāng)測(cè)量對(duì)象的物理量變化較快時(shí),如果 傳感器 響應(yīng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng),就無(wú)法及時(shí)跟上變化,導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果與實(shí)際值存在偏差。例如
發(fā)表于 11-29 09:24
?254次閱讀
兩塊ADC,兩塊ADC的測(cè)試結(jié)果均出現(xiàn)相同的問(wèn)題。評(píng)估板從未更改過(guò)。
測(cè)試結(jié)果如附圖所示。
圖1使用PSIEVM測(cè)試ADS7057
發(fā)表于 11-22 13:16
ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)
發(fā)表于 11-18 15:17
?426次閱讀
EMC(電磁兼容性)電磁兼容測(cè)試是評(píng)估設(shè)備在電磁環(huán)境中能否正常工作且不對(duì)其他設(shè)備產(chǎn)生不可接受的電磁干擾的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在解讀EMC測(cè)試波形時(shí),需要掌握一定的專業(yè)知識(shí)和技能。 一、EMC測(cè)試
發(fā)表于 10-21 17:48
?679次閱讀
編寫(xiě)端到端測(cè)試用例是確保軟件系統(tǒng)從頭到尾能夠正常工作的關(guān)鍵步驟。以下是一個(gè)詳細(xì)的指南,介紹如何編寫(xiě)端到端測(cè)試用例: 一、理解端到端測(cè)試 端到端測(cè)試(End-to-End Testing
發(fā)表于 09-20 10:29
?455次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TLV1805-Q1 EVM ISO測(cè)試結(jié)果.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-19 12:43
?0次下載
分: 使用
en.SOURCES-stm32mp1-openstlinux-5.15-yocto-kirkstone-mp1-v22.06.15.tar.xz
進(jìn)行編譯
測(cè)試,
結(jié)果有報(bào)錯(cuò),但可以進(jìn)uboot
因?yàn)樾酒瑸?/div>
發(fā)表于 07-04 07:40
電源紋波測(cè)試用什么探頭 電源紋波測(cè)試是評(píng)估電源質(zhì)量的重要手段,它可以幫助我們了解電源在不同負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和紋波表現(xiàn)。在進(jìn)行電源紋波測(cè)試時(shí),選擇合適的探頭至關(guān)重要,因?yàn)樘筋^的性能直接影響測(cè)試
發(fā)表于 06-10 17:16
?871次閱讀
PTCRB的測(cè)試用類認(rèn)證等級(jí)CategoryA/B/EA類項(xiàng):測(cè)試用例在商用系統(tǒng)上經(jīng)過(guò)完全驗(yàn)證;必測(cè)項(xiàng)且需要結(jié)果為PASSB類項(xiàng):測(cè)試用例在商用系統(tǒng)上經(jīng)過(guò)部分驗(yàn)證(標(biāo)準(zhǔn)或系統(tǒng)有缺陷);
發(fā)表于 03-14 16:46
?405次閱讀
TLT507-EVM-評(píng)估板測(cè)試手冊(cè)
發(fā)表于 01-26 09:27
?743次閱讀
TL3588-EVM評(píng)估板測(cè)試手冊(cè)
發(fā)表于 01-24 10:27
?918次閱讀
評(píng)論