開(kāi)關(guān)電源炸機(jī)究竟是什么原因呢

電源工程師最怕什么？炸機(jī)！炸機(jī)的狀況總會(huì)成為他們心里說(shuō)不出的“痛”，里面昂貴的元器件如果出現(xiàn)炸機(jī)狀況，那么在設(shè)計(jì)過(guò)程中的成本就會(huì)大幅提升。那么問(wèn)題來(lái)了，開(kāi)關(guān)電源炸機(jī)究竟是什么原因呢？

炸機(jī)的原因有很多，首先要做的事情就是找到問(wèn)題的關(guān)鍵。本文我們通過(guò)案例整理了一些解決思路和要點(diǎn)，希望對(duì)大家有所幫助。

以下為測(cè)試樣機(jī)圖片：

CR6249TM樣機(jī)圖片

【應(yīng)用】小功率電源適配器/蜂窩電話(huà)充電器/數(shù)碼電源充電器/電腦和服務(wù)器輔助電源/替代線性調(diào)整器和RCC【規(guī)格】24V1A

【控制IC】CR6249TM

關(guān)于CR6249TM

產(chǎn)品概述

CR6249TM是一款高性能原邊檢測(cè)控制的PWM開(kāi)關(guān)，待機(jī)功耗小于75mW。CR6249TM內(nèi)部采用了多模式控制的效率均衡技術(shù)，用于優(yōu)化芯片系統(tǒng)待機(jī)功耗。QR控制模式提升效率，同時(shí)采用了初級(jí)電感量補(bǔ)償技術(shù)和內(nèi)部集成的輸出線電壓補(bǔ)償技術(shù)，保證了芯片在批量生產(chǎn)過(guò)程中CC/CV輸出精度，內(nèi)置的全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償技術(shù)保證了系統(tǒng)在全電壓范圍（90V~264V）內(nèi)輸出恒定的功率。

CR6249TM集成了多種功能和保護(hù)特性，包括欠壓鎖定（UVLO），VDD過(guò)壓 保護(hù)（OVP），軟啟動(dòng)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），逐周期電流限制（OCP），CS 引腳懸空保護(hù)，輸出短路保護(hù)，內(nèi)置前沿消隱電路，輸出整流二極管短路保護(hù)電路，輸出過(guò)壓保護(hù)電路。而且內(nèi)置所有PIN腳懸空保護(hù)功能，使得芯片具有更高的可靠性。

主要特點(diǎn)

●待機(jī)功耗低于75mW

●原邊檢測(cè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，無(wú)需光耦和TL431

●全電壓范圍內(nèi)高精度恒壓和恒流輸出

●可編程CC/CV模式控制

●采用多模式控制的效率均衡技術(shù)

●高能效QR控制模式

●內(nèi)置輸出線電壓補(bǔ)償功能

●內(nèi)置初級(jí)電感量偏差補(bǔ)償功能

●內(nèi)置全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償功能

●動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)功能

●內(nèi)置過(guò)溫度保護(hù)功能

●內(nèi)置輸出短路保護(hù)功能

●內(nèi)置前沿消隱

●啟動(dòng)電流和工作電流低

●VDD端過(guò)壓保護(hù)和鉗位保護(hù)

●逐周期過(guò)流保護(hù)

●內(nèi)置輸出整流二極管短路保護(hù)

●內(nèi)置輸出過(guò)壓保護(hù)功能

●內(nèi)置所有PIN腳懸空保護(hù)功能

●DIP-8L綠色封裝

基本應(yīng)用

●小功率電源適配器

●蜂窩電話(huà)充電器

●數(shù)碼電源充電器

●電腦和服務(wù)器輔助電源

●替代線性調(diào)整器和RCC

典型應(yīng)用

引腳分布

引腳描述

【問(wèn)題描述】

客戶(hù)反映，生產(chǎn)過(guò)程中，部分炸機(jī)。

【解決思路】

樣機(jī)炸毀的原因有很多，首先要做的事情就是找到問(wèn)題點(diǎn)：1、首先可以在炸毀的樣機(jī)上確定哪些元器件損壞，大概哪個(gè)地方發(fā)生爆炸來(lái)大致確定問(wèn)題所在。

2、再拿一臺(tái)良品樣機(jī)做基本的測(cè)試，把所有有可能發(fā)生的隱患都檢測(cè)一遍，例如MOS及肖特基的應(yīng)力安全、變壓器是否磁飽和等。

3、最后再分析元器件的選型是否合理，以及工廠的生產(chǎn)是否有疏漏，生產(chǎn)的哪一步環(huán)節(jié)出現(xiàn)問(wèn)題。

【調(diào)通要點(diǎn)】

經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)AC264V時(shí)MOS管的應(yīng)力達(dá)到630V，而MOS的最大應(yīng)力只有650V，已經(jīng)差不多到達(dá)臨界值，繼續(xù)測(cè)試。

測(cè)試開(kāi)關(guān)切載瞬間MOS應(yīng)力達(dá)到的最大值有662V，已經(jīng)超過(guò)了MOS管的最大值650V，說(shuō)明炸機(jī)很有可能是因?yàn)镸OS的損壞。

猜測(cè)MOS的應(yīng)力不夠而產(chǎn)生的炸機(jī)，于是想辦法改善MOS應(yīng)力。經(jīng)觀察波形可見(jiàn)紅色方框內(nèi)的尖尖過(guò)高，說(shuō)明吸收電路并未完全發(fā)揮作用，于是嘗試調(diào)整吸收電路。

【最終結(jié)果】

經(jīng)過(guò)改善后可以看到AC264V樣機(jī)正常工作時(shí)，MOS應(yīng)力在590V左右，而開(kāi)機(jī)切載瞬間MOS的最大應(yīng)力只有600V，留有一定余量，消除了MOS尖峰過(guò)高而導(dǎo)致炸機(jī)的隱患。