三、共柵級(jí)(Common-Gate Stage)
圖3.1.1 共柵級(jí)
圖1.1.1 電阻負(fù)載的共源級(jí)
1.分析與簡(jiǎn)化
不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卣f,共柵級(jí)與共源級(jí)是一樣的?;乜磫渭?jí)放大器1中的電阻負(fù)載的共源級(jí),與圖3.1.1相比,兩者最大的不同是共源級(jí)從柵極輸入信號(hào),而共柵級(jí)從源極輸入信號(hào)。
兩者相同點(diǎn)在于,都是通過改變M1的VGS產(chǎn)生小信號(hào)電流,流經(jīng)負(fù)載產(chǎn)生輸出信號(hào)。 這樣去理解,那我們的思路就豁然開朗了。
但分析兩者之間的區(qū)別對(duì)我們來說才是重要的,有以下2個(gè)不同:
①共柵級(jí)以源極為信號(hào)輸入端,輸入阻抗??;②共柵級(jí)的源極與襯底之間存在電位差,需要考慮襯底偏置效應(yīng)(體效應(yīng))。
2.重要指標(biāo)的推導(dǎo)
因此,共柵級(jí)的等效跨導(dǎo)由gm1變?yōu)?gm1+gmb1):
gm1 → (gm1+gmb1)
可見體效應(yīng)增大了共柵級(jí)的等效跨導(dǎo)。
輸入阻抗為:
R in =1/(gm1+gmb1)
******可見體效應(yīng)進(jìn)一步減小了共柵級(jí)的輸入阻抗。
輸出阻抗與共源級(jí)一致:
Rout=RD||ro1
故增益為:
**** |Av| =**(gm1+gmb1)( RD||ro1 ****** )
可見體效應(yīng)增大了共柵級(jí)的增益。
3.共柵級(jí)的特點(diǎn)
①可以****用作阻抗變換。 輸入阻抗是晶體管跨導(dǎo)的函數(shù),可以通過改變晶體管偏置條件控制輸入阻抗,在阻抗匹配中很有用。
② 增益比共源級(jí)略大。 體效應(yīng)增大了共柵級(jí)的等效跨導(dǎo)。
四、共源共柵級(jí)(Cascode Stage)
圖4.1.1 電阻負(fù)載的共源級(jí)
這一部分非常重要!?。。。?!用得很多?。。。。。?/strong>
但是我懶得寫了,大同小異,大概就是共源級(jí)+共柵級(jí)。
最主要這幾個(gè)特點(diǎn):
①輸出阻抗很大。可以參考我MOS等效輸入阻抗那篇文章。
②增益很大。輸出阻抗很大,所以增益也很大。
③限制輸出動(dòng)態(tài)范圍(Swing)。同一條支路堆疊了更多的MOS,要保證其一直工作在飽和區(qū),就需要消耗一定的壓降。
因此,輸出電壓的最大值、最小值都會(huì)受到限制。可以采用折疊共源共柵緩解這個(gè)問題,但是會(huì)增加功耗。
④屏蔽特性。因?yàn)樵鲆婧艽?,所以輸出端的電壓變化基本上不?huì)影響到輸入端。
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