納微半導(dǎo)體將展示下一代功率半導(dǎo)體的重大突破

下一代平臺(tái)將為數(shù)據(jù)中心、太陽能、電動(dòng)汽車、家電及工業(yè)市場設(shè)定新標(biāo)桿

加利福尼亞州托倫斯，2023年8月22日訊 —納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布將在9月6-8日參加亞洲最負(fù)盛名的電力電子展會(huì)之一—SEMICON Taiwan，并帶來全新的高性能寬禁帶半導(dǎo)體平臺(tái)。

觀眾們可在展會(huì)上探索最新的GaNFast氮化鎵功率芯片，其將氮化鎵功率器件和驅(qū)動(dòng)、控制、感知和保護(hù)集成在一起，帶來充電速度更快，功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。

此外，納微還將展示領(lǐng)先的電源系統(tǒng)平臺(tái)，能大幅加速客戶的研發(fā)進(jìn)程，縮短上市時(shí)間，并在能效、功率密度和系統(tǒng)成本上樹立新的行業(yè)標(biāo)桿。這些平臺(tái)包括完整的設(shè)計(jì)材料，包括經(jīng)過全面測試的硬件、布局、仿真和硬件測試結(jié)果。本次展會(huì)將展示的平臺(tái)如下：

1. 納微半導(dǎo)體CRPS185數(shù)據(jù)中心電源平臺(tái)，能在體積僅40mm×73.5mm×185mm(544cc)的情況下，帶來3200W的功率，實(shí)現(xiàn)5.9W/cc (接近100W/inch3)的功率密度。相較于傳統(tǒng)硅方案縮小40%體積，效率在30%的負(fù)載下超過95.6%，在20% ~ 60%的負(fù)載下超96%，定義了“鈦金Plus”的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)；

2. 納微半導(dǎo)體6.6 kW 3合1 和3kW DC - DC電動(dòng)汽車雙向車載充電機(jī)。與競爭對(duì)手的方案相比，該效率超96%的OBC的功率密度高50%+，并且在超過95%的效率下，節(jié)能高達(dá)16%。

在同期舉辦的SEMICON功率暨光電半導(dǎo)體論壇上，納微半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)拓展高級(jí)總監(jiān)Charles Bailley將會(huì)帶來以“GaN Power ICs Increase Power Density in EV Power Systems”為主題的演講。該演講將在TaiNEX1的402號(hào)會(huì)議室舉行，時(shí)間為臺(tái)北當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月6日下午兩點(diǎn)。

SEMICON Taiwan將于2023年9月6-8日在臺(tái)北市的南港展覽館TaiNEX1&2號(hào)館舉辦。

審核編輯：劉清