SELA是通過(guò)刻痕和斷裂的雙重過(guò)程制備樣品,獲得高質(zhì)量截面。標(biāo)準(zhǔn)的制備過(guò)程包括以下兩個(gè)主要階段:
? 通過(guò)一個(gè)兩級(jí)精密微裂解的設(shè)備,來(lái)制備已經(jīng)預(yù)設(shè)定寬度并已做好裂解位置標(biāo)記點(diǎn)的晶片段;
? 通過(guò)精密的納米裂解設(shè)備,來(lái)制備已經(jīng)做好裂解位置標(biāo)記點(diǎn)的截面樣品。
季豐電子可以精準(zhǔn)、快速地獲得樣品截面,并在一分鐘內(nèi)完成單個(gè)樣品的裂解(包括切割目標(biāo)的兩側(cè)),并確保樣品擁有微米級(jí)的精度和極高的截面質(zhì)量。配備軟件和算法,可實(shí)現(xiàn)在半自動(dòng)裂解過(guò)程中精確地完成定點(diǎn)裂片。
設(shè)備規(guī)格指標(biāo)
硅晶片:任何標(biāo)準(zhǔn)的晶片材料,單芯片。
硅片類型:<100>
截面精度:±5 微米,1西格瑪(單工藝和SDO工藝)
附加材料:砷化鎵、磷化銦、或者其他具有正交晶體矢量的單晶結(jié)構(gòu)。
晶片樣品厚度:80~1000um
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:季豐電子新引入精密芯片裂片設(shè)備SELA—MC10
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