STM32與GD32橫向?qū)Ρ葏^(qū)別

GD32 是國產(chǎn)單片機(jī)，據(jù)說開發(fā)人員來自ST公司，GD32 也是以 STM32 作為模板做出來的。所以 GD32 和 STM32 有很多地方都是一樣的，不過 GD32 畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用 STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。不同的地方如下：

1、內(nèi)核

GD32 采用二代的 M3 內(nèi)核，STM32 主要采用一代 M3 內(nèi)核， ARM 公司的 M3 內(nèi)核勘誤，GD 使用的內(nèi)核只有 752419 這一個 BUG。

2、主頻

使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M

使用HSI(高速內(nèi)部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M

主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會更快，項(xiàng)目中如果需要進(jìn)行刷屏，開方運(yùn)算，電機(jī)控制等操作，GD 是一個不錯的選擇。

3、供電

外部供電：GD32 外部供電范圍是 2.63.6V，STM32 外部供電范圍是2.0 3.6V或1.65~ 3.6V。GD 的供電范圍比 STM32 相對要窄一點(diǎn)。

內(nèi)核電壓：GD32 內(nèi)核電壓是 1.2V，STM32 內(nèi)核電壓是 1.8V。GD 的內(nèi)核電壓比 STM32 的內(nèi)核電壓要低，所以 GD 的芯片在運(yùn)行的時候運(yùn)行功耗更低。

4、Flash差異

GD32 的 Flash 是自主研發(fā)的，和 STM32 的不一樣。

GD Flash 執(zhí)行速度：GD32 Flash 中程序執(zhí)行為 0 等待周期。

STM32 Flash 執(zhí)行速度：ST 系統(tǒng)頻率不訪問 flash 等待時間關(guān)系：0 等待周期，當(dāng) 0

Flash 擦除時間：GD 擦除的時間要久一點(diǎn)，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的：GD32F103/101 系列 Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值 100ms， 實(shí)際測量 60ms 左右。對應(yīng)的 ST 產(chǎn)品 Page Erase 典型值 20~40ms。

5、功耗

從下面的表可以看出 GD 的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD 的運(yùn)行功耗比 STM32小，但是在相同的設(shè)置下 GD 的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比 STM32 還是要高的。

6、串口

GD 在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個 Bit 的 Idle，而 STM32 沒有，如下圖：

GD 的串口在發(fā)送的時候停止位只有 1/2 兩種停止位模式。STM32 有 0.5/1/1.5/2 四種停止位模式。

GD 和 STM32 USART 的這兩個差異對通信基本沒有影響，只是 GD 的通信時間會加長一點(diǎn)。

7、ADC 差異

GD 的輸入阻抗和采樣時間的設(shè)置和 ST 有一定差異，相同配置 GD 采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在 72M 的主頻下，ADC 的采樣時鐘為 14M 的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：

8、FSMC

STM32 只有 100Pin 以上的大容量（256K及以上）才有 FSMC，GD32 所有的 100Pin 或 100Pin 以上的都有 FSMC。

9、103 系列 RAM&FLASH 大小差別

GD103 系列和 ST103 系列的 ram 和 flash 對比如下圖：

10、105&107系列STM32和GD的差別

GD的105/107的選擇比ST的多很多，具體見下表：

11、抗干擾能力

GD 的抗干擾能力不如 STM32，還需要一定打磨。

總結(jié)：STM32 和 GD32 是同質(zhì)化產(chǎn)品，區(qū)別一個是國外，一個是國產(chǎn)；就像目前的國產(chǎn)車和進(jìn)口車，可能在底盤 駕駛感受等方面還有些差異 但是我們相信，假以時日，國產(chǎn)一定能夠進(jìn)步，一定能夠媲美進(jìn)口器件。最近流行國產(chǎn)化替代，所以 GD32 還是很有發(fā)展前景的。