0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的?

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-20 17:05 ? 次閱讀

為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的?

Vgs電壓,也就是場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的柵源電壓,在某些情況下可以被認(rèn)為是恒定的。這是因?yàn)樵贔ET工作的過(guò)程中,柵電極和源極之間沒有導(dǎo)電材料。這意味著,當(dāng)FET被放置于電路中時(shí),柵極和源極之間的電勢(shì)差(Vgs)就是關(guān)于FET各個(gè)元件參數(shù)的函數(shù)。從物理學(xué)的角度,這意味著在不改變FET的工作狀態(tài)或環(huán)境的情況下,Vgs電壓可以被認(rèn)為是不變的。本篇文章將從以下幾個(gè)方面來(lái)詳細(xì)、詳實(shí)、細(xì)致地探討為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的。

1. 元器件的物理性質(zhì)

FET包含一根被稱為匯漏區(qū)的導(dǎo)體管。在N型FET中,這根導(dǎo)體管由一片P型材料和一片N型材料組成,中間被一個(gè)障壁隔開。當(dāng)正向電流從源極流入時(shí),障壁上的一些電子會(huì)穿過(guò)它,并流向匯極。這個(gè)隔離器將障壁兩側(cè)的電荷隔離開來(lái),從而FET的輸出特性變得更為敏感。這種構(gòu)造使FET能夠控制柵極和源極之間的電壓,進(jìn)而控制它的導(dǎo)通程度。由于匯漏區(qū)只是一個(gè)導(dǎo)體管,柵極和源極之間是沒有導(dǎo)體連接的。這意味著在FET處于某個(gè)狀態(tài)時(shí),Vgs是不變的。

2. 動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

當(dāng)FET工作在某個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),它的電動(dòng)勢(shì)和電容都會(huì)導(dǎo)致Vgs電壓的波動(dòng)。假設(shè)在某個(gè)時(shí)間點(diǎn)t1,F(xiàn)ET的電容充滿了一定的電荷,使它處于某種穩(wěn)定狀態(tài)。在t1時(shí),Vgs的值可能會(huì)略微波動(dòng),但是這種波動(dòng)會(huì)很快就被電容吸收。由于這樣的波動(dòng)并不會(huì)改變FET的狀態(tài),所以Vgs在FET處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)應(yīng)該被認(rèn)為是不變的。

3. 環(huán)境影響

在某些情況下,外部環(huán)境的變化可能會(huì)導(dǎo)致FET的狀態(tài)發(fā)生變化,從而改變柵源電壓。例如,在高溫下FET的電子遷移率可能會(huì)改變,而這可能會(huì)導(dǎo)致柵源電壓的波動(dòng)。不過(guò),由于FET的物理特性可以通過(guò)物理學(xué)定律來(lái)描述,這些變化可以通過(guò)數(shù)學(xué)方法進(jìn)行建模。只要環(huán)境的變化可以被預(yù)測(cè)和測(cè)量,那么柵源電壓就可以被認(rèn)為是不變的。

綜上所述,Vgs電壓是不變的這一假設(shè)來(lái)源于FET的物理特性和總體動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性。雖然在某些情況下外部環(huán)境的變化可能會(huì)導(dǎo)致Vgs電壓的波動(dòng),但這些波動(dòng)可以被預(yù)測(cè)和測(cè)量,并且可以通過(guò)數(shù)學(xué)方法來(lái)建模。因此,Vgs電壓可以被認(rèn)為是不變的。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 場(chǎng)效應(yīng)管

    關(guān)注

    47

    文章

    1177

    瀏覽量

    64742
  • FET
    FET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    664

    瀏覽量

    63325
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

    過(guò)程中MOSFET開關(guān)損耗功率MOSFET的柵極電荷特性如圖1所示。值得注意的是:下面的開通過(guò)程對(duì)應(yīng)著BUCK變換器上管的開通狀態(tài),對(duì)于下管是0電壓開通,因此開關(guān)損耗很小,可以忽略不計(jì)。 圖1 MOSFET
    發(fā)表于 02-26 14:41

    DAC8830輸出電壓一直保持不變的原因?

