雙束聚焦離子束FIBSEM在微電子技術(shù)中的應(yīng)用

近期不少客戶朋友咨詢博仕檢測(cè)工程師，關(guān)于芯片橫截面采用FIB切片分析的制樣品的問題，這篇文章分享給大家，希望能幫到大家。

聚焦離子束技術(shù)（FIB）原理：

聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)利用鎵離子源和雙透鏡聚焦柱，用強(qiáng)烈的聚焦離子束轟擊標(biāo)本表面，以進(jìn)行精密材料去除、沉積和高分辨率成像。簡(jiǎn)單來說是聚合了FIB處理樣品和SEM觀察成相的功能。其中FIB是將Ga元素離子化成Ga+，然后利用電場(chǎng)加速，再利用靜電透鏡聚焦將高能量的Ga+打到指定點(diǎn)從而達(dá)到處理樣品的功能。

（PS大多數(shù)商用FIB都用Ga源，也有部分具有He和Ne等離子源）

聚焦離子束FIB切片截面分析過程：

FIB技術(shù)可以精確地在器件的特定微區(qū)進(jìn)行截面觀測(cè)，形成高分辨的清晰圖像，并且對(duì)所加工的材料沒有限制，同時(shí)可以邊刻蝕邊利用SEM實(shí)時(shí)觀察樣品，截面分析是FIB最常見的應(yīng)用。這種刻蝕斷面定位精度極高，在整個(gè)制樣過程中樣品所受應(yīng)力很小，制作的斷面因此也具有很好的完整性。這種應(yīng)用在微電子領(lǐng)域具體運(yùn)用場(chǎng)合主要有：定點(diǎn)觀測(cè)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；失效樣品分析燒毀的具體位置并定位至外延層；分析光發(fā)射定位熱點(diǎn)的截面結(jié)構(gòu)缺陷。

聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) FIB-SEM應(yīng)用

聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統(tǒng)主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標(biāo)記以及TEM超薄片樣品的制備。

FIB-SEM測(cè)試：

線路板PCB電路斷裂位置，利用SEM觀察銅箔金相。

FIB切割PCB電路截面分析

FIB切割PCB電路截面分析

微米級(jí)芯片樣品缺陷FIB-SEM截面測(cè)試

半導(dǎo)體芯片橫截面分析 -FIB-SEM EDS 測(cè)試

審核編輯 黃宇