5-100v電流倒灌和高邊開關(guān)的解決方案介紹

MX16171D100是無(wú)錫明芯微的一款耐壓100V的理想二極管，自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)外部的NMOSFET，使得回路的壓降低于20mV，并且具有低于1us的反向快速關(guān)斷功能

MX5069是無(wú)錫明芯微的一款耐壓100V的高邊驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品集成了輸入過壓、欠壓、過流等保護(hù)功能；另外此款產(chǎn)品還具有軟起動(dòng)功能尤其適合較大的容性負(fù)載以及電池欠壓充電的狀態(tài)；內(nèi)置的PGOOD可以為SOC提供狀態(tài)指示

在充電電流比較大的應(yīng)用中，用戶往往使用多顆PMOSFET并聯(lián)使用作為高邊開關(guān)，成本較高，且體積較大。在此電路中MX5069配合NMOSFET不僅可以降低成本、縮小體積，而且可以實(shí)現(xiàn)多種保護(hù)功能。

而在防反電路中用戶往往使用肖特基并聯(lián)，不僅體積大、壓降大，而且由于肖特基壓降的負(fù)溫度特性導(dǎo)致并聯(lián)失衡，容易炸管。推薦用戶使用MX16171D100配合MOSFET可以完美解決上述肖特基帶來(lái)的問題。

MX5069除了應(yīng)用于充電回路以外，在BMS的放電回路同樣適用，如果用戶為了實(shí)現(xiàn)負(fù)端地的連續(xù)性，往往使用高邊放電NMOSFET，如下圖所示

當(dāng)用戶系統(tǒng)電壓低于40V且充電電流小于5A時(shí)，可以選用無(wú)錫明芯微的單芯片集成方案MX26631DL，內(nèi)部集成30mΩ的高邊NMOSFET用于開關(guān)，僅僅增加外部NMOSFET就可以實(shí)現(xiàn)防反的功能。MX26631同時(shí)集成了過壓、欠壓、過流及軟起動(dòng)的功能，為用戶節(jié)約大量的開發(fā)周期及冗余電路。另外MX26631DL還可以為SOC提供當(dāng)前的工作狀態(tài)以及報(bào)告當(dāng)前的通路電流，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)工作狀態(tài)的全面監(jiān)控。

如果用戶目前開發(fā)的AFE充放電管理的驅(qū)動(dòng)都可以實(shí)現(xiàn)，此時(shí)用戶只需要增加防反的理想二極管，可以選用無(wú)錫明芯微電子的MX5050T、MX16171D100或者M(jìn)X5052S以及MX74610T等產(chǎn)品。

審核編輯：湯梓紅