    問(wèn)題1:DAC8830輸出電壓一直保持不變; 問(wèn)題2:DAC8830上電,輸出不復(fù)位到0,輸出電壓值是上次斷電前輸入的數(shù)據(jù); SPI引腳時(shí)序圖SDI與SCLK,SCLK與CS,由于只有兩通
    發(fā)表于 11-22 13:49

    MOS管的導(dǎo)通電壓與漏電流關(guān)系

    MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通電壓與漏電流之間的關(guān)系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對(duì)這一關(guān)系的分析: 一、MOS管的導(dǎo)通電壓 MOS管的導(dǎo)通電壓通常指的是柵極-源極電壓
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:03 ?1590次閱讀

    使用低電流和高噪聲輸入電源的LM5050-1實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的VGS

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用低電流和高噪聲輸入電源的LM5050-1實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的VGS.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-08 10:27 ?0次下載
    使用低電流和高噪聲輸入電源的LM5050-1實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的<b class='flag-5'>VGS</b>

    mosfet里vgs和vds的關(guān)系

    在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基本定義 Vgs(柵極-源極
    的頭像 發(fā)表于 09-29 09:53 ?7012次閱讀

    AMC1200輸入電壓范圍超過(guò)±320mV后,輸出電壓恒定不變

    AMC1200輸入電壓范圍超過(guò)±320mV 后,是否如Datasheet中Figure 14.所說(shuō),輸出電壓恒定不變。 謝謝!
    發(fā)表于 09-26 06:23

    mos管柵極電壓控制多少最好

    影響電流的流動(dòng)和信號(hào)的放大。 柵極電壓控制的一般原則 閾值電壓(Vth) : 閾值電壓是MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵源電壓VGS
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:42 ?1526次閱讀

    使用XTR111和P-Mos管搭建了一個(gè)電流源,VG引腳的輸出電壓一直為5V不變,是什么原因?

    我使用XTR111和P-Mos管搭建了一個(gè)電流源,但是測(cè)試發(fā)現(xiàn),改變6號(hào)引腳的輸入電壓,輸出電流不變,且VG引腳的輸出電壓一直為5V不變,REGF引腳的輸出
    發(fā)表于 09-12 08:14

    在仿真OPA2333提供的電流源電路時(shí),輸入電壓時(shí)鐘不變,為什么?

    如圖,我在仿真OPA2333提供的電流源電路時(shí),輸入電壓改變,但在圖中20歐電阻的電壓始終不變為1.86V,理論上應(yīng)為1V,但怎么都不對(duì),我圖上的MOS管,開啟電壓分別是1.2V和-
    發(fā)表于 09-09 07:25

    在航天和國(guó)防應(yīng)用中使用射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)快速VGS開關(guān)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在航天和國(guó)防應(yīng)用中使用射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)快速VGS開關(guān).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-28 09:49 ?0次下載
    在航天和國(guó)防應(yīng)用中使用射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)快速<b class='flag-5'>VGS</b>開關(guān)

    使用XTR108,多路選擇和電流大小Iref可以正常工作,但是輸出保持不變,為什么?

    現(xiàn)在在使用XTR108,在設(shè)計(jì)工程中遇到了一些問(wèn)題,多路選擇和電流大小Iref可以正常工作,但是輸出保持不變,第9腳Vo輸出大小不變,不知道是什么地方出現(xiàn)了問(wèn)題,希望能幫忙解決一下,感激不盡。
    發(fā)表于 08-22 06:12

    XTR111輸出電流開路時(shí),VG引腳輸出電壓會(huì)超過(guò)MOS管的VGS,會(huì)導(dǎo)致MOS管損壞?

    30V供電,輸出電流開路時(shí),VG引腳輸出電壓會(huì)超過(guò)MOS管的VGS,會(huì)導(dǎo)致MOS管損壞?是不是電源電壓不能超過(guò)mos管的VGS
    發(fā)表于 08-07 07:30

    pmos飽和條件vgs與vds關(guān)系

    PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點(diǎn),如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論P(yáng)MOS晶體管的飽和條件,以及VGS(柵源電壓
    的頭像 發(fā)表于 07-31 14:58 ?6016次閱讀

    5 Vgs MOSFET評(píng)估板ONS321A5VGEVB數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5 Vgs MOSFET評(píng)估板ONS321A5VGEVB數(shù)據(jù)手冊(cè).rar》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-23 16:03 ?0次下載
    5 <b class='flag-5'>Vgs</b> MOSFET評(píng)估板ONS321A5VGEVB數(shù)據(jù)手冊(cè)

    5 Vgs MOSFET評(píng)估板ONS321A5VGEVB數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5 Vgs MOSFET評(píng)估板ONS321A5VGEVB數(shù)據(jù)手冊(cè).rar》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-23 16:03 ?0次下載
    5 <b class='flag-5'>Vgs</b> MOSFET評(píng)估板ONS321A5VGEVB數(shù)據(jù)手冊(cè)