可在125°C 環(huán)境下工作的汽車級I2C接口FeRAM

I²C 接口 512Kbit FeRAM

MB85RC512LY

加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司于近期宣布推出 I²C 接口 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY"，這是富士通半導體汽車級 I²C 接口 FeRAM 產(chǎn)品中密度最高的一款。目前可提供評估樣品（圖1）。

圖 1：MB85RC512LY 封裝

該產(chǎn)品可確保在 125°C 高溫條件下的低工作電流和 10 萬億次讀/寫循環(huán)時間。FeRAM 產(chǎn)品是工業(yè)機器人和汽車應(yīng)用（如高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)）的最佳選擇（圖 2）。使用 I²C 接口平臺的客戶在開發(fā)終端產(chǎn)品時，通過使用這種 FeRAM 存儲器部件，無需對設(shè)計進行重大修改。

圖2：FeRAM使用示例

自2017年以來，富士通半導體一直在批量生產(chǎn)64Kbit至4Mbit汽車級FeRAM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品可在高達125°C的環(huán)境中運行，并帶有SPI接口。然而，對于已經(jīng)在 I²C 接口平臺上使用存儲器件的客戶來說，存在必須重新設(shè)計其最終產(chǎn)品接口的問題。在此背景下，富士通半導體一直在開發(fā) I²C 接口的 FeRAM 產(chǎn)品，并成功開發(fā)出了可在 1.8V 低電源電壓下工作的 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY"。

MB85RC512LY 是一款 512Kbit 非易失性存儲器件，可在 1.7V 至 1.95V 的低電源電壓下工作。它具有極低的工作電流，例如在 3.4MHz 工作頻率下最大電流為 0.4mA，并可在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)保證 10 萬億次讀/寫循環(huán)時間。這一特性非常適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如，即使每 0.03 毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，也能在同一地址記錄 10 年的數(shù)據(jù)。

新型 FeRAM 產(chǎn)品可以解決在使用存儲器產(chǎn)品時出現(xiàn)的以下問題(圖 3）。

圖3：客戶的問題和解決方案

在系統(tǒng)中使用 I²C 接口傳統(tǒng)存儲器的客戶

問題：希望使用 FeRAM，但至今沒有 125°C 工作溫度的 I²C 接口產(chǎn)品

解決方案： 使用新型 FeRAM，無需更改系統(tǒng)中的接口設(shè)計。

客戶需要工作溫度為 125°C 的 512K 位存儲器

問題： 由于缺乏合適的密度，必須獲得比 512Kbit 更高密度的存儲器

解決方案： 使用具有精確密度的新型 FeRAM，無需購買高密度存儲器。

使用 125°C 工作溫度 EEPROM 的客戶

問題：由于寫入耐久性高達 100 萬次，設(shè)計受到限制。

解決方案： 使用讀/寫耐久性高達 10 萬億次的新型 FeRAM。

汽車級 FeRAM 系列有 3.3V 和 1.8V 兩種工作電壓，適用于 I²C 和 SPI 接口產(chǎn)品。隨著 MB85RC512LY 的推出，符合 AEC-Q100 標準的 FeRAM 系列自去年以來又增加了 7 款新產(chǎn)品。此外，還有 4 款新型 1Mbit 產(chǎn)品正在開發(fā)中。(圖 4）

圖4：汽車級FeRAM產(chǎn)品陣容

富士通半導體存儲器解決方案公司認為，由于客戶尋求的應(yīng)用多種多樣，因此所需的存儲器密度也需要多樣化。我們將繼續(xù)提供最佳的存儲器產(chǎn)品和解決方案，以提高客戶應(yīng)用的價值和便利性。

MB85RC512LY的主要規(guī)格

關(guān)于富士通半導體存儲器解決方案有限公司

關(guān)于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

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