為什么用PTAT電流來偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT？
熱電壓Vt可以用式1表示為：
公式表明Vt與絕對(duì)溫度T成正比（PTAT）。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來偏置亞閾值區(qū)的MOS管，可以消除Vt對(duì)gm的影響。
兩個(gè)diode的電壓差寫為：
如果兩個(gè)二極管的結(jié)面積A和電流 I 匹配并且其比例大于 1, 這個(gè)電壓差就趨近于Vt，那么兩個(gè)二極管的電壓差是PTAT電壓。我們已經(jīng)知道工作在亞閾值區(qū)的MOS管其I-V特性類似于diode，那我們根據(jù)式2可以得出這樣一個(gè)結(jié)論：
如果兩個(gè)MOSFET的電流和寬長(zhǎng)比匹配并且比例大于1，那么這個(gè)電壓差近于 Vt，或者說，兩個(gè)亞閾值區(qū) MOSFET 的Vgs差值是PTAT電壓。
此時(shí)，如果我們要得到一個(gè)PTAT電流，可以通過 ＶＰＴＡＴ／Ｒ來得到。電阻R的溫漂越小越好。
下圖是一種常用的產(chǎn)生PTAT電流的常用結(jié)構(gòu)：
電阻Rｐ上產(chǎn)生的電流可以表示為：
通常MP２與MP１的寬長(zhǎng)比為４：１等。根據(jù)個(gè)人經(jīng)驗(yàn)，MP２工作在亞閾值區(qū)時(shí)Ｖｇｔ可為－５０ｍＶ左右。如果在低壓低功耗設(shè)計(jì)下這一個(gè)值甚至可達(dá)到－２００ｍＶ。當(dāng)然，這不是絕對(duì)的，基本就在這個(gè)范圍左右。僅供參考?。。?/p>
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