目前,我們在許多的應(yīng)用中都能看到能量采集的身影,例如傳感器節(jié)點、風(fēng)力渦輪機(jī)和室內(nèi)供能應(yīng)用等;在電力線無法到達(dá)的偏遠(yuǎn)地區(qū),風(fēng)能或太陽能采集可以為電池供電系統(tǒng)提供一個可行的替代能源。
太陽能發(fā)電系統(tǒng)由太陽能電池組、太陽能控制器、蓄電池 (組) 組成,通常需要一塊物理尺寸很大的太陽能板和一套巨大的熱能采集裝置,系統(tǒng)在工作中需要記錄從傳感器的發(fā)電,功率消耗,日照和溫度數(shù)據(jù)等;一般設(shè)計人員希望將傳感器或其它數(shù)據(jù)存儲在非易失性存儲器中,因為即使在電力中斷時,也可以恢復(fù)采集到的數(shù)據(jù)。所以,例如EEPROM或FLASH現(xiàn)存的通用存儲器技術(shù)在這些能量受限的情況下并不是最佳選擇。
使用國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC:
鐵電存儲器技術(shù)是將SRAM存儲器的很多優(yōu)勢結(jié)合在一起,而同時又具有FLASH存儲器的非易失性。一個關(guān)鍵優(yōu)勢就是超低功耗非易失性FRAM的寫入,與FLASH不同的是,這些寫入無需預(yù)擦除周期,從而節(jié)省了時間和電能。另外一個優(yōu)勢就是鐵電存儲器單元的固有低壓寫入,傳統(tǒng)閃存或EEPROM技術(shù)需要一個集成電荷泵來完成預(yù)擦除周期,而這通常需要5-10mA的電流,運行時間則需要數(shù)百毫秒,在需要頻繁非易失性寫入的應(yīng)用中,這個額外的能耗會消耗可觀的電池電量或采集得來的能量。
PB85RS2MC性能優(yōu)勢和應(yīng)用特征:
1、PB85RS2MC配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2、PB85RS2MC具有讀寫速度快(最高100萬次)、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點。
3、PB85RS2MC最低功耗9微安(待機(jī)),工作電壓2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。
4、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作頻率25兆赫茲,并支持40MHz高速讀命令。
5、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃,封裝為8引腳SOP封裝,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯)。
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