日本佳能公司10月13日宣布,將推出fpa-1200nz2c納米印花(nil)半導(dǎo)體制造設(shè)備。該設(shè)備執(zhí)行電路模式傳送,這是最重要的半導(dǎo)體制造工程。
據(jù)佳能介紹,傳統(tǒng)的光刻設(shè)備將電路圖案投射到涂有防腐劑的晶片上,而新產(chǎn)品就像郵票一樣,在晶片上印上印有電路圖案的掩模來實現(xiàn)這一目標(biāo)。由于電路圖案的傳遞過程不經(jīng)過光學(xué)結(jié)構(gòu),因此可以在晶片上準(zhǔn)確再現(xiàn)掩模的細(xì)微電路圖案。
目前佳能的nil技術(shù)將對應(yīng)5納米節(jié)點邏輯半導(dǎo)體的模式的最小線幅設(shè)定為14納米。此外,隨著掩模技術(shù)的發(fā)展,nil將提供10納米的最小圖案寬度,相當(dāng)于2納米節(jié)點。
5納米芯片制造設(shè)備業(yè)界由asml主導(dǎo),因此佳能的納米打印方式將縮小其差距。
有報道稱,佳能的裝備也可能成為中美競爭的新戰(zhàn)線。美國禁止向中國出口euv設(shè)備。這是目前為止能夠制造出5納米或更小芯片的唯一可靠方法。
佳能的技術(shù)完全超越了光刻技術(shù),可以將必要的電路圖案印刷到硅晶片上。由于它的新穎性,現(xiàn)有的貿(mào)易限制不太可能明確禁止它。
佳能發(fā)言人拒絕評論新設(shè)備是否會受到日本的出口限制。
據(jù)悉,納米壓力機(nano press)是SK海力士和東芝作為光學(xué)光刻的低費用替代方案推進(jìn)的,東芝的前存儲器事業(yè)部負(fù)責(zé)人在納米壓力機商用化之前,曾對佳能的納米壓力機進(jìn)行過測試。
佳能在2014年收購了納米印花的先驅(qū)molecular imprints inc.對該技術(shù)進(jìn)行了近10年的研究。佳能還以2025年啟動為目標(biāo),20年來首次在東京北部的宇都宮市建設(shè)照相設(shè)備新工廠。
